单晶PERC电池片的制备方法及单晶PERC电池片技术

本发明专利技术涉及一种单晶PERC电池片的制备方法及单晶PERC电池片，属于太阳能电池制造技术领域。制备方法包括背钝化工艺，背钝化工艺包括：在热氧化后的单晶硅片背面沉积Al2O3层，其中，沉积所述Al2O3层时控制TMA/H2O的比例为2.3

【技术实现步骤摘要】
单晶PERC电池片的制备方法及单晶PERC电池片


[0001]本专利技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种单晶PERC电池片的制备方法及单晶PERC电池片。

技术介绍

[0002]背面氧化铝钝化层是单晶PERC电池片的核心技术。在半导体行业中已经对氧化铝膜进行了大量研究，发现Si—Al2O3体系的表面固定电荷Qf为负电荷，而且其电荷密度还很高，很适合用来炖化P型硅表面。对于低阻的P型硅衬底，其高温烧结稳定性是较差的，在经过高温烧结后会造成氧化铝/氮化硅叠层的起泡现象，该现象会导致背面钝化层钝化效果失效，最终导致EL发黑。表面钝化包括两种钝化机制：化学钝化和场钝化。化学钝化的原理是通过降低界面态密度来实现钝化。场钝化的原理为通过建立内建电场的方式来屏蔽半导体界面处的少数载流子的复合从而实现钝化。AlO
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薄膜同时具有两种钝化效果。
[0003]目前在得到更高的转换效率的目的下，需要在背面Si
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层沉积之前对背场不饱和键进行一次H钝化，此H键由NH3被电离后释放所得，由于衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶PERC电池片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括背钝化工艺，所述背钝化工艺包括如下步骤：S1，在热氧化后的单晶硅片背面沉积Al2O3层，其中，沉积所述Al2O3层时控制TMA/H2O的比例为2.3
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3，控制Al2O3层的厚度为2.8
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5nm；S2，在Al2O3层背面通过PECVD背镀工艺沉积Si
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层，其中，PECVD背镀工艺中控制氨气通入量为5000
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6500sccm，PECVD设备的射频功率为9000
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12500kW。2.根据权利要求1所述的单晶PERC电池片的制备方法，其特征在于，所述S2之前还包括在S3，在热氧化后的单晶硅片正面镀Si
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层、对Al2O3层进行退火处理，所述S2之后还包括S4，丝网...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宏，秦积海，张伟，王菲，李云鹤，李文敏，
申请(专利权)人：晋能清洁能源科技股份公司，
类型：发明
国别省市：