低介电损耗的积层膜、其制备方法及电路基板结构技术

本发明专利技术公开了一种低介电损耗的积层膜、其制备方法及电路基板结构，该积层膜的原料包括包括5

【技术实现步骤摘要】
低介电损耗的积层膜、其制备方法及电路基板结构


[0001]本申请涉及集成电路封装
，具体涉及一种低介电损耗的积层膜、其制备方法及电路基板结构。

技术介绍

[0002]高频信号会导致严重的传输损耗，传输损耗是5G应用中天线设计和射频（RF）集成电路（IC）的痛点。随着未来5G毫米波的兴起，低损耗材料在5G应用领域发挥起重要的作用。低损耗材料不仅可用作基板或PCB板，还可用于先进封装，例如封装天线（Antenna in Package，AiP）。随着频率向毫米波方向发展，天线元件的尺寸将不断减小，减小至可将天线阵列置于封装壳内。这种集成方式有助于缩短射频路径，最大限度降低传输损耗，但同时需要采用低损耗材料作为基板。 所以研发低介电损耗积层膜材料是顺应目前市场需求的。

技术实现思路

[0003]本申请的目的是提供一种低介电损耗的积层膜、其制备方法及电路基板结构，该积层膜同时具备低介电损耗和高拉伸强度。
[0004]为达到上述目的，本申请实施例一方面提供一种低介电损耗的积层膜，其原料包括包括5
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10质量份茚低聚物单官能团苯并噁嗪，40
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65质量份芳香基聚合多马来酰亚胺，30
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50质量份烯丙基苯并噁嗪，0.1
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3质量份引发剂，250
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400质量份无机填料，0.1
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5质量份硅烷偶联剂；所述茚低聚物单官能团苯并噁嗪的化学结构式为，其中，R为，n和m均为整数，1≤n≤10，1≤m≤6。
[0005]在一些具体实施方式中，积层膜的原料优选包括8
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10质量份茚低聚物单官能团苯并噁嗪，40
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50质量份芳香基聚合多马来酰亚胺，42
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50质量份烯丙基苯并噁嗪，0.1
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3质量份引发剂，300
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400质量份无机填料，0.1
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5质量份硅烷偶联剂。
[0006]在一些具体实施方式中，茚低聚物单官能团苯并噁嗪采用如下方法制备：按（1
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1.2）：（1
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1.4）：（2
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2.4） 的摩尔比取苯胺单体、茚低聚物苯酚和多聚甲醛加入反应容器，同时加入有机反应溶剂；在80
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150℃温度下保持搅拌4
‑
15h进行曼尼奇反应，得茚低聚物单官能团苯并噁嗪。
[0007]在一些具体实施方式中，引发剂选择双叔丁基过氧化异丙基苯。
[0008]在一些具体实施方式中，无机填料选择二氧化硅。
[0009]在一些具体实施方式中，硅烷偶联剂选择3
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缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷。
[0010]本申请实施例另一方面提供一种低介电损耗的积层膜的制备方法，如下：取5
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10质量份茚低聚物单官能团苯并噁嗪和40
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65质量份芳香基聚合多马来酰亚胺混合得预聚物，于110℃
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150℃温度下搅拌预聚物；待预聚物体系澄清，降至室温，加入30
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50质量烯丙基苯并噁嗪、0.1
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3质量份引发剂、250
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400质量份无机填料、0.1
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5质量份硅烷偶联剂和无机溶剂，经搅拌得混合浆料；利用涂膜机将混合浆料涂覆于基膜上，经烘干，即在基膜上得到积层膜。
[0011]上述制备方法的优选方案为：取8
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10质量份茚低聚物单官能团苯并噁嗪和40
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50质量份芳香基聚合多马来酰亚胺混合得预聚物，于110℃
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150℃温度下搅拌预聚物；待预聚物体系澄清，降至室温，加入42
‑
50质量烯丙基苯并噁嗪、0.1
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3质量份引发剂、300
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400质量份无机填料、0.1
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5质量份硅烷偶联剂和无机溶剂，经搅拌得混合浆料；利用涂膜机将混合浆料涂覆于基膜上，经烘干，即在基膜上得到积层膜。
[0012]本申请实施例再一方面提供一种电路基板结构，其包括中心基板层和积层膜；所述积层膜通过如下方法获得：将上述制备方法所制备的积层膜覆盖于所述中心基板层的上和/或下表面，之后依次经热压、热固化。
[0013]覆盖了低介电损耗积层膜的电路基板，其同样具有低损耗特性，采用该电路基板制作集成电路，并应用于5G领域，可最大限度降低传输损耗。
[0014]本申请具有如下优点和有益效果：本申请积层膜兼具低介电损耗和高拉伸强度，低介电损耗使其可应用于5G领域，例如可将本申请积层膜用于封装集成电路基板，有利于最大限度降低传输损耗。
具体实施方式
[0015]为了使本申请的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。
[0016]本申请实施例提供的一种低介电损耗的积层膜，其原料包括包括5
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10质量份茚低聚物单官能团苯并噁嗪，40
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65质量份芳香基聚合多马来酰亚胺，30
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50质量份烯丙基苯并噁嗪，0.1
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3质量份引发剂，250
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400质量份无机填料，0.1
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5质量份硅烷偶联剂。
[0017]本申请实施例中茚低聚物单官能团苯并噁嗪的化学结构式如下：
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
（Ⅰ）
其中，R为，n和m均为整数，1≤n≤10，1≤m≤6。
[0018]本申请实施例中茚低聚物单官能团苯并噁嗪采用如下方法制备：按（1
‑
1.2）：（1
‑
1.4）：（2
‑
2.4） 摩尔比取苯胺单体、茚低聚物苯酚和多聚甲醛加入反应容器，同时加入有机反应溶剂；在80
‑
150℃温度下保持搅拌4
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15h进行Mannich反应(曼尼奇反应)，得茚低聚物单官能团苯并噁嗪。
[0019]本申请实施例中茚低聚物苯酚的化学结构式如下：
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
（Ⅱ）其中，n和m均为整数，1≤n≤10，1≤m≤6。
[0020]本申请实施例中，引发剂在热作用下能分解活性自由基，用来引发生成交联的大分子聚合物。引发剂选择常规引发剂，例如有机过氧化物，优选双叔丁基过氧化异丙基苯。引发剂用量按常规用量，一般用量0.1
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3质量份份，本申请实施例中优选0.2质量份。
[0021]本申请实施例中，无机填料选择常规无机填料，例如二氧化硅、二氧化钛、硅酸钙、氮化硼等，优选二氧化硅。无机填料用量按常规用量，本申请实施例中优选250
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400质量份，进一步优选250
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300质量份、300
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400质量份。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介电损耗的积层膜，其特征是：其原料包括包括5
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10质量份茚低聚物单官能团苯并噁嗪，40
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65质量份芳香基聚合多马来酰亚胺，30
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50质量份烯丙基苯并噁嗪，0.1
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3质量份引发剂，250
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400质量份无机填料，0.1
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5质量份硅烷偶联剂；所述茚低聚物单官能团苯并噁嗪的化学结构式为，其中，R为，n和m均为整数，1≤n≤10，1≤m≤6。2.如权利要求1所述的一种低介电损耗的积层膜，其特征是：其原料包括包括8
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10质量份茚低聚物单官能团苯并噁嗪，40
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50质量份芳香基聚合多马来酰亚胺，42
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50质量份烯丙基苯并噁嗪，0.1
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3质量份引发剂，300
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400质量份无机填料，0.1
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5质量份硅烷偶联剂；所述茚低聚物单官能团苯并噁嗪的化学结构式为，其中，R为，n和m均为整数，1≤n≤10，1≤m≤6。3.如权利要求1所述的一种低介电损耗的积层膜，其特征是：所述茚低聚物单官能团苯并噁嗪采用如下方法制备：按（1
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1.2）：（1
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1.4）：（2
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2.4） 的摩尔比取苯胺单体、茚低聚物苯酚和多聚甲醛加入反应容器，同时加入有机反应溶剂；在80
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150℃温度下保持搅拌4
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15h进行曼尼奇反应，得茚低聚物单官能团苯并噁嗪。4.如权利要求3所述的一种低介电损耗的积层膜，其特征是：所述茚低聚物苯酚的化学式为，其中，n和m均为整数，1≤n≤
10，1≤m≤6。5.如权利要求1所述的一种低介电损耗的积层膜，其特征是：所述引发剂为双叔丁基过氧化异丙基苯。6.如权利要求1所述的一种低介电损耗的积层膜，其特征是：所述无机填料为二氧化硅。7.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍得，王义，廖述杭，苏峻兴，
申请(专利权)人：武汉市三选科技有限公司，
类型：发明
国别省市：