光电测试转换电路及光电测试转换方法技术

本发明专利技术公开了一种光电测试转换电路及光电测试转换方法，该电路包括：当检测到光源的光信号时感光单元在外部电源的作用下产生电流，第一外部电源的正极连接到主控单元的输入端，主控单元的输出端连接至第一开关单元，电源芯片的一端连接至第一开关单元，电源芯片的另一端连接至光学性能检测单元，主控单元用于控制第一开关单元导通时发送信号传送至电源芯片，电源芯片启动光学性能检测单元以对待测图像传感器的光学性能进行检测。第二外部电源连接第二开关单元和电学性能检测单元，光源关闭后，当主控单元控制第一开关单元关闭时，第二开关单元导通，启动电学性能检测单元对待测图像传感器的电学性能进行检测。该电路能够更加方便地进行光电测试。加方便地进行光电测试。加方便地进行光电测试。

【技术实现步骤摘要】
光电测试转换电路及光电测试转换方法


[0001]本专利技术涉及集成电路测试
，尤其涉及一种光电测试转换电路及光电测试转换方法。

技术介绍

[0002]图像传感器是一种涉及光电领域的重要电子器件，在工业成像、机器视觉、科研探索等诸多领域被广泛应用。所以图像传感器在出厂前都会经过许多复杂的测试，主要包括光学性能测试和电学性能测试。目前的业内常见的测试方法通常是针对光学性能测试项目设计一测试板卡，针对电学性能测试项目设计另一测试板卡。这样做，一方面导致测试流程相对复杂，另一方面也会因两个测试板卡的制作导致产生高昂的成本。测试工程师为了测试图像传感器所有指标，可能需要在两块测试板卡多次重复测试，操作者的工作量也较大。
[0003]为此，亟需提供一种测试方案以改善上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种光电测试转换电路及光电测试转换方法，用以将光学测试功能和电学测试功能整合在一个测试板卡的电路中，通过开关单元实现各不同功能的测试模块间的转换，能够更加方便地进行光电测试。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种光电测试转换电路，包括：光测试电路模块和电测试电路模块，其中：所述光测试电路模块包括感光单元、第一开关单元、主控单元、电源芯片和光学性能检测单元；所述电测试电路模块包括第二开关单元和电学性能检测单元。
[0006]其中，所述感光单元连接所述第一开关单元，所述感光单元用于当检测到光源发出的光信号时产生电流，所述电流流经所述第一开关单元形成第一开关单元的电压差；第一外部电源VCC的正极连接到所述主控单元的输入端，所述主控单元的输出端连接至第一开关单元，所述电源芯片的一端连接至所述第一开关单元，所述电源芯片的另一端连接至所述光学性能检测单元，所述主控单元用于控制所述第一开关单元是否导通，当所述第一开关单元导通时，主控单元发送的信号传送至所述电源芯片，所述电源芯片用于启动光学性能检测单元；所述光学性能检测单元用于对待测图像传感器的光学性能进行检测；
[0007]其中，第二外部电源VDD的正极连接所述第二开关单元和所述电学性能检测单元，所述光学性能检测单元的输出端连接所述第二开关单元并接地，光源关闭后，当主控单元控制所述第一开关单元关闭时，所述第二开关单元导通，启动电学性能检测单元，所述电学性能检测单元用于对待测图像传感器的电学性能进行检测。
[0008]本专利技术提供的光电测试转换电路的有益效果在于：一方面能够利用一个测试板卡实现对光电性能的测试，另一方面可以借助感光单元和开关单元实现测试图像传感器在明暗光场环境下的光学性能测试，实现了图像传感器不同场景下的一体化测试，并且整体功耗较低，操作方便，大大延长的测试板卡的使用寿命。
[0009]一种可能的实施方式中，所述感光单元包括光敏器件U1，所述第一开关单元包括
可控硅S1、放大管Q1和N型MOS管Q2；第一外部电源VCC的正极连接光敏器件U1的集电极，第一外部电源VCC同时连接放大管Q1的集电极，光敏器件U1的发射极与放大管Q1的基极相连；所述可控硅S1的控制极与所述放大管Q1的发射极连接，所述可控硅S1的阳极与所述主控单元的输出端相连；所述可控硅S1的阴极连接到电源芯片的输入端；所述电源芯片连接到N型MOS管Q2的栅极，光学性能检测单元SC1的输出端连接到N型MOS管Q2的源极并接地。该实施例中，采用N型MOS管，避免了传统机械开关故障率高的缺点，电路性能相对稳定。
[0010]另一种可能的实施方式中，所述第二开关单元包括N型MOS管Q3，电学性能检测单元SC2的第二外部电源VDD的正极连接到N型MOS管Q2的漏极，同时连接到N型MOS管Q3的栅极；电学性能检测单元SC2的第二外部电源VDD的正极连接电学性能检测单元SC2的输入端，电学性能检测单元SC2的输出端与N型MOS管Q3的漏极相连；N型MOS管Q3的源极接地。
[0011]其它可能的实施方式中，当光源产生光信号时，所述光敏器件U1发射极产生电流的大小为(1+β1)Ip，其中，β1为光敏器件U1的放大倍数，Ip为光敏器件U1的发射极电流。
[0012]又一种可能的实施方式中，所述光电测试转换电路还包括分压电阻，所述分压电阻用于调整所述第一外部电源VCC和所述第二外部电源VDD的输出电压。
[0013]第二方面，本专利技术实施例还提供一种光电测试转换方法，应用于如第一方面所述的光电测试转换电路，所述方法包括：
[0014]在光场测试环境下，控制光源发出的光照射到所述光电测试转换电路的感光单元，所述光电测试转换电路的主控单元控制所述第一开关单元导通，通过所述第一开关单元传送触发信号至电源芯片，所述电源芯片启动光学性能检测单元对待测图像传感器的明场条件下光学性能进行检测；
[0015]在暗场测试环境下，关闭光源，所述感光单元不产生电流，在所述第一开关单元的电压差大于导通电压之前，所述光学性能检测单元继续对待测图像传感器的暗场条件下光学性能进行检测，在所述第一开关单元的电压差小于或等于导通电压之后，所述光学性能检测单元不工作；
[0016]所述主控单元关闭所述第一开关单元使得所述第二开关单元导通，启动电学性能检测单元对待测图像传感器的电学性能进行检测。
[0017]本专利技术所提供的光电测试转换方法的有益效果在于：简单可靠地地实现不同测试电路转换功能，更加方便测试。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本专利技术实施例提供的一种光电测试转换电路结构结构示意图；
[0020]图2为本专利技术实施例提供的另一种光电测试转换电路结构示意图；
[0021]图3为本专利技术实施例提供的一种光电测试转换方法流程示意图；
[0022]图4为本专利技术实施例提供的一种局部电路仿真数据图。
具体实施方式
[0023]图1为本专利技术实施例提供的为测试图像传感器的光电性能的光电测试转换电路，包括光测试电路模块和电测试电路模块。
[0024]所述光测试电路模块包括感光单元、第一开关单元、主控单元、电源芯片和光学性能检测单元SC1。所述电测试电路模块包括第二开关单元和电学性能检测单元SC2。
[0025]其中，所述感光单元连接所述第一开关单元，所述感光单元用于当检测到光源发出的光信号时产生电流，所述电流流经所述第一开关单元形成第一开关单元的电压差；第一外部电源VCC的正极连接到所述主控单元的输入端，所述主控单元的输出端连接至第一开关单元，所述电源芯片的一端连接至所述第一开关单元，所述电源芯片的另一端连接至所述光学性能检测单元SC1，所述主控单元用于控制所述第一开关单元是否导通，当所述第一开关单元导通时，主控单元发送的信号传送至所述电源芯片，所述电源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电测试转换电路，其特征在于，包括：光测试电路模块和电测试电路模块，其中：所述光测试电路模块包括感光单元、第一开关单元、主控单元、电源芯片和光学性能检测单元；所述电测试电路模块包括第二开关单元和电学性能检测单元；其中，所述感光单元连接所述第一开关单元，所述感光单元用于当检测到光源发出的光信号时产生电流，所述电流流经所述第一开关单元形成第一开关单元的电压差；第一外部电源VCC连接到所述主控单元的输入端，所述主控单元的输出端连接至第一开关单元，所述电源芯片的一端连接至所述第一开关单元，所述电源芯片的另一端连接至所述光学性能检测单元，所述主控单元用于控制所述第一开关单元是否导通，当所述第一开关单元导通时，主控单元发送的信号传送至所述电源芯片，所述电源芯片用于启动光学性能检测单元；所述光学性能检测单元用于对待测图像传感器的光学性能进行检测；其中，第二外部电源VDD连接所述第二开关单元和所述电学性能检测单元，所述光学性能检测单元的输出端连接所述第二开关单元并接地，光源关闭后，当主控单元控制所述第一开关单元关闭时，所述第二开关单元导通，启动电学性能检测单元，所述电学性能检测单元用于对待测图像传感器的电学性能进行检测。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述感光单元包括光敏器件U1和放大管Q1，所述第一开关单元包括可控硅S1和N型MOS管Q2；第一外部电源VCC连接光敏器件U1的集电极，第一外部电源VCC同时连接放大管Q1的集电极，光敏器件U1的发射极与放大管Q1的基极相连；所述可控硅S1的控制极与所述放大管Q1的发射极连接，所述可控硅S1的阳极与所述主控单元的输出端相连；所述可控硅S1的阴极连接到电源芯片的输入端；所述电源芯片连接到N型MOS管Q2的栅极，光学性能检测单元SC1的输出端连接到N型MOS管Q2的源极并接地。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第二开关单元包括N型...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄天涯，
申请(专利权)人：上海微阱电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：