【技术实现步骤摘要】
一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的装置及方法
[0001]本专利技术属于超高纯金属制备
，具体涉及一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的装置及方法。
技术介绍
[0002]金属铟具有低电阻、优异的光渗透性和导电性，广泛应用于光电、能源、航空航天等领域中，是氧化铟锡靶材、半导体、有机化合物等的重要组成元素。随着信息技术的发展，未来5G、6G、无人驾驶等技术对金属铟的纯度提出更高的要求，所需纯度达到7N以上，因此，急需开展超高纯铟的制备技术。
[0003]目前，主要采用真空蒸馏、电解精炼、区域熔炼、单晶提拉等方法提纯金属铟。例如，公开号为CN112795796A的专利，提供了一种利用中频炉提纯粗铟的方法，有效去除了粗铟中Cd、Ti、Pb等杂质元素，但是，通过这种方法仅能获得5N以下纯度的铟。
[0004]公开号为CN111286755A的专利，提供了一种超高纯铟的制备方法，通过将电解法制备的5N铟作为原料，然后区熔的方法获得了6N以上的超高纯铟产品，但是这种电解
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区熔法无法进行连续操...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的装置，其特征在于，该装置包括真空腔体（1）及其内部设置的加热组件，所述加热组件上部安装有真空蒸馏组件和单晶提拉组件，所述加热组件包括安装有内嵌坩埚（2）的石墨坩埚（3），所述石墨坩埚（3）外侧包裹有电阻加热元件（4），所述石墨坩埚（3）下侧设置有供石墨坩埚（3）旋转和升降的第一运动组件（5），所述真空蒸馏组件包括固定安装在加热组件上部的导轨（6），所述导轨（6）上安装有在导轨（6）上运动的滑块（7），所述滑块（7）上分别安装有与石墨坩埚（3）配合的冷凝桶（8）和热屏（9），所述真空蒸馏组件还包括供滑块（7）沿导轨（6）运动的第二运动组件（10），所述单晶提拉组件包括垂直设置于石墨坩埚（3）上部的提拉杆（12），所述提拉杆（12）下部设置有用于装卡籽晶（18）的夹持器（13），所述单晶提拉组件还包括供提拉杆（12）旋转和升降的第三运动组件（14），所述真空腔体（1）上还设置有用于真空腔体（1）抽真空和充气的真空组件（15）。2.根据权利要求1所述的一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的装置，其特征在于，所述第一运动组件（5）包括固定于石墨坩埚（3）下部的坩埚支架（5
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1），所述坩埚支架（5
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1）下部连接有第一旋转电机（5
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2），所述第一旋转电机（5
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2）通过第一连接杆（5
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3）与第一丝杆滑台（5
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4）连接，所述第一丝杆滑台（5
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4）连接有供第一丝杆滑台（5
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4）升降的第一电机（5
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5），所述坩埚支架（5
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1）下部伸出真空腔体（1）并通过磁流体密封。3.根据权利要求1所述的一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的装置，其特征在于，所述第二运动组件（10）包括控制滑块（7）沿导轨（6）运动的第二电机；所述冷凝桶（8）和热屏（9）均为中空结构并通过第一冷凝管（11
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1）连通，所述冷凝桶（8）和热屏（9）分别连接有第二冷凝管（11
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2）和第三冷凝管（11
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3），所述第二冷凝管（11
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2）和第三冷凝管（11
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3）均伸出真空腔体（1），所述第二冷凝管（11
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2）和第三冷凝管（11
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3）与真空腔体（1）通过磁流体密封，所述第一冷凝管（11
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1）、第二冷凝管（11
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2）和第三冷凝管（11
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3）均为波纹管。4.根据权利要求1所述的一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的装置，其特征在于，所述热屏（9）为倒圆台筒状结构，所述热屏（9）下端的直径小于内嵌坩埚（2）的口径。5.根据权利要求1所述的一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的装置，其特征在于，所述第三运动组件（14）包括与提拉杆（12）上部连接的第三旋转电机（14...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘未，吴金平，刘承泽，宰伟，谢剑波，谢龙飞，张于胜，
申请(专利权)人：西安稀有金属材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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