显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明专利技术的显示装置包括：信号线121；扫描线103；第一电极123；第二电极125a；第三电极125b；第一像素电极139a；第二像素电极139b；以及半导体膜135，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。第一电极至第三电极之间。第一电极至第三电极之间。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本申请是申请号为201680009371.3、申请日为2016年2月3日、名称为“显示装置”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。或者，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。

技术介绍

[0003]近年来，作为视角特性及显示质量得到了改善的液晶显示装置，提出了垂直取向(VA：Vertically Aligned)型液晶显示装置。此外，作为VA型液晶显示装置，提出了多畴结构的液晶显示装置，其中在一个像素中包括多个像素电极以及连接于各像素电极且控制像素电极的电位的晶体管。通过在一个像素中设置多个像素电极，能够按各像素电极使液晶的取向彼此不同，因此，多畴结构的液晶显示装置的视角可以比现有的VA型液晶显示装置大(参照专利文献1)。
[0004]此外，液晶显示装置的屏幕尺寸有大型化的趋势，如对角线有60英寸以上，进而，正在展开以对角线有120英寸以上的屏幕尺寸为目标的开发。而且，屏幕也有高清晰化的趋势，如全高清画质(FHD，1920
×
1080)或4K画质(3840
×
2160)，并且，目前正在加快开发具有像素数为7680
×
4320的所谓的8K的高分辨率的液晶显示装置。
[0005]此外，为了减少余像而提高显示质量，展开将驱动速度提高一倍(也称为双倍速驱动)的高速驱动的开发，进而，还展开将驱动速度提高三倍以上的高速驱动的研究。此外，为了实现三维(3D)显示的液晶显示装置，需要交替地显示右眼用图像和左眼用图像，从而需要以双倍速以上的速度使液晶显示装置工作。
[0006][参考文献][0007][专利文献][0008][专利文献1]日本专利申请公开第2006
‑
317867号公报

技术实现思路

[0009]然而，随着液晶显示装置的大型化及高清晰化，所需要的像素的数量显著增加，从而每个像素的写入时间变短。由此，控制像素电极的电位的晶体管被要求进行高速工作且具有高通态电流(on
‑
state current)等。
[0010]此外，产生在布线之间的寄生电容的增大导致对于信号线的端部的信号传达的延迟。其结果是，有可能发生显示不均匀或灰度不良等的显示质量的降低以及功耗的增加。
[0011]于是，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够降低布线之间的寄生电容的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种显示质量高的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够降低功耗的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置或者新颖的显示装置等。
[0012]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式不需要必须实现所有上述目的。另外，说明书、附图以及权利要求书等的记载中显然存在上述目的以外的目的，可以从说明书、附图以及权利要求书等的记载中获得上述目的以外的目的。
[0013]本专利技术的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括信号线、与信号线交叉的扫描线、与信号线电连接的第一电极、与第一电极对置的第二电极、与第一电极对置的第三电极、与第二电极电连接的第一像素电极、与第三电极电连接的第二像素电极、以及与第一电极至第三电极接触且设置在扫描线与第一电极至第三电极之间的半导体膜，其中，第一电极包括与扫描线重叠的区域。
[0014]另外，本专利技术的一个方式是上述显示装置，该显示装置在扫描线与半导体膜之间包括栅极绝缘膜，其中，由扫描线、栅极绝缘膜、半导体膜、第一电极及第二电极构成第一晶体管，由扫描线、栅极绝缘膜、半导体膜、第一电极及第三电极构成第二晶体管。
[0015]另外，本专利技术的一个方式是上述显示装置，该显示装置包括与第一像素电极电连接的第一电容布线及与第二像素电极电连接的第二电容布线，其中，信号线包括与第一像素电极及第二像素电极之间重叠的区域，信号线不包括与第一电容布线及第二电容布线重叠的区域。
[0016]另外，本专利技术的一个方式是上述显示装置，其中，第一电极在顶面形状中设置在第二电极与第三电极之间。
[0017]另外，本专利技术的一个方式是上述显示装置，其中，半导体膜包含具有In、M(M为铝、镓、钇或锡)及Zn的氧化物。
[0018]另外，本专利技术的一个方式是上述显示装置，其中，半导体膜包括第一半导体膜及包括与第一半导体膜重叠的区域的第二半导体膜，第一半导体膜与第二半导体膜相比包含更多的相对于M的原子个数比的In的原子个数比多的氧化物。
[0019]于是，通过采用本专利技术的一个方式，可以降低显示装置的布线之间的寄生电容。此外，通过采用本专利技术的一个方式，可以提高显示装置的显示质量。此外，通过采用本专利技术的一个方式，可以降低显示装置的功耗。此外，通过采用本专利技术的一个方式，可以提供一种新颖的半导体装置或者新颖的显示装置等。注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。
[0020]此外，本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。上述效果以外的效果从说明书、附图、权利要求书等的记载中是显而易见的，且可以从所述记载中抽取上述效果以外的效果。
附图说明
[0021]图1是像素的一个方式的俯视图及电路图；
[0022]图2是说明本专利技术的一个方式的像素的俯视图及电路图；
[0023]图3是像素的一个方式的俯视图及电路图；
[0024]图4是像素的一个方式的截面图；
[0025]图5是像素的一个方式的俯视图；
[0026]图6是像素的一个方式的俯视图；
[0027]图7是像素的一个方式的俯视图及电路图；
[0028]图8是像素的一个方式的俯视图及电路图；
[0029]图9是像素的一个方式的截面图；
[0030]图10是示出半导体装置的制造工序的一个例子的截面图；
[0031]图11是示出半导体装置的制造工序的一个例子的截面图；
[0032]图12是示出半导体装置的制造工序的一个例子的截面图；
[0033]图13是示出半导体装置的制造工序的一个例子的截面图；
[0034]图14是示出半导体装置的制造工序的一个例子的截面图、示出半导体装置的一个方式的俯视图及截面图；
[0035]图15是示半导体装置的一个方式的截面图；
[0036]图16是示半导体装置的一个方式的俯视图及截面图；
[0037]图17是示半导体装置的一个方式的截面图；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：多个像素，所述多个像素中的一个像素包括：第一晶体管；第二晶体管；第一像素电极，与所述第一晶体管电连接；第二像素电极，与所述第二晶体管电连接；第一电容元件，与所述第一晶体管电连接；以及第二电容元件，与所述第二晶体管电连接，所述显示装置包括：第一导电层，具有用作所述第一晶体管的栅电极的区域、用作所述第二晶体管的栅电极的区域以及用作扫描线的区域；第二导电层，具有与所述第一导电层相同的材料，并且具有用作所述第一电容元件的一个电极的区域；第一绝缘层，具有与所述第一导电层的顶面接触的区域以及与所述第二导电层的顶面接触的区域；半导体膜，位于所述第一绝缘层上，并且具有所述第一晶体管的沟道形成区域以及所述第二晶体管的沟道形成区域；第三导电层，位于所述半导体膜上，并且具有用作所述第一晶体管的源电极及漏电极中的一个的区域、用作所述第二晶体管的源电极及漏电极中的一个的区域以及用作信号线的区域；第四导电层，具有用作所述第一晶体管的源电极及漏电极中的另一个的区域以及用作所述第一电容元件的另一个电极的区域，并且具有与所述第一像素电极接触的区域；第五导电层，具有用作所述第二晶体管的源电极及漏电极中的另一个的区域，并且具有与所述第二像素电极接触的区域；第六导电层，具有与所述第三导电层、所述第四导电层以及所述第五导电层相同的材料；以及第二绝缘层，具有与所述第三导电层的顶面接触的区域、与所述第四导电层的顶面接触的区域、与所述第五导电层的顶面接触的区域以及与所述第六导电层的顶面接触的区域，在俯视图中，所述第六导电层具有在与所述第三导电层延伸的方向平行的方向上延伸的区域，所述第一像素电极位于所述第二绝缘层的上方，并且具有隔着所述第四导电层与所述第二导电层重叠的区域以及隔着所述第六导电层与所述第二导电层重叠的区域。2.一种显示装置，包括：多个像素，所述多个像素中的一个像素包括：第一晶体管；第二晶体管；第一像素电极，与所述第一晶体管电连接；第二像素电极，与所述第二晶体管电连接；第一电容元件，与所述第一晶体管电连接；以及第二电容元件，与所述第二晶体管电连接，所述显示装置包括：第一导电层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：三宅博之，兼安诚，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：