【技术实现步骤摘要】
开关管的等效电容的存储能量的确定方法及半导体存储器
[0001]本申请涉及半导体
，涉及但不限于一种开关管的等效电容的存储能量的确定方法及半导体存储器。
技术介绍
[0002]在设计半导体存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)时，通常追求低能耗。低能耗的实现方式包括：1、DRAM的存储能量占电源向DRAM输入的能量比重要尽可能高；2、在存储功能实现的前提下，DRAM的存储能量要尽可能低；3、DRAM的存储能量的保存时间要尽可能长。其中，开关管的等效电容的存储能量越低，则DRAM的存储能量(即存储电容的存储能量)占电源向DRAM输入的能量比重越高，因此，需要提供一种方法确定开关管的等效电容的存储能量。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本申请实施例提供一种开关管的等效电容的存储能量的确定方法及半导体存储器。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种开关管的等效电容的存储能量的确定方法，所述方法包括：通过电源向存储器的阵列区写入第一数据，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种开关管的等效电容的存储能量的确定方法，其特征在于，包括：通过电源向存储器的阵列区写入第一数据，获取所述存储器的第一能耗，并在断电状态下获取所述存储器的第一产热，其中，所述存储器包括所述阵列区的存储电容、所述阵列区和外围区的所述开关管，所述存储器的第一能耗包括所述存储电容的存储能量和第二产热，所述开关管的等效电容的存储能量和第三产热，以及所述开关管的漏电能耗，所述存储器的第一产热等效于所述存储电容的存储能量和所述开关管的等效电容的存储能量之和；获取执行第一操作集合时所述存储器的第二能耗，所述第一操作集合包括依次执行的以下操作：通过所述电源向所述阵列区写入所述第一数据，通过所述电源向所述阵列区中反写所述第一数据，所述存储器的第二能耗包括所述存储器的第一能耗，所述开关管的等效电容的存储能量和第三产热，以及所述开关管的漏电能耗；基于所述存储器的第一能耗、所述存储器的第二能耗以及所述存储器的第一产热，确定所述开关管的等效电容的存储能量。2.根据权利要求1所述的确定方法，其特征在于，在所述电源的能耗除包括所述存储器的第一能耗之外，还包括所述电源的第四产热的情况下，确定所述存储电容的存储能量等于所述存储电容的第二产热。3.根据权利要求1或2所述的确定方法，其特征在于，所述通过电源向存储器的阵列区写入第一数据，获取所述存储器的第一能耗，包括：获取所述存储器的电流、电压与时间之间的关系图；确定通过电源向所述存储器的阵列区写入第一数据的第一时段；基于所述第一时段，在所述关系图中确定通过电源向所述存储器的阵列区写入第一数据所述存储器的第一电流值和第一电压值；基于所述第一时段、所述第一电流值和所述第一电压值，确定所述存储器的第一能耗。4.根据权利要求2所述的确定方法，其特征在于，所述通过电源向存储器的阵列区写入第一数据，获取所述存储器的第一能耗，包括：在所述电源的第四产热小于预设阈值的情况下，确定通过电源向所述存储器的阵列区写入第一数据时所述电源的能耗；将通过电源向所述存储器的阵列区写入第一数据时所述电源的能耗确定为通过电源向所述存储器的阵列区写入第一数据时所述存储器的第一能耗。5.根据权利要求4所述的确定方法，其特征在于，在所述电源的第四产热小于预设阈值的情况下，确定通过电源向所述存储器的阵列区写入第一数据时所述电源的能耗，包括：在所述电源的第四产热小于预设阈值的情况下，确定通过所述电源向所述阵列区执行N次第二操作集合的总能耗，所述第二操作集合包括依次执行的以下操作：通过所述电源向所述存储器的阵列区写入第一数据，将所述阵列区的状态改为断电状态，N为大于等于1的整数；基于通过所述电源向所述阵列区执行N次第二操作集合的总能耗，确定通过电源向所述存储器的阵列区写入第一数据时所述电源的能耗。6.根据权利要求5所述的确定方法，其特征在于，在所述电源的第四产热小于预设阈值的情况下，确定通过所述电源向所述阵列区执行N次第二操作集合的总能耗，包括：在所述电源的第四产热小于预设阈值的情况下，在执行所述N次第二操作集合过程中，
获取所述电源电量消耗的第一百分比；基于获取的所述电源的容量和所述电源电量消耗的第一百分比，确定通过所述电源向所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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