一种获得光耦浮动电源的电路模块制造技术

本实用新型专利技术属于等离子电视（ＰＤＰ）驱动电路技术领域，尤其是在功率场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）光耦栅极驱动电路中，获得光耦浮动电源的电路模块。本实用新型专利技术电路，提供了一种同时获得多组浮动电源的电路模块，具有电路简单、成本低廉、易于控制等优点，大大简化了ＰＤＰ驱动电路的ＰＣＢ布线难度，减少了ＰＣＢ布线层数，降低了ＰＤＰ驱动电路成本。对于专用栅极驱动ＩＣ（如ＩＲ２１１０Ｓ、ＩＲ２１１３Ｓ、ＩＸ６Ｒ１１Ｓ３等）的浮动通道（Ｆｌｏａｔｉｎｇ　Ｃｈａｎｎｅｌ）供电，本实用新型专利技术电路同样适用。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种获得光耦浮动电源的电路模块，用于功率场效应晶体管光耦栅极驱动电路中，其特征在于：所述电路模块由逻辑波形产生电路（１）、电源Ｅ、第一电阻（２）、晶体管（３）、第二电阻（４）、Ｐ型ＭＯＳ管（５）以及ｎ组需要浮动电源的光耦及其外围元件组成；　　　　第ｊ组光耦及其外围元件包括光耦、二极管Ｄｊ、电阻Ｒｊ、电容Ｃｊ和Ｎ型ＭＯＳ管Ｍｊ，１≤ｊ≤ｎ；二极管Ｄｊ起隔离作用，电阻Ｒｊ是充电限流电阻，电容Ｃｊ是自举电容，Ｓｊ是控制Ｎ型ＭＯＳ管Ｍｊ的逻辑信号，当Ｓｊ为高时ＭＯＳ管Ｍｊ导通，反之，当Ｓｊ为低时ＭＯＳ管Ｍｊ关断；二极管Ｄｊ串联电阻Ｒｊ后接光耦Ｖｃ，光耦Ｖｅ接Ｎ型ＭＯＳ管Ｍｊ源极，光耦Ｖｏ接Ｎ型ＭＯＳ管Ｍｊ栅极，电容Ｃｊ连接在光耦Ｖｃ与Ｖｅ之间；　　　　电源Ｅ为１５Ｖ直流电源，其负极接地，正极的一个分支接Ｐ型ＭＯＳ管（５）的源极，另一个分支通过第二电阻（４）接到晶体管（３）的集电极；Ｐ型ＭＯＳ管（５）的漏极连接至各组光耦及其外围元件中的二极管Ｄｊ的正极，Ｐ型ＭＯＳ管（５）的栅极与晶体管（３）的集电极相连；控制Ｎ型ＭＯＳ管Ｍｊ的逻辑信号Ｓｊ以及控制Ｐ型ＭＯＳ管（５）的导通或关断的Ｐ信号，均由逻辑波形产生电路（１）产生，Ｐ信号通过第一电阻（２）输入晶体管（３）的基极，晶体管（３）的发射极接地；　　　　Ｐ信号与逻辑信号Ｓ１～Ｓｎ构成一个ｎ＋１维逻辑向量，由逻辑波形产生电路（１）产生；当Ｎ型ＭＯＳ管Ｍ１～Ｍｎ中有一个或多个源极出现负电位时，Ｐ信号为低，关断Ｐ型ＭＯＳ管（５），其它情况Ｐ信号为高，接通Ｐ型ＭＯＳ管（５）。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁宁，
申请(专利权)人：康佳集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]