一种单晶生长装置制造方法及图纸

本申请实施例提供单晶生长装置，包括：炉体和位于炉体内部的保温结构；保温结构内部具有密闭的腔体，腔体用于盛放坩埚，沿炉体的高度方向，保温结构包括位于坩埚上方的第一保温层、位于坩埚下方的第二保温层以及环绕坩埚外周的第三保温层；第一保温层包括中心部和围绕中心部外侧的外围部，中心部能够相对于外围部上下运动，以使保温结构密封或者具有一定的开口，外围部靠近坩埚的一端设有第一控温件，第一控温件和中心部之间设有第一加热件，第一加热件与第一控温件和中心部之间均具有预设距离。该单晶生长装置，能够优化单晶生长装置中坩埚内的温度分布，提高晶体生长质量。提高晶体生长质量。提高晶体生长质量。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶生长装置


[0001]本申请涉及晶体制备
，尤其涉及一种单晶生长装置。

技术介绍

[0002]氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)具有高导热率、高击穿电压、饱和电子迁移率高、化学稳定性高等优良的半导体性质；可以制作成在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件，在国防、高科技、工业生产、供电、变电领域有巨大的应用价值，被看作是极具发展前景的第三代宽禁带半导体材料。目前，通常采用物理气相传输法生长氮化铝、碳化硅晶体。采用物理气相传输法生长氮化铝、碳化硅晶体，需要在坩埚内形成适合氮化铝、碳化硅晶体生长的温度分布。坩埚内的温度分布对晶体的质量有着至关重要的影响，相关技术中，单晶生长装置中坩埚内的温度分布仍有不足之处。
[0003]因此，亟需提供一种单晶生长装置，能够优化单晶生长装置中坩埚内的温度分布。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种单晶生长装置，优化单晶生长装置中坩埚内的温度分布，从而提高生长出的晶体的质量。具体技术方案如下：
[0005]本申请实施例提供一种单晶生长装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶生长装置，其特征在于，包括：炉体；保温结构，位于所述炉体内部，所述保温结构内部具有密闭的腔体，所述腔体用于盛放坩埚，沿所述炉体的高度方向，所述保温结构包括位于所述坩埚上方的第一保温层、位于所述坩埚下方的第二保温层以及环绕所述坩埚外周的第三保温层；所述第一保温层包括中心部和围绕所述中心部外侧的外围部，所述中心部能够相对于所述外围部上下运动，以使所述保温结构密封或者具有一定的开口，所述外围部靠近所述坩埚的一端设有第一控温件，所述第一控温件和所述中心部之间设有第一加热件，所述第一加热件与所述第一控温件和所述中心部之间均具有预设距离。2.根据权利要求1所述的单晶生长装置，其特征在于，所述外围部靠近所述坩埚的一端还设有第二控温件，沿朝向所述坩埚的方向，所述第一控温件和所述第二控温件依次设置；所述第一控温件的中心设有第一通孔，所述第二控温件的中心设有第二通孔，所述第一通孔的直径大于所述第二通孔的直径。3.根据权利要求2所述的单晶生长装置，其特征在于，所述第一通孔的直径为70mm
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120mm，所述第二通孔的直径为10mm
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50mm。4.根据权利要求2所述的单晶生长装置，其特征在于，所述第一控温件和所述第二控温件沿所述炉体高度方向的尺寸为20mm
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40mm。5.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：周振翔，倪代秦，魏华阳，李丹，李康，赵小玻，李勇，赵鹏，何敬晖，高崇，袁雷，陈建荣，黄存新，
申请(专利权)人：中材人工晶体研究院山东有限公司，
类型：新型
国别省市：