一种高速直调两段式分布反馈半导体激光器芯片制造技术

一种高速直调两段式分布反馈（DFB）半导体激光器芯片，由传统的DFB激光器和光栅反射器组成，两段共享同一外延层和波导结构，由电隔离隔开，通过独立电极分别注入电流。该设计结合了失谐加载效应、光子

【技术实现步骤摘要】
一种高速直调两段式分布反馈半导体激光器芯片


[0001]本专利技术属于光电子
，具体涉及一种高速直调两段式分布反馈(DFB)半导体激光器芯片。

技术介绍

[0002]半导体激光器是构成当今信息通信系统的重要元器件。在光通信系统中，通过对半导体激光器进行调制，从而实现信息的传输。对激光器进行调制有两种方案：一种是通过在半导体激光器的外部设置调制器来发送信号的外调制；另一种则是通过调制注入激光器有源区域的电流，从而对输出光信号进行调制的直接调制。由于直接调制激光器与外调制激光器相比具有体积小、功耗低、制造成本低等优势，因此广泛应用于短距离传输或数据中心等需要很多信息通信系统的地方。然而，直调激光器的调制带宽远落后于外调制激光器，因此提高直调激光器的带宽使其可应用于更高速率的数据传输，有很大的应用市场。
[0003]众多科研机构研究多种物理效应以提高直调激光器的调制带宽，如失谐加载效应、光子
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光子谐振(PPR)效应和腔内频率调制
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幅度调制转换效应。失谐加载效应最早由KerryVahala等人提出，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高速直调两段式分布反馈半导体激光器芯片，其特征在于：所述芯片包括分布反馈DFB激光器、光栅反射器、电隔离、独立电极、高反膜和抗反膜；DFB激光器，通过注入的电流提供激光输出；光栅反射器，通过改变注入的电流进行调谐，以满足失谐加载效应、PPR效应以及腔内频率调制
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幅度调制转换效应产生的条件，提高直调带宽；电隔离，位于DFB激光器和光栅反射器之间，实现两段之间的电隔离；独立电极包括分别连接DFB激光器和光栅反射器的两部分，通过两部分的独立电极分别向DFB激光器和光栅反射器注入电流；高反膜，镀在DFB激光器的端面即入光面，增强光反馈，使得激光通过光栅反射器后出射，反射率大于90%；抗反膜，镀在光栅反射器的端面即出光面，减小光反射，激光从抗反射膜端输出，反射率小于5%；DFB激光器与光栅反射器中的采样光栅基于重构
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等效啁啾技术，实现两段采样光栅之间的等效失谐，通过控制两部分采样光栅的结构，使两部分光栅的光栅强度小于100 cm
‑1。2.根据权利要求1所述的一种高速直调两段式分布反馈半导体激光器芯片，其特征在于：DFB激光器的长度不大于500微米，光栅反射器的长度不大于600微米。3.根据权利要求1所述的一种高速直调两段式分布反馈半导体激光器芯片，其特征在于：电隔离的长度在1...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐逸帆，张云山，顾鸿鸣，李连艳，郭燕婷，邹辉，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：