单纤双向光组件制造技术

本发明专利技术提供一种单纤双向光组件，其包括：光发射器、光接收器、透镜组件、第一滤波片、第二滤波片、光功率衰减器和光纤接口端，光纤接口端用以连接光纤，光发射器发出的下行光信号经由透镜组件聚焦后，依次通过第一滤波片和光纤接口端射入光纤，由光纤传输；经由光纤传输而至的上行光信号通过第二滤波片后被光接收器接收。光功率衰减器设置于光发射器和光纤接口端之间，光功率衰减器的透过率随光信号波长变化而变化。通过光功率衰减器与光发射器产生协同作用，减小了单纤双向光组件在高温和低温工作环境下的出光功率差异，通过无源外调制的方式，在保证光发射器高频带宽等性能不受影响的情况下，最大限度地扩大光功率调整范围。最大限度地扩大光功率调整范围。最大限度地扩大光功率调整范围。

【技术实现步骤摘要】
单纤双向光组件


[0001]本专利技术涉及光通信
，具体地涉及一种单纤双向光组件。

技术介绍

[0002]光模块通常由光发射组件(含半导体激光器)、光接收组件、驱动电路和光、电接口等组成。光模块用于实现电
‑
光和光
‑
电信号的转换，在发送端，电信号经驱动芯片处理后驱动激光器发射出相应速率的调制光信号，通过光功率自动控制电路，输出功率稳定的光信号。在接收端，一定速率的光信号输入模块后由光探测器转换为电信号，经前置放大器后输出相应速率的电信号。
[0003]由于半导体激光器在工作过程中会产生热量，造成其温度升高，内部电光转换效率随着温度升高而下降，在不同温度下的出光功率存在差异，从而导致光组件高温和低温工作环境下的发射光功率会有较大差异。现有技术中，通过调整半导体激光器驱动电流来调整不同温度下输出光功率，但是驱动电流会影响带宽等性能，受制于带宽的影响，传统单纤双向光组件调整范围有限。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种单纤双向光组件。
[0005]本专利技术提供一种单纤双向光组件，其包括：光发射器、光接收器、透镜组件、第一滤波片、第二滤波片和光纤接口端，所述光纤接口端用以连接光纤，所述光发射器发出的下行光信号经由所述透镜组件聚焦后，依次通过所述第一滤波片和光纤接口端射入所述光纤，由所述光纤传输；经由所述光纤传输而至的上行光信号通过所述第二滤波片后被所述光接收器接收；
[0006]所述单纤双向光组件还包括至少一个光功率衰减器，所述光功率衰减器设置于所述光发射器和所述光纤接口端之间，所述光功率衰减器的透过率随光信号波长变化而变化。
[0007]作为本专利技术的进一步改进，所述光功率衰减器的透过率随光信号波长增大而线性增大。
[0008]作为本专利技术的进一步改进，所述光发射器为半导体激光器，在第一波长WL1至第二波长WL2的波长范围内，所述光功率衰减器透过率随光信号波长增大而线性增大，其中，所述第一波长WL1小于所述半导体激光器在工作温度范围内所发出的下行光信号的波长下限，所述第二波长WL2大于所述半导体激光器在工作温度范围内所发出的下行光信号的波长上限。
[0009]作为本专利技术的进一步改进，所述光发射器为分布反馈激光器或电吸收调制激光器。
[0010]作为本专利技术的进一步改进，所述光功率衰减器包括基材和镀覆于所述基材通光面上的滤波膜。
[0011]作为本专利技术的进一步改进，所述单纤双向光组件还包括设于所述光发射器和所述第一滤波片之间的透镜组件和光隔离器，所述光功率衰减器设置于所述光隔离器和所述第一滤波片之间、或设置于所述光隔离器和所述透镜组件之间、或设于所述光发射器和所述透镜组件之间。
[0012]作为本专利技术的进一步改进，所述单纤双向光组件还包括贴合设于所述光纤接口端的光隔离器，所述光功率衰减器设置于所述第一滤光片和所述透镜组件之间、或设于所述光发射器和所述透镜组件之间。
[0013]作为本专利技术的进一步改进，所述光功率衰减器包括镀覆于所述第一滤光片上的滤波膜。
[0014]作为本专利技术的进一步改进，所述滤波膜为交替堆叠的Ta2O5和/或SiO2膜系。
[0015]作为本专利技术的进一步改进，所述滤波膜为波分复用膜，所述波分复用膜在其通带波长范围内透过率随波长增大而线性增大。
[0016]本专利技术的有益效果是：通过在单纤双向光组件内设置透过率随光信号波长增大而线性增大的光功率衰减器，使得其能够与半导体激光器产生协同作用，减小了所述单纤双向光组件在高温和低温工作环境下的出光功率差异，通过无源外调制的方式，在保证光发射器高频带宽等性能不受影响的情况下，最大限度地扩大光功率调整范围。
附图说明
[0017]图1是本专利技术实施例1中的单纤双向光组件示意图。
[0018]图2是本专利技术一实施方式中光功率衰减器透过率曲线。
[0019]图3是本专利技术实施例2中的单纤双向光组件示意图。
[0020]图4是本专利技术实施例3中的单纤双向光组件示意图。
[0021]图5是本专利技术实施例4中的单纤双向光组件示意图。
[0022]图6是本专利技术实施例5中的单纤双向光组件示意图。
具体实施方式
[0023]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
[0024]下面详细描述本专利技术的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0025]为方便说明，本文使用表示空间相对位置的术语来进行描述，例如“上”、“下”、“后”、“前”等，用来描述附图中所示的一个单元或者特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“上方”的单元将位于其他单元或特征“下方”或“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括下方和上方这两种空间方位。
[0026]如图1所示，为本专利技术实施例1所提供的一种单纤双向光组件11，其包括：光发射器11、光接收器12、透镜组件13、光隔离器14、第一滤波片151和第二滤波片152以及光纤接口端16，光纤接口端16用以连接光纤2，实现上行光信号和下行光信号的传输，光发射器发1出的下行光信号经由透镜组件13聚焦后，依次通过第一滤波片151和光纤接口端16射入光纤2，由光纤2传输；经由光纤2传输而至的上行光信号在被第一滤波片反射后，通过第二滤波片152后被光接收器12接收。
[0027]在实施例1中，光发射器11为半导体激光器11a，具体的，光发射器为分布反馈激光器(Distributed
‑
feedback laser，DFB)或电吸收调制激光器(Electro
‑
absorption Modulated Laser,EML)，在其它实施例中，光发射器11也可以包括除半导体激光器之外的其它元件，如透镜、分光片等。半导体激光器在工作过程中，会产生一定的热量而造成有源区温升的情况，随着温度升高，半导体激光器11a所发出的下行光信号的中心波长增大，即导体激光器11a所发出的下行光信号的波长中心向波长变长的方向移动，并且，温度升高导致半导体激光器11a内部电光转换效率随温度升高而下降，从而使得出光功率下降，即可以看作是半导体激光器11a的出光功率随着下行光信号的中心波长增大而逐渐减小。
[0028]单纤双向光组件1还包括至少一个光功率衰减器17，光功率衰减器17设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单纤双向光组件，其包括：光发射器、光接收器、透镜组件、第一滤波片和光纤接口端，所述光纤接口端用以连接光纤，所述光发射器发出的下行光信号经由所述透镜组件聚焦后，依次通过所述第一滤波片和光纤接口端射入光纤，由光纤传输；经由光纤传输而至的上行光信号通过所述第一滤波片反射后被所述光接收器接收；其特征在于，所述单纤双向光组件还包括至少一个光功率衰减器，所述光功率衰减器设置于所述光发射器和所述光纤接口端之间，所述光功率衰减器的透过率随光信号波长变化而变化。2.根据权利要求1所述的单纤双向光组件，其特征在于，所述光功率衰减器的透过率随光信号波长增大而增大。3.根据权利要求2所述的单纤双向光组件，其特征在于，所述光发射器为半导体激光器，在第一波长WL1至第二波长WL2的波长范围内，所述光功率衰减器透过率随光信号波长增大而线性增大，其中，所述第一波长WL1小于所述半导体激光器在工作温度范围内所发出的下行光信号的波长下限，所述第二波长WL2大于所述半导体激光器在工作温度范围内所发出的下行光信号的波长上限。4.根据权利要求3所述的单纤双向光组件，其特征在于，所述光发射器为分布...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙雨舟，林华中，
申请(专利权)人：苏州旭创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：