薄膜及其制造方法、以及层叠体技术

本发明专利技术的课题在于提供一种能够抑制剥离时的薄膜断裂不良及薄膜表面粗糙的薄膜及其制造方法、以及使用上述薄膜的层叠体。提供一种介质损耗角正切为0.01以下，至少一个表面上的表面自由能为15mN/m～36mN/m的薄膜或介质损耗角正切为0.01以下，至少一个表面上的基于选自包括含氟原子的化合物及含硅原子的化合物的组中的至少1种化合物的表面包覆率为30％～100％薄膜及它们的制造方法、以及使用上述薄膜的层叠体。薄膜的层叠体。

【技术实现步骤摘要】
薄膜及其制造方法、以及层叠体


[0001]本专利技术涉及一种薄膜及其制造方法、以及层叠体。

技术介绍

[0002]近年来，通信设备中使用的频率存在变得非常高的倾向。为了抑制高频带的传输损耗，要求降低用于电路板的绝缘材料的相对介电系数和介质损耗角正切。
[0003]作为以往的液晶薄膜的制造方法，例如，已知有一种记载于专利文献1中的方法。
[0004]专利文献1中记载有一种液晶聚酯薄膜的制造方法，其特征在于，包括：液晶聚酯前体薄膜(film)制备工序，通过将包含液晶聚酯及溶剂的液状组合物在基材上流延并干燥，制备包含上述溶剂的状态的液晶聚酯前体薄膜；第1层叠体制备工序，从上述基材剥离上述液晶聚酯前体薄膜之后，在表面具有脱模层的金属基材上转印上述液晶聚酯前体薄膜，由此制备由上述液晶聚酯前体薄膜及上述金属基材构成的第1层叠体；第2层叠体制备工序，通过对上述第1层叠体进行热处理，制备由实质上不含有溶剂的液晶聚酯薄膜及上述金属基材构成的第2层叠体；以及薄膜剥离工序，从上述金属基材剥离上述液晶聚酯薄膜。
[0005]专利文献
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜，其中，所述薄膜的介质损耗角正切为0.01以下且至少一个表面上的表面自由能为15mN/m～36mN/m。2.一种薄膜，其中，所述薄膜的介质损耗角正切为0.01以下且至少一个表面上的基于选自包括含氟原子的化合物及含硅原子的化合物的组中的至少1种化合物的表面包覆率为30％～100％。3.根据权利要求2所述的薄膜，其中，所述薄膜包含所述含氟原子的化合物。4.根据权利要求2或3所述的薄膜，其中，所述选自包括含氟原子的化合物及含硅原子的化合物的组中的至少1种化合物为选自包括氟树脂及硅酮树脂的组中的至少1种化合物。5.根据权利要求2或3所述的薄膜，其中，所述选自包括含氟原子的化合物及含硅原子的化合物的组中的至少1种化合物包含表面活性剂。6.根据权利要求2或3所述的薄膜，其中，所述选自包括含氟原子的化合物及含硅原子的化合物的组中的至少1种化合物具有能够进行共价键合的基团。7.根据权利要求6所述的薄膜，其中，所述能够进行共价键合的基团为环氧基。8.根据权利要求1或2所述的薄膜，其包含脱氧剂。9.根据权利要求1或2所述的薄膜，其中，所述薄膜的至少一个表面的表面粗糙度Rz为10nm～10,000nm。10.根据权利要求1或2所述的薄膜，其中，所述薄膜的至少一个表面在25℃下的弹性模量为100MPa以上。11.根据权利要求1或2所述的薄膜，其为卷状薄膜。12.一种层叠体，其具有：权利要求1至11中任一项所述的薄膜；及配置于所述薄膜的至少一个表面的金属层或金属配线。13.根据权利要求12所述的层叠体，其中，所述金属层或金属配线的薄膜侧表面的表面粗糙度Ra为1.0μm以下。14.一种薄膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐田泰行，田村显夫，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：