一种用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置，属于碳化硅单晶生长技术领域，包括坩埚、碳化硅籽晶部和用于加热所述坩埚的加热装置；所述碳化硅籽晶部设置于所述坩埚的内腔上部，所述坩埚的内腔下部填充有碳化硅粉料，所述碳化硅籽晶部与所述碳化硅粉料之间具有生长空腔；所述碳化硅籽晶部的生长面朝向所述生长空腔底部，非生长面朝向所述坩埚的坩埚盖，且所述坩埚盖与所述非生长面之间存在间隔。本实用新型专利技术提供的用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置，将籽晶搭接在籽晶支撑部上，且籽晶与坩埚盖无接触，采用热辐射的方式传热，籽晶的径向温度梯度更小，从而改善了晶体生长质量。质量。质量。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置


[0001]本技术涉及碳化硅单晶生长
，特别是涉及一种碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置。

技术介绍

[0002]碳化硅晶体作为第三代宽禁带半导体材料的重要成员，具有宽带隙、高击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移速率和高抗辐射能力，更适合制造高温、高频、大功率和抗辐射器件，在射频通信、卫星雷达、汽车电子、工业电力电子等邻域具有广阔的应用前景。
[0003]经过多年的研究,采用物理气相输运法(亦称为“PVT”法)生长晶体的技术日趋成熟。生长碳化硅晶体通常使用石墨坩埚,将碳化硅粉料置于生长室下部,籽晶固定在生长室顶部的石墨盖。通过控制生长室的温度和压力条件,使碳化硅粉料从坩埚下部升华，上升至籽晶上进行结晶生长,最终获得碳化硅单晶。该生长系统中籽晶需采用搭接或粘接的方法固定在生长坩埚上部的坩埚盖上,传统的籽晶化学粘接方法,使粘结剂在籽晶背面和石墨盖上均匀涂刷,使两者紧密粘接。由于粘结剂对籽晶背面有破坏作用,最终增加晶体的缺陷密度,粘接剂的固化与碳化会在粘结层形成气孔,籽晶背面没有气孔处和有气孔处的导热性不同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置，其特征在于，包括坩埚、碳化硅籽晶部和用于加热所述坩埚的加热装置；所述碳化硅籽晶部设置于所述坩埚的内腔上部，所述坩埚的内腔下部填充有碳化硅粉料，所述碳化硅籽晶部与所述碳化硅粉料之间具有生长空腔；所述碳化硅籽晶部的生长面朝向所述生长空腔底部，非生长面朝向所述坩埚的坩埚盖，且所述坩埚盖与所述非生长面之间存在间隔。2.根据权利要求1所述的用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置，其特征在于，所述碳化硅籽晶部通过籽晶支撑部与所述坩埚的内腔上部相连接，所述籽晶支撑部的顶端开设有阶梯状存放槽，所述碳化硅籽晶部置于所述阶梯状存放槽内，所述碳化硅籽晶部的边缘与所述阶梯状存放槽的内壁之间存在间隔。3.根据权利要求2所述的用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置，其特征在于，所述阶梯状存放槽的支撑台阶设置为切削斜台。4.根据权利要求1所述的用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置，其特征在于，所述生长空腔的内壁为环形导向内壁。5.根据权利要求4所述的用于碳化硅单晶生长的籽晶搭接装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗浩伟，陈鹏飞，梁刚强，
申请(专利权)人：北京清研半导科技有限公司，
类型：新型
国别省市：