一种高精度六边形螺旋型硅漂移探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种高精度六边形螺旋型硅漂移探测器，涉及半导体探测技术领域。本发明专利技术结合半径的一阶近似公式得到半径的二阶近似公式来计算点坐标从而更精确的求得最后的圈数来获得结构，因此其电势电场分布也更接近设计要求，实际圈数在一阶近似的基础上更加精确，解决了现有技术中螺旋型硅漂移探测器的螺旋环圈数的准确性计算问题，即对螺旋环半径的精确计算问题。精确计算问题。精确计算问题。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度六边形螺旋型硅漂移探测器


[0001]本专利技术涉及半导体探测
，具体为一种高精度六边形螺旋型硅漂移探测器。

技术介绍

[0002]硅漂移探测器基于平面工艺，以N型轻掺杂的超纯高阻硅材料作为基体，应用侧向耗尽的原理，相比传统的硅探测器和光电二极管探测器具有很多性能优势，比较明显的是电容小、噪声小、响应时间快、灵敏度高、能量和位置分辨率高、线性范围宽易于集成等。主要用于高能物理、航空航天、脉冲星导航等，在核医学领域的应用也越来越普遍，包括各种医学影像技术，如断层扫描(CT)、X射线透视、磁共振成像(MRI)、超声成像技术和计算机X射线放射成像(CR)等。相比于其他类型探测器，硅漂移探测器的制作技术逐渐成熟并且在工作中保持着比较突出的性能，满足了越来越多实际应用的需要，这使得硅漂移探测器的应用越来越广泛。
[0003]目前，硅漂移探测器一般制成三种形状：四边形、六边形和圆形。螺旋环硅漂移探测器可以为圆形设计，作为独立探测器单元来说对称性和电学特性最好，但是做成阵列的话探测器单元和单元之间有很大的死区，严重浪费材料导致成本增加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高精度六边形螺旋型硅漂移探测器，包括边缘部设有最外圈边界环(6)的基体(8)，所述基体(8)背面设有下表面P型重掺杂阴极(7)，所述基体(8)的正面中心设有N型重掺杂阳极(1)以及围绕N型重掺杂阳极(1)的P型重掺杂的阴极环(2)，所述阴极环(2)与最外圈边界环(6)之间设有六边形的P型重掺杂螺旋环(3)，其特征在于，所述P型重掺杂螺旋环(3)的半径一阶近似计算如下：对半径公式进行泰勒展开，得到展开式：一阶近似计算得到：式中r为半径，r1为螺旋环初始半径，r
(1)
为一阶近似求得的半径；p1为初始间隔；为角度，即坐标原点与所在点的连线与坐标轴正方向的夹角。2.根据权利要求1所述的高精度六边形螺旋型硅漂移探测器，其特征在于：还包括结合一阶近似公式进行P型重掺杂螺旋环(3)的半径的二阶近似计算得到：式中，r
(2)
为二阶近似求得的半径；β为小于1的常数。3.根据权利要求2所述的高精度六边形螺旋型硅漂移探测器，其特征在于：所述P型重掺杂螺旋环(3)上内圈的各点坐标计算公式如下：所述P型重掺杂螺旋环(3)加环宽的外圈各点坐标计算公式如下：4.根据权利要求3所述的高精度六边形螺旋型硅漂移探测器，其特征在于：若二阶计算
得到的圈数与一阶计算得到的圈数的差值，与二阶计算得到的圈数的比值超出5％，则进一步进行更高阶的泰勒展开计算，直至差异...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓丹，李正，孙佳雄，蔡新毅，谭泽文，李鑫卿，王洪斐，
申请(专利权)人：鲁东大学，
类型：发明
国别省市：