多波长分布式反馈激光器制造技术

本公开涉及多波长分布式反馈激光器。在一个实施例中，分布式反馈激光器包括具有波导的激光器，该波导具有从第一端到第二端的可变宽度，该激光器用于产生多个激光波长的光能。描述和要求保护了其他实施例。述和要求保护了其他实施例。述和要求保护了其他实施例。

【技术实现步骤摘要】
多波长分布式反馈激光器


[0001]本公开涉及多波长分布式反馈激光器。

技术介绍

[0002]在光通信领域，最近已经展示了使用硅光子学进行通信的速度超过每信道100吉比特每秒(Gbps)。然而，随着对数据速率的需求的增加，这个水平可能还不够。事实上，硅光子学正在进入板载光学的新阶段。使用密集波分复用(DWDM)可以部分实现对提高的数据速率的需求。在这种情况下，给定的波长/信道仍可承载100Gbps，但是总数据速率可能要高得多(这取决于系统中使用的波长数量)。然而，制造方面(包括尺寸、功率等)存在问题。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一方面，提供了一种用于生成光能的装置，包括：激光器，所述激光器包括波导，所述波导具有从第一端到第二端的可变宽度，所述激光器用于产生多个激光波长的光能。
[0004]根据本公开的另一方面，提供了一种装置，包括：激光装置，所述激光装置包括：波导装置，所述波导装置具有从第一端到第二端的可变宽度，所述激光装置用于产生多个激光波长的光能。
附图说明
[0005]图1是根据一实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于生成光能的装置，包括：激光器，所述激光器包括波导，所述波导具有从第一端到第二端的可变宽度，所述激光器用于产生多个激光波长的光能。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述波导包括光栅图案，所述光栅图案包括多个相移位置，所述多个相移位置中的每一个对应于一激光波长。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述光栅图案包括恒定的光栅栅距。4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述可变宽度使所述波导具有可变的有效折射率以实现所述多个激光波长。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述可变宽度包括从所述第一端到所述第二端的线性渐缩宽度。6.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的装置，还包括与所述波导的第一侧相邻的多个电极，其中所述多个电极中的每一个将被独立控制。7.根据权利要求6所述的装置，还包括控制电路，其中，所述控制电路使所述独立电压被提供给所述多个电极中的每一个。8.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的装置，其中，所述波导包括：第一部分，所述第一部分具有第一光栅反射器和第二光栅反射器，其中，所述第一光栅反射器具有第一中心波长，并且所述第二光栅反射器具有第二中心波长，所述第二中心波长不同于所述第一中心波长；以及第二部分，所述第二部分具有所述第二光栅反射器和第三光栅反射器，其中，所述第三光栅反射器具有第三中心波长，所述第三中心波长不同于所述第二中心波长。9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述第一光栅反射器与所述第二光栅反射器的至少一部分重叠。10.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的装置，还包括：多个调制器，所述多个调制器中的每一个调制器用数据调制所述多个激光波长中的一个；以及半导体光放大器，所述半导体光放大器耦合到所述多个调制器以放大经调制的多个激光波长。11.根据权利要求1所述装置，其中所述装置包括一种系统，所述系统包括：第一集成电路，所述第一集成电路包括至少一个处理器；第二集成电路；以及硅光子集成电路，用于耦合所述第一集成电路和所述第二集成电路，所述硅光子集成电路具有所述激光器，所述激光器包...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰吉特，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：