一种D-T中子成像方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及一种D

【技术实现步骤摘要】
一种D
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T中子成像方法及系统


[0001]本专利技术涉及核探测技术及中子应用
，特别是涉及一种D
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T中子成像方法及系统。

技术介绍

[0002]由于快中子穿透能力较强，使得快中子照相可对大尺寸部件、高密度对象进行内部结构成像，达到内部结构无损检测的目的。因中子对轻元素敏感，可识别高Z材料中包裹的低Z材料，因此，中子成像可以弥补X射线和γ射线照相在该方面应用的不足，进而在功能上相互补充，具有不可替代的重要地位，在很多重要领域有着极为广泛的应用。
[0003]针对快中子照相技术，目前主要分为两个方向：一种是对高通量快中子源（D
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D/T/Be，反应堆裂变中子等）进行屏蔽准直后，结合后端高分辨快中子转换屏和CCD数字相机，通过光信号积分的方式建立快中子照相系统。另一种则是基于D
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T中子源，通过对D
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T核反应伴随中子产生的α粒子的探测，利用α粒子与出射中子在质心系下方向相反的特点，对出射中子进行时间与方向的双重标记，实现出射中子的自准直。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种D
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T中子成像方法，其特征在于，包括：利用带有α探测器的D
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T中子源中D
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T中子出射过程中产生的α粒子的时间和位置，确定D
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T中子的出射时间和出射方向；利用中子成像探测阵列获取探测的中子的探测时间和探测方位；根据D
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T中子的出射时间和出射方向以及探测时间和探测方位在探测到的中子筛选出透射中子；根据透射中子对应的α探测器的位置、中子成像探测阵列的位置结合氚靶在空间的位置，确定D
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T核反应发生在氚靶上的位置，进而重建整个D
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T源区的位置及分布；对D
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T源区按重建位置分辨大小进行子源区细分，获得每一个子源区对应的透射曲线；对每个子源区对应的透射曲线进行图像重建。2.根据权利要求1所述的一种D
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T中子成像方法，其特征在于，所述中子成像探测阵列包括：多个快中子探测器。3.根据权利要求1所述的一种D
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T中子成像方法，其特征在于，所述α粒子和中子利用数据采集系统进行采集。4.根据权利要求3所述的一种D
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T中子成像方法，其特征在于，所述数据采集系统为V1730数据采集卡。5.根据权利要求1所述的一种D
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T中子成像方法，其特征在于，所述根据D
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T中子的出射时间和出射方向以及探测时间和探测方位在探测到的中子筛选出透射中子，具体包括：将D
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T中子与探测到的中子的初始运动方向一致并且符合14MeV中子对应的飞行时间的探测到的中子确定为透射中子；将透射中子对应的α探测器的位置、中...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞成果，苏明，高凡，白怀勇，赵德山，夏斌元，熊忠华，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院材料研究所，
类型：发明
国别省市：