含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置制造方法及图纸

本申请涉及含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置。本申请的含氮化合物包含四甲基环己烷并咔唑和含氮杂芳基，将该含氮化合物用做有机电致发光器件的主体材料时，可以显著提高器件的发光效率。以显著提高器件的发光效率。以显著提高器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置


[0001]本申请涉及有机电致发光材料
，尤其涉及含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。有机电致发光器件(OLED)，通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括有机发光层、空穴传输层、电子传输层等。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光。
[0003]现有的有机电致发光器件中，最主要的问题为寿命和效率，随着显示器的大面积化，驱动电压也随之提高，发光效率及电流效率也需要提高，因此，有必要继续研发新型的材料，以进一步提高有机电致发光器件的性能。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的上述问题，本申请的目的在于提供一种含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置，该含氮化合物用于有机电致发光器件中，可以提高器件的性能。
[0005]根据本申请的第一方面，提供一种含氮化合物，所述含氮化合物具有由式1所示结构：
[0006][0007]其中，环A为式A
‑
1所示结构或式A
‑
2所示结构#位置表示与
式1中的#位置相互稠合的位点；
[0008]环B为碳原子数为6～14的芳香环；
[0009]Het为6～18元含氮亚杂芳基，且Het中至少包含2个氮原子；
[0010]各R1独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的环烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；
[0011]n1选自0、1、2、3、4、5或6；
[0012]L选自碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0013]L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0014]Ar1选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0015]Ar2选自氢、碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0016]L1、L2、L、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为3～10的环烷基；任选地，任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3～15元环。
[0017]根据本申请的第二方面，提供一种有机电致发光器件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的含氮化合物。
[0018]根据本申请的第三方面，提供了一种电子装置，包括第二方面所述的有机电致发光器件。
[0019]本申请化合物结构中包含四甲基环己烷并咔唑
‑
含氮亚杂芳基的结构，其中含氮亚杂芳基通过芳香性亚基基团与咔唑基团的氮原子相连，这种特殊的连接方式使得目标分子可以充分利用咔唑分子较大的共轭平面，提高目标分子的电荷迁移率。同时四甲基环己烷的结构可以通过超共轭效应，进一步增强咔唑基团的电荷传输能力。此外，四个甲基的在空间构型上是处于咔唑基团共轭平面之外，形成一定的空间位阻，对化合物的分子间堆积进行精细的调控，可以使得化合物在器件功能层中形成稳定性较好的无定型薄膜。因此，将本申请化合物作为主体材料时，可以改善发光层中载流子平衡，拓宽载流子复合区域，提高激子生成和利用效率，提高器件发光效率；同时本申请化合物在作为主体材料时，能够形成较好的无定型态薄膜，提高器件的寿命。
附图说明
[0020]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。
[0021]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0022]图2是本申请一种实施方式的电子装置的结构示意图。
[0023]附图标记
[0024]100、阳极200、阴极300、功能层310、空穴注入层
[0025]320、空穴传输层321、第一空穴传输层322、第二空穴传输层330、有机发光层
[0026]340、电子传输层350、电子注入层400、电子装置
具体实施方式
[0027]现在将参考附图更全面地描述示例性实施方式。然而，示例性实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整，并将示例性实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多个实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。
[0028]第一方面，本申请提供一种含氮化合物，所述含氮化合物具有由式1所示的结构：
[0029][0030]其中，环A为式A
‑
1所示结构或式A
‑
2所示结构：
[0031]#位置表示与式1中的#位置相互稠合的位点；
[0032]环B为碳原子数为6～14的芳香环；
[0033]Het为6～18元含氮亚杂芳基，且Het中至少包含2个氮原子；
[0034]各R1独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的环烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；
[0035]n1选自0、1、2、3、4、5或6；
[0036]L选自碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0037]L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0038]Ar1选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0039]Ar2选自氢、碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0040]L1、L2、L、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物具有由式1所示结构：其中，环A为式A
‑
1所示结构或式A
‑
2所示结构：#位置表示与式1中的#位置相互稠合的位点；环B为碳原子数为6～14的芳香环；Het为6～18元含氮亚杂芳基，且Het中至少包含2个氮原子；各R1独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的环烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；n1选自0、1、2、3、4、5或6；L选自碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；Ar1选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；Ar2选自氢、碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；L1、L2、L、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为3～10的环烷基；任选地，任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3～15元环。2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，环B选自以下结构：
＊位置表示与式1中的＊位置相互稠合的位点。3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，式1中的选自以下结构：4.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Het选自以下基团：Het选自以下基团：其中，
‑
*表示与L连接的键，其余两个连接键分别连接L1和L2。5.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar1选自原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为12～18的取代或未取代的杂芳基；Ar2选自氢、碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为12～18的取代或未取代的杂芳基；可选地，Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素、氰基、碳原子数为1～4的卤代烷基、碳原子数为1～4的氘代烷基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为5～10的环烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基、碳原子数为3～8的三烷基硅基，任选地，任意两个相邻的取代基形成芴环。6.根据权利要求1所述的含氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐先彬，杨雷，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：