【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压印设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年3月27日提交的序列号为63/000,964的美国临时申请的权益，该申请的内容通过引用整体并入本文。
技术介绍
[0003]纳米压印技术可使纳米结构的制造经济且有效。纳米压印光刻技术通过具有纳米结构的印模应用抗蚀材料的直接机械变形。抗蚀材料被固化，而印模在原位，以锁定抗蚀材料中的纳米结构的形状。
[0004]纳米压印光刻技术已被用于制造可用于各种应用的图案化基材。一些图案化基材包括流体通道和离散的井孔或凹陷部。这些图案化基材可被构建成流动池。在一些流动池中，活性表面化学被引入离散的凹陷部中，而围绕离散的凹陷部的间隙区域保持惰性。这些流动池可能对各种分子(例如脱氧核糖核酸(DNA))、分子家族、基因表达水平或单核苷酸多态性的检测和评估特别有用。
[0005]引言
[0006]在第一方面，一种压印设备包括硅母版(silicon master)，所述硅母版包括以小于约425nm的平均间距设置的多个特征，所述多个特征中的每一个都包括具有开口的凹陷...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压印设备，其包括：硅母版，所述硅母版包括以小于约425nm的平均间距设置的多个特征，所述多个特征中的每一个都包括具有开口的凹陷部，其中其最大的开口尺寸小于约300nm；和涂覆硅母版表面的防粘层，所述防粘层包含交联的硅烷聚合物网络。2.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述多个特征的总数的少于约0.15％具有膜缺陷。3.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述防粘层是用配方产生的，所述配方包含：第一硅烷单体：和基于所述配方中存在的硅烷总量，少于约1.4重量％的包含可水解氯化物基团的第二硅烷单体。4.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述防粘层涂覆每个所述凹陷部的壁，而不覆盖所述开口或不完全填充所述凹陷部。5.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述多个特征中的每一个的最大开口尺寸范围为约170nm至约290nm。6.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述多个特征中的每一个的最大开口尺寸范围为约200nm至约250nm。7.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述平均间距范围为约340nm至约410nm。8.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述平均间距范围为约350nm至约400nm。9.一种方法，其包括：在硅母版的表面上施加配方，所述硅母版包括以小于约425nm的平均间距设置的多个特征，所述多个特征中的每一个的最大开口尺寸都小于约300nm，所述配方包含：第一硅烷单体：
和基于所述配方中存在的硅烷总量，少于约1.4重量％的包含可水解氯化物基团的第二硅烷单体；和固化所施加的配方，从而形成防粘层。10.如权利要求9所限定的方法，其中，所述第二硅烷单体是：11.如权利要求10所限定的方法，其中，所述配方包含约0.28重量％至约1.1重量％的第二硅烷单体。12.如权利要求9所限定的方法，其中，所述配方进一步包含：i)包含所述第一硅烷单体的两个键合单元的二聚体；ii)包含所述第一硅烷单体的三个键合单元的三聚体；iii)包含所述第一硅烷单体的多于三个键合单元的高分子物质；iv)具有至少一个水解的乙氧基的第一硅烷单体；或v)i)、ii)、iii)和iv)的任意组合。13.如权利要求9所限定方法，其中，固化包括：培育过...
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