发光元件以及发光元件的制造方法技术

提供一种可靠性高的发光元件。发光元件包括阳极、与所述阳极相对的阴极、设置在所述阳极和所述阴极之间且包含荧光体的发光层、设置在所述阳极和所述发光层之间且包含金属氧化物和所述金属氢氧化物的至少一种的至少一个中间层。中间层。中间层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件以及发光元件的制造方法


[0001]本专利技术涉及发光元件及发光元件的制造方法。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1中公开了一种发光元件，其依次具有阳极、空穴输送层、含有量子点的发光层、电子输送层以及阴极，空穴输送层的空穴迁移率小于电子输送层的电子迁移率，空穴输送层具有电子阻挡功能。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：特开2009
‑
088276号公报

技术实现思路

专利技术要解决的问题
[0004]然而，在专利文献1所记载的发光元件中，并没有抑制电子向空穴输送层的迁移，空穴输送层有可能因电子而劣化。本公开的主要目的在于，提供例如抑制空穴输送层等功能层的劣化、可靠性高的发光元件。解决问题的手段
[0005]本专利技术的一方式的发光元件具备:阳极；阴极，其与所述阳极相对；发光层，其设于所述阳极与所述阴极之间，包含荧光体；至少一个中间层，其设置在所述阳极和所述发光层之间，并包含金属的氧化物和所述金属的氢氧化物中的至少一种。
附图说明
[0006]图1是实施方式涉及的发光元件的层叠结构的一个示例的图。图2是实施方式涉及的发光元件的制造流程的一个示例的图。图3是发光元件的层叠结构的另一示例的图。图4是与实施例和比较例的结果等相关的表。
具体实施方式
[0007]以下，对本公开的实施的一个方式进行说明。
[0008]图1是示意性示出本实施方式所涉及的发光元件100的层叠结构的一个示例的图。
[0009]如图1所示，发光元件100例如具有基板1、阳极2、空穴注入层3、空穴输送层4、中间层5、金属层9、发光层6、电子输送层7以及阴极8。而且，发光元件100例如具有在基板1上依次层叠有阳极2、空穴注入层3、空穴输送层4、中间层5、发光层6、电子输送层7、阴极8的结构。
[0010]基板1例如由玻璃等构成，作为支撑上述各层的支撑体而起作用。基板1例如可以是形成薄膜晶体管(TFT)等的阵列基板。
[0011]阳极2向发光层6供给空穴。另外，阳极2以与阴极8对置的方式设置。
[0012]阴极8向发光层6供给电子。
[0013]阳极2及阴极8中的任一个由透光性材料构成。此外，阳极2及阴极8中的任一个也可以由光反射性材料形成。在将发光元件100作为顶部发光型的发光元件的情况下，例如，以透光性材料形成作为上层的阴极8，以光反射性材料形成作为下层的阳极2。另外，在将发光元件100作为底部发光型的发光元件的情况下，例如，以光反射性材料形成作为上层的阴极8，以透光性材料形成作为下层的阳极2。而且，通过使阳极2及阴极8中的任一个成为光透过性材料与光反射性材料的层叠体，可以作为具有光反射性的电极。
[0014]作为透光性材料，例如可以使用透明的导电性材料。作为透光性材料，具体而言，例如可以使用ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、SnO2(氧化锡)、AZO(铝锌氧化物)、FTO(氟掺杂氧化锡)等。这些材料由于可见光的透过率高，因而提高了发光元件100的发光效率。
[0015]作为光反射性材料，例如可以使用金属材料。作为光反射性材料，具体而言，例如可以使用Al(铝)、Ag(银)、Cu(铜)、Au(金)等。这些材料由于可见光的反射率高，因而发光效率提高。此外，作为阴极材料，适合具有电子输送层的费米能级或接近LUMO的功函数的材料，使用Ag、Mg等金属或IZO等ZnO系化合物。在从阴极侧提取光的情况下，为了抑制阴极的光吸收而提高外部量子效率，优选阴极薄至50nm左右以下。
[0016]发光层6例如包含荧光体等发光材料。而且，发光层6通过从阳极2输送的空穴和从阴极8输送的电子的复合而发光。
[0017]作为发光材料，例如可列举量子点。量子点例如是具有100nm以下的粒子尺寸的半导体微粒，可以具有MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe等II
‑
VI族半导体化合物和/或GaAs、GaP、InN、In
‑
As、InP、InSb等III
‑
V族半导体化合物的结晶和/或Si、Ge等IV族半导体化合物的结晶。另外，量子点例如也可以具有以上述半导体晶体为核、用带隙较宽的壳材料对该核进行了外涂层的核/壳结构。更具体而言，作为半导体微粒，能够使用具有核由CdSe、CdSeTe等II
‑
VI族化合物、InP、InN等III
‑
V族化合物或钙钛矿构成、壳由ZnS、GaN构成的核/壳结构的微粒。另外，为了使半导体微粒在溶剂中分散和表面缺陷的钝化，优选用乙醇胺、油酸等一般的配体进行了表面修饰。作为溶剂，使用辛烷，十六烷基胺等有机溶剂。该溶剂能够作为含有半导体微粒的涂布液的分散介质使用。
[0018]另外，发光层6例如包括高极性液体。通过该高极性液体，能够提高发光层6中的电子、空穴等的载流子输送性。作为高极性液体，例如可以列举碳酸酯类溶剂、乙氧基类溶剂、硫醇
‑
羧基类溶剂、硫醇
‑
胺类溶剂、羧基
‑
胺类溶剂、酮类溶剂、腈类溶剂、内酯类溶剂等。而且，高极性液体的具体例可举出选自碳酸亚丙酯、碳酸亚乙酯、1，2
‑
二甲氧基乙烷、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、巯基丙酸、半胺及巯基乙酸中的至少一种。另外，在作为发光材料具有在表面配位的具有极性的配体的情况下，巯基丙酸、半胺、巯基乙酸等优选作为高极性液体。其中，作为高极性液体，碳酸亚乙酯是适合的。
[0019]发光层6例如能够通过涂布法等以往公知的各种方法来形成。在本实施方式中，特别优选涂布包含发光材料和溶剂的涂布液而形成发光层6的涂布法。通过使用上述高极性液体作为形成发光层6时的溶剂，能够使发光层6容易地含有高极性液体。作为发光层6的厚
度，例如优选为40nm左右。
[0020]空穴输送层4将来自阳极2的空穴输送到发光层6。空穴输送层4设置在阳极2与发光层6之间。空穴输送层4包含空穴输送性材料。
[0021]作为空穴输送性材料，例如可以举出含有选自含有Zn、Cr、Ni、Ti、Nb、Al、Si、Mg、Ta、Hf、Zr、Y、La、Sr中任一种以上的氧化物、氮化物或碳化物中的一种以上的材料，或4，4
’
，4
”‑
三(9
‑
咔唑基)三苯胺(TCTA)、4，4
’‑
双[N
‑
(1
‑
萘基)
‑
N
‑
苯基
‑
氨基]‑
联苯(NPB)、锌酞菁(ZnPC)、二[4
‑
(N，N
‑
二甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、4，4
’‑
双(咔唑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，其特征在于，具备：阳极；阴极，其与所述阳极相对；发光层，其设于所述阳极与所述阴极之间，且包含荧光体；以及至少一个中间层，其设置在所述阳极和所述发光层之间，并包含金属的氧化物和所述金属的氢氧化物中的至少一种。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述至少一个中间层包含所述金属的氢氧化物。3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述至少一个中间层包含所述金属的氧化物。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述金属为从Mg、Al、Zn、Fe、Ni、Sn、Cu和Cr中选择的至少一种。5.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，所述金属为Ni。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述至少一个中间层的厚度为1nm以上且5nm以下。7.根据权利要求1至6中任一项导发光元件，其特征在于，还具有与所述至少一个中间层的所述阳极侧相邻的金属层，所述金属层由从Mg、Al、Zn、Fe、Ni、Sn、Cu和Cr中选择的至少一种构成。8.根据权利要求7所述的发光元件，其特征在于，所述金属层的厚度为5nm以下。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：上田吉裕，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：