换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置制造方法及图纸

一种换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置，其中声表面波谐振装置包括：压电基底；位于压电基底上的换能装置，所述换能装置包括：多个电极条，多个所述电极条沿第一方向平行放置，所述电极条包括第一层及位于所述第一层上方的第二层，所述第一层中的第一晶粒的平均直径小于所述第二层中的第二晶粒的平均直径。所述声表面波谐振装置的性能得到提升。升。升。

【技术实现步骤摘要】
换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置。

技术介绍

[0002]随着通信技术的发展，滤波器已广泛应用于各种通信电子设备之中。
[0003]目前商用滤波器主要有声表面波（Surface Acoustic Wave，简称SAW）滤波器、体声波（Bulk Acoustic Wave，简称BAW）滤波器、低温共烧陶瓷（Low Temperature Co
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fired Ceramics，简称LTCC）滤波器等。声表面波滤波器拥有良好的插入损耗及面积小等优点，因此广泛应用于手机等消费电子终端。
[0004]然而，所述声表面波滤波器在高功率下的可靠性还有待改善。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置，以改善声表面波滤波器在高功率下的可靠性。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种换能装置，包括：多个电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种换能装置，其特征在于，包括：多个电极条，多个所述电极条沿第一方向平行放置，所述电极条包括第一层及位于所述第一层上方的第二层，所述第一层中的第一晶粒的平均直径小于所述第二层中的第二晶粒的平均直径。2.如权利要求1所述的换能装置，其特征在于，所述第一层材料的屈服强度大于所述第二层材料的屈服强度。3.如权利要求1所述的换能装置，其特征在于，所述第一层材料的电阻率大于所述第二层材料的电阻率。4.如权利要求1所述的换能装置，其特征在于，所述第一层的材料包括铝钕合金，其中，钕原子在所述铝钕合金中的原子百分比含量为1%~8%。5.如权利要求1所述的换能装置，其特征在于，所述第二层的材料包括铝铜合金或铝，其中，铜原子在所述铝铜合金中的原子百分比含量为0.5%~4%。6.如权利要求1所述的换能装置，其特征在于，所述电极条还包括：第三层，所述第三层位于所述第二层上，用于抑制电迁移，所述第三层材料的密度大于所述第二层材料的密度。7.如权利要求6所述的换能装置，其特征在于，所述第三层的材料包括金属或金属氮化物；其中，所述金属包括钛、镍、钼、铜或铂；所述金属氮化物包括氮化钛。8.如权利要求1所述的换能装置，其特征在于，所述第一层的厚度小于或等于所述电极条厚度的50%。9.如权利要求1所述的换能装置，其特征在于，所述电极条还包括：第一接合层，位于所述第一层与所述第二层之间。10.如权利要求9所述的换能装置，其特征在于，所述第一接合层的材料包括金属或金属氮化物；其中，所述金属包括钛、钛钨合金或镍铬合金；所述金属氮化物包括氮化钛。11.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：压电基底；如权利要求1至10任一项所述的换能装置，所述换能装置位于所述压电基底上。12.如权利要求11所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极条还包括：第二接合层，所述第二接合层位于所述压电基底与所述第一层之间。13.如权利要求12所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第二接合层的材料包括金属或金属氮化物；其中，所述金属包括钛、钛钨合金或镍铬合金；所述金属氮化物包括氮化钛。14.一种滤波装置，其特征在于，包括：若干个如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹雅丽，汤正杰，杨新宇，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：