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本申请实施例提供单晶生长装置,包括:炉体和位于炉体内部的保温结构;保温结构内部具有密闭的腔体,腔体用于盛放坩埚,沿炉体的高度方向,保温结构包括位于坩埚上方的第一保温层、位于坩埚下方的第二保温层以及环绕坩埚外周的第三保温层;第一保温层包括中心...该专利属于中材人工晶体研究院(山东)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中材人工晶体研究院(山东)有限公司授权不得商用。
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