射频同轴负载制造技术

本实用新型专利技术提供了一种射频同轴负载，属于微波射频技术领域，包括第一壳体、内壳体、绝缘子、芯片以及内导体，内壳体与第一壳体螺纹连接；绝缘子内置于内壳体内，绝缘子上设有连接器插针；芯片相对的两端设有U形夹片，U形夹片的沿内壳体轴线的两端面均为凹凸不平的曲面；连接器插针经过渡插针与芯片连接；内导体内置于内壳体内，内导体的腔体内轴向对称设有导入槽，U形夹片卡接于导入槽内。本实用新型专利技术提供的U形夹片设置凹凸不平的曲面，在一定尺寸和形状的芯片上，增大了U形夹片与芯片的接触面积，从而增大了对芯片的散热面积，提高了芯片在热应力下的工作性能的稳定性，提高了芯片的工作性能和使用寿命，从而保证负载的工作性能的稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
射频同轴负载


[0001]本技术属于微波射频
，具体涉及一种射频同轴负载。

技术介绍

[0002]同轴负载是微波无源单口器件，被广泛地应用于微波设备和微波电路中。同轴负载的主要功能是全部吸收来自传输线的微波能量，改善电路的匹配性能，同轴负载通常接在电路的终端，故又称作终端负载或匹配负载。在微波系统中,同轴负载的使用大大减少了空置端口信号泄漏﹑系统间的相互干扰,是射频传输系统的重要组成部分之一，因此，同轴负载性能的好坏将直接影响到整个系统的综合性能。
[0003]同轴负载的芯片是发热功率器件，周围配合部件散热效果不良，直接影响到芯片的工作性能及使用寿命。目前的同轴负载中的芯片存在散热效果差的问题。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供一种射频同轴负载，旨在解决芯片散热效果差的问题，能够提高散热效果，保证芯片工作性能的稳定。
[0005]为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：提供一种射频同轴负载，包括：第一壳体、内壳体、绝缘子、芯片以及内导体，内壳体与所述第一壳体螺纹连接；绝缘子内置于所述内壳体内，所述绝缘子上设有连接器插针；芯片所述芯片相对的两端设有U形夹片，所述U形夹片的沿所述内壳体轴线的两端面均为凹凸不平的曲面；所述连接器插针经过渡插针与所述芯片连接；内导体内置于所述内壳体内，所述内导体的腔体内轴向对称设有导入槽，所述U形夹片卡接于所述导入槽内。
[0006]在一种可能的实现方式中，所述凹凸不平的曲面为波浪形曲面。
[0007]在一种可能的实现方式中，所述U形夹片在所述导入槽内的宽度不大于所述导入槽的宽度。
[0008]在一种可能的实现方式中，所述U形夹片为铍铜制件。
[0009]在一种可能的实现方式中，所述绝缘子的外面设有套环，所述套环为金属件。
[0010]在一种可能的实现方式中，所述过渡插针与所述芯片相连的一端设有插槽，所述插槽对称的两侧分别设有倒角。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述倒角上还设有U形槽。
[0012]在一种可能的实现方式中，所述内壳体的内壁远离所述第一壳体的一端，设有止挡所述绝缘子的第二止挡台阶。
[0013]在一种可能的实现方式中，所述连接器插针与所述过渡插针连接的一端沿所述连接器插针周向设有多个开槽。
[0014]本技术提供的射频同轴负载，与现有技术相比，U形夹片设置凹凸不平的曲面，在一定尺寸和形状的芯片上，增大了U形夹片与芯片的接触面积，从而增大了对芯片的散热面积，避免了芯片因热应力造成的工作性能不稳定，提高了芯片的工作性能和使用寿
命，从而保证负载的工作性能的稳定性。
附图说明
[0015]图1为本技术实施例提供的射频同轴负载的爆炸结构示意图；
[0016]图2为本技术实施例提供的射频同轴负载的爆炸结构剖视图；
[0017]图3为本技术实施例提供的射频同轴负载的外观结构示意图；
[0018]图4为沿图3中A
‑
A线的剖视结构图；
[0019]图5为本技术实施例所采用的芯片、过渡插针与连接器插孔的分体结构示意图；
[0020]图6为图5中提供的U形夹片的结构示意图；
[0021]附图标记说明：
[0022]1、第二壳体；2、内壳体；21、外卡槽；22、第二止挡台阶；23、第一止挡台阶；3、卡簧；4、连接器插针；5、绝缘子；6、过渡插针；61、U形槽；7、U形夹片；8、芯片；9、压套；10、内导体；11、压块；12、第一壳体；13、套环。
具体实施方式
[0023]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0024]请一并参阅图1至图6，现对本技术提供的射频同轴负载进行说明。所述射频同轴负载，包括第一壳体12、内壳体2、绝缘子5、芯片8以及内导体10，内壳体2与第一壳体12螺纹连接；绝缘子5内置于内壳体2内，绝缘子5上设有连接器插针4；芯片8相对的两端设有U形夹片7，U形夹片7的沿内壳体2轴线的两端面均为凹凸不平的曲面；连接器插针4经过渡插针6与芯片8连接；内导体10内置于内壳体2内，内导体10的腔体内轴向对称设有导入槽，U形夹片7卡接于导入槽内。
[0025]本实施例提供的射频同轴负载，U形夹片7设置凹凸不平的曲面，在一定尺寸和形状的芯片8上，增大了U形夹片7与芯片8的接触面积，从而增大了对芯片8的散热面积，避免了芯片8因热应力造成的工作性能不稳定，提高了芯片8的工作性能和使用寿命，从而保证负载的工作性能的稳定性。
[0026]射频同轴负载的性能，芯片8的散热是影响性能稳定的重要因素之一，解决芯片8散热的有效方式之一，是芯片8和连接器插针4、插孔不直接连接，而是通过在芯片8两端焊接过渡插针6，再通过过渡插针6和连接器插针4、插孔弹性连接，可防止同轴负载的轴向力和径向力传递到衰减芯片8。
[0027]本实施例芯片8和内导体10直接的连接使用铍铜制作的带波纹的U形夹片，U形夹片可以解决芯片8和内导体10连接的三个问题：首先是散热问题，衰减芯片8吸收射频功率产生的热量要靠U形夹片传递到外导体；其次解决衰减芯片8和内导体10之间的热膨胀系数差异问题，在快速温变时，内导体10温变带来的热应力不会传递到衰减芯片8；最后是补偿了同轴性问题，要保证连接器插孔、插针、过渡插针6、芯片8、内导体10完全同轴做不到，这么多零件之间同轴性存在偏差，所以必须设计软连接点，通过本实施例提供的U形夹片7微
调和释放应力，保护衰减芯片8和焊接点。
[0028]在一些实施例中，上述特征U形夹片7可以采用如图6所示结构。参见图6，特征A，凹凸不平的曲面为波浪形曲面。
[0029]作为U形夹片7的另一种实施方式，其凹凸不平的曲面还可以为锯齿形、梯形等连续顺次相接构成的曲面。
[0030]作为U形夹片7的另一种实施方式，参见图1，U形夹片7在导入槽内的宽度不大于导入槽的宽度。通过波浪形曲面，增大了U形夹片7与芯片8的接触面积，而凹陷的位置构成凹槽，增大空间体积，扩大了流通的空间，从而利于更好的散热。
[0031]作为U形夹片7的另一种实施方式，所述U形夹片7为铍铜制件。
[0032]一些可能的实现方式中，上述特征绝缘子5采用如图2及图4所示结构。参见图，绝缘子5的外面设有套环13，套环13为金属件。绝缘子5热膨胀系数大，为避免热胀冷缩变形，保持绝缘子5外形尺寸，进而保证连接器插针4的位置精度，在绝缘子5外面设置套环13，对绝缘子5起到定型、散热的作用。
[0033]基于波浪形曲面，参见图5，作为过渡插针6与芯片8连接的一种实施方式，过渡插针6与芯片8相连的一端设有插槽，插槽对称的两侧分别设有倒角。芯片8与过渡插针6需要焊接，设置插槽以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频同轴负载，其特征在于，包括：第一壳体；内壳体，与所述第一壳体螺纹连接；绝缘子，内置于所述内壳体内，所述绝缘子上设有连接器插针；芯片，所述芯片相对的两端设有U形夹片，所述U形夹片的沿所述内壳体轴线的两端面均为凹凸不平的曲面；所述连接器插针经过渡插针与所述芯片连接；以及内导体，内置于所述内壳体内，所述内导体的腔体内轴向对称设有导入槽，所述U形夹片卡接于所述导入槽内。2.如权利要求1所述的射频同轴负载，其特征在于，所述凹凸不平的曲面为波浪形曲面。3.如权利要求1所述的射频同轴负载，其特征在于，所述U形夹片在所述导入槽内的宽度不大于所述导入槽的宽度。4.如权利要求1所述的射频...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锐锋，林新强，李红花，
申请(专利权)人：深圳市禹龙通电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：