防漏散热的改良结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种防漏散热的改良结构，包括第一背胶层、绝缘贴片、固定层、高导热系数材料层与散热器。第一背胶层中间区域为第一开口，第一背胶层贴合于芯片本体上且热源穿透于第一开口。绝缘贴片中间区域为第二孔洞开口，绝缘贴片贴合于第一背胶层之上且热源穿透于孔洞开口。固定层中间区域为第二孔洞开口，固定层贴合于绝缘贴片之上，固定层的内部两侧各具有一第一凹槽空间。高导热系数材料层设置于第二孔洞开口之内且其下表面的中间区域贴合，高导热系数材料层的上表面与固定层的上表面平行。散热器的部分贴合于该第二背胶层，且其底部具有复数个储存凹槽。底部具有复数个储存凹槽。底部具有复数个储存凹槽。

【技术实现步骤摘要】
防漏散热的改良结构


[0001]本技术涉及一种散热结构，尤其涉及一种防漏散热的改良结构。

技术介绍

[0002]目前常见的各式电子组件均朝向微型化方向研发设计，然而各式电子组件因缩小化及效能大幅提升等诸多因素，也伴随着容易于实际运作过程中产生高热，影响整体运作效能。因此，必须利用现有微均温板进行散热。
[0003]现有电子装置的散热结构由散热片设置于电子组件上，再利用风扇单元导引气流至机壳外部。但由于机壳内部的各组件排列紧密，发热源散发的热量无法有效地往外排出，造成机壳内部产生温升效应，加上热量不断累积的恶性循环下，若机壳内部的温度无法保持在正常范围，会影响整个电子装置运作的可靠度及使用寿命，且会造成漏电的问题与超频时温度过高的问题。此外，为提高较好的散热效率,需使用较高导热系数的高导热系数材料层，但高导热系数材料层相变时外溢会导致主板短路问题，且热源发热位置不均匀也会造成的散热不稳定现象。
[0004]此外，在逐步进入后摩尔定律时代后，晶圆代工大厂的发展重心，也逐渐从过去追求更先进纳米制程，转向封装技术的创新。由于高度性能计算(high
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performance computing,HPC)芯片的需求正在急遽增加，因此，数据中心和云端计算基础架构变得至关重要，尤其是可支持新的高性能技术的AI和5G设备。但这些设备面临的挑战是，该设备及其多核心架构的高效能，将会附带有高宽带密度和低延迟的问题。而异质整合成为HPC芯片需求飙升的因素，并为 3DIC封装技术打开崭新的一页。硅通孔技术(TSV)实现Die与Die间的垂直互连，通过在Si上打通孔进行芯片间的互连，无需引线键合，有效缩短互联机长度，减少信号传输延迟和损失，提高信号速度和带宽，降低功耗和封装体积，是实现多功能、高性能、高可靠性且更轻、更薄、更小的芯片系统级封装。由于3D TSV封装工艺在设计、量产、测试及供应链等方面还不成熟，且工艺成本较高，且3D TSV封装技术的内部封装的问题会使高导热材料层产生泵出(Pumpout)现象，进而影响芯片的整体效能。
[0005]因此，如何解决上述现有技术的问题与缺失，即为相关业者所亟欲研发的课题所在。

技术实现思路

[0006]本技术的目的是在于解决高导热接口材料(Thermal Interface Material) 因为无黏性或低黏度,容易发生溢流或泵出(pump out)的现象发生，而提出一种防漏散热的改良结构，能够防漏且散热。
[0007]本技术提供一种防漏散热的改良结构，用于对一芯片本体上的一热源进行散热，防漏散热的改良结构包括第一背胶层、绝缘贴片、固定层与高导热系数材料层。第一背胶层，其中间区域为一第一开口，第一背胶层贴合于芯片本体上且热源穿透于第一开口。绝缘贴片，其中间区域为一第二孔洞开口，绝缘贴片贴合于第一背胶层之上且热源穿透于第
一孔洞开口。固定层，其中间区域为第二孔洞开口，固定层贴合于绝缘贴片之上且热源位于第二孔洞开口之内，其中该固定层的内部两侧各具有一第一凹槽空间。高导热系数材料层，其设置于第二孔洞开口之内且高导热系数材料层的下表面的中间区域贴合且覆盖至热源的上方，其中高导热系数材料层的上表面与固定层的上表面平行。散热器的部分贴合于一第二背胶层且其底部的部分下表面接触于该高导热系数材料层的上表面，其中散热器的底部具有复数个储存凹槽，且储存凹槽的深度为 0.001～0.15毫米。
[0008]在本技术的一实施例中，防漏散热的改良结构，该第二背胶层的中间区域为一第二开口，该第二背胶层贴合于该固定层之上且该高导热系数材料层的上表面贴合于该第二开口的上表面。
[0009]在本技术的一实施例中，该复数个储存凹槽的每一个的外形为方形。
[0010]在本技术的一实施例中，该复数个储存凹槽的每一个的外形为圆形。
[0011]在本技术的一实施例中，该复数个储存凹槽的每一个的外形为六边形。
[0012]在本技术的一实施例中，防漏散热的改良结构，更包括一散热器，散热器的部分贴合于第二背胶层且其部分下表面接触于高导热系数材料层的上表面。
[0013]在本技术的一实施例中，固定层为一耐高温泡棉或一绝缘胶片。
[0014]在本技术的一实施例中，防漏散热的改良结构更包括第三背胶层，其外形与开口同第二背胶层，其中第三背胶层设置于绝缘贴片与固定层之间。
[0015]在本技术的一实施例中，第一凹槽空间的外边界形状为矩形、三角形或弧形。
[0016]在本技术的一实施例中，固定层的内部的另外两侧各具有一第二凹槽空间，该第二凹槽空间的外边界形状为矩形。
[0017]在本技术的一实施例中，透过阶梯式棋盘布局形成纵横交错的该复数个储存凹槽。
[0018]综上所述，本技术实施例所揭露的防漏散热的改良结构能够具有以下功效：
[0019]1、降低因为零件电路导电而造成高导热系数材料层组装时的漏电风险；
[0020]2、解决3D TSV封装技术的内部封装会使高导热材料产生泵出(Pump out) 的问题；
[0021]3、解决高功率芯片在运作时降频的问题；
[0022]4、解决超频时温度过高的问题；以及
[0023]5、解决重复性测试时散热不稳定的问题。
[0024]以下借由具体实施例及附图详加说明，以便更容易了解本技术的目的、
技术实现思路
、特点及其所达成的功效。
附图说明
[0025]图1为本技术的防漏散热的改良结构的立体示意图。
[0026]图2A为本技术的防漏散热的改良结构的立体分解示意图。
[0027]图2B为本技术的防漏散热的改良结构的另一实施例立体分解示意图。
[0028]图3A为本技术的防漏散热的改良结构的剖面图。
[0029]图3B为本技术的防漏散热的改良结构的另一实施例剖面图。
[0030]图4A为本技术的具有六边形储存凹槽的散热器的示意图。
[0031]图4B为本技术的具有圆形储存凹槽的散热器的示意图。
[0032]图4C为本技术的具有阶梯状储存凹槽的散热器的示意图。
[0033]图5为本技术的防漏散热的改良结构的上视图。
[0034]图6为本技术的防漏散热的改良结构的固定层上视图。
[0035]图7为本技术的防漏散热的改良结构的固定层另一实施例上视图。
[0036]图8为本技术的防漏散热的改良结构的固定层再一实施例上视图。
[0037]附图标号说明：100
‑
防漏散热的改良结构；110
‑
芯片本体；120
‑
热源；130
‑ꢀ
第一背胶层；140
‑
绝缘贴片；150
‑
固定层；155
‑
第一凹槽空间；156
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防漏散热的改良结构，用于对一芯片本体上的一热源进行散热，其特征在于，包括：一第一背胶层，其中间区域为一第一开口，该第一背胶层贴合于该芯片本体上且该热源穿透于该第一开口；一绝缘贴片，其中间区域为一第一孔洞开口，该绝缘贴片贴合于该第一背胶层之上且该热源穿透于该第一孔洞开口；一固定层，其中间区域为一第二孔洞开口，该固定层贴合于该绝缘贴片之上且该热源位于该第二孔洞开口之内，其中该固定层的内部两侧各具有一第一凹槽空间；一高导热系数材料层，其设置于该第二孔洞开口之内且该高导热系数材料层的下表面的中间区域贴合且覆盖至该热源的上方，其中该高导热系数材料层的上表面与该固定层的上表面平行；以及一散热器，散热器的部分贴合于一第二背胶层且其底部的部分下表面接触于该高导热系数材料层的上表面，其中该散热器的底部具有复数个储存凹槽，且储存凹槽的深度为0.001～0.15毫米。2.如权利要求1所述的防漏散热的改良结构，其特征在于：该第二背胶层的中间区域为一第二开口，该第二背胶层贴合于该固定层之上且该高导热系数材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈正雄，
申请(专利权)人：颀权股份有限公司，
类型：新型
国别省市：