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本发明公开了一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的装置，包括真空腔体及其内部的加热组件，加热组件上部安装有真空蒸馏组件和单晶提拉组件，真空腔体上设置有真空组件，另外，本发明还提供了一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的方法，该方法将铟料装入...
该专利属于西安稀有金属材料研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安稀有金属材料研究院有限公司授权不得商用。

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