一种用于碳化硅籽晶粘接的加热装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，包括从下往上依次连接的底座、发热组件和导热组件；发热组件包括设于底座上的发热座、设于发热座中的凹槽、设于凹槽中的发热件、设于凹槽和发热件之间的绝缘件，凹槽向上开口，单位面积中发热件的发热量沿发热座的径向方向从内向外逐渐增加；导热组件包括设于发热座上的用于封盖凹槽的导热座。本实用新型专利技术用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，能够对粘接时的碳化硅籽晶进行均匀加热，以保证碳化硅单晶的顺利生长。晶的顺利生长。晶的顺利生长。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅籽晶粘接的加热装置


[0001]本技术涉及一种用于碳化硅籽晶粘接的加热装置。

技术介绍

[0002]物理气相输运法（PVT法）已成为生长碳化硅单晶的主流工艺方法，此工艺方法的特点是将碳化硅多晶原料装在石墨坩埚底部，将碳化硅籽晶片粘接在石墨籽晶座上，并安装在石墨坩埚上部，通过感应线圈对石墨坩埚进行感应加热，使碳化硅多晶原料升华，从而在碳化硅籽晶上生长碳化硅单晶。
[0003]碳化硅籽晶与石墨籽晶座之间的粘接效果直接影响碳化硅单晶的顺利生长。现有技术中，一般直接通过加热台对粘接时的碳化硅籽晶进行加热，由于加热台的温度均匀性较差，且热量散失较大，不仅能耗较大，还无法保证碳化硅籽晶与石墨籽晶座之间粘接的均匀度，从而影响碳化硅单晶的顺利生长。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，能够对粘接时的碳化硅籽晶进行均匀加热，以保证碳化硅单晶的顺利生长。
[0005]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：
[0006]一种用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，包括从下往上依次连接的底座、发热组件和导热组件；
[0007]所述发热组件包括设于所述底座上的发热座、设于所述发热座中的凹槽、设于所述凹槽中的发热件、设于所述凹槽和所述发热件之间的绝缘件，所述凹槽向上开口，单位面积中所述发热件的发热量沿所述发热座的径向方向从内向外逐渐增加；
[0008]所述导热组件包括设于所述发热座上的用于封盖所述凹槽的导热座。
[0009]优选地，所述凹槽有多条且为同心圆结构。
[0010]更优选地，每条圆形的所述凹槽中分别设有多个间隔均匀排列的所述发热件；
[0011]每条所述凹槽中所述发热件在单位弧度中的发热量由内向外逐渐增加，和/或所述凹槽两两之间的间隔由内向外逐渐减小。
[0012]优选地，所述凹槽仅有一条且为平面螺旋结构。
[0013]更优选地，所述凹槽的每条螺旋中分别设有多个间隔均匀排列的所述发热件；
[0014]每条所述螺旋中所述发热件在单位弧度中的发热量由内向外逐渐增加，和/或所述螺旋两两之间的间隔由内向外逐渐减小。
[0015]优选地，所述导热组件还包括环设于所述导热座外侧周部的第一隔热层。
[0016]优选地，所述加热装置还包括设于所述底座和所述发热座之间的第二隔热层。
[0017]优选地，所述发热组件还包括环设于所述发热座外侧周部的第三隔热层。
[0018]优选地，所述发热件由石墨材料制得。
[0019]优选地，所述底座、所述发热座和所述导热座分别为圆柱形且同轴心线排列。
[0020]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：本技术用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，通过在发热座的凹槽中设置发热件，单位面积中发热件的发热量沿发热座的径向方向从内向外逐渐增加，由于发热座外侧散热相对内侧更为严重，通过这一设置能够修正发热座沿径向方向的温度梯度，保证发热座整体发热的均匀性，使得导热盘能够将温度均匀地传递至粘接时的碳化硅籽晶上，对其均匀加热，以保证碳化硅籽晶与石墨籽晶座粘接的均匀度。
附图说明
[0021]附图1为实施例一加热装置的剖视结构示意图；
[0022]附图2为实施例一中凹槽的结构示意图；
[0023]附图3为实施例二中凹槽的结构示意图；
[0024]附图4为实施例三中凹槽的结构示意图。
[0025]其中：1、底座；2、发热组件；21、发热座；22、凹槽；23、发热件；24、绝缘件；25、第三隔热层；3、导热组件；31、导热座；32、第一隔热层；4、第二隔热层；5、石墨籽晶座；6、粘接剂层；7、碳化硅籽晶。
具体实施方式
[0026]下面结合具体实施例和附图来对本技术的技术方案作进一步的阐述。
[0027]在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本技术实施例的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
[0028]在本技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“内”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术实施例的限制。
[0029]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0030]在本技术实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术实施例中的具体含义。
[0031]在本技术实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下
方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0032]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术实施例的不同结构。为了简化本技术实施例的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术实施例。此外，本技术实施例可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
[0033]参见图1
‑
2所示，实施例一提供一种用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，包括从下往上依次连接的底座1、发热组件2和导热组件3。
[0034]上述发热组件2包括盖设于底座1上的发热座21、设于发热座21中的凹槽22、设于凹槽22中的发热件23、设于凹槽22和发热件23之间的绝缘件24。凹槽22向上开口，单位面积中发热件23的发热量沿发热座21的径向方向从内向外逐渐增加。在本实施例中，底座1和发热座21之间设有第二隔热层4，用于防止发热座21向下散热，降低能耗。
[0035]上述发热件23本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，其特征在于：包括从下往上依次连接的底座、发热组件和导热组件；所述发热组件包括设于所述底座上的发热座、设于所述发热座中的凹槽、设于所述凹槽中的发热件、设于所述凹槽和所述发热件之间的绝缘件，所述凹槽向上开口，单位面积中所述发热件的发热量沿所述发热座的径向方向从内向外逐渐增加；所述导热组件包括设于所述发热座上的用于封盖所述凹槽的导热座。2.根据权利要求1所述的用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，其特征在于：所述凹槽有多条且为同心圆结构。3.根据权利要求2所述的用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，其特征在于：每条圆形的所述凹槽中分别设有多个间隔均匀排列的所述发热件；每条所述凹槽中所述发热件在单位弧度中的发热量由内向外逐渐增加，和/或所述凹槽两两之间的间隔由内向外逐渐减小。4.根据权利要求1所述的用于碳化硅籽晶粘接的加热装置，其特征在于：所述凹槽仅有一条且为平面螺旋结构。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：李留臣，周正星，程绪高，周洁，
申请(专利权)人：江苏星特亮科技有限公司，
类型：新型
国别省市：