【技术实现步骤摘要】
一种粗抛光液的再利用方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于最终抛光工艺的粗抛光液的再利用方法。
技术介绍
[0002]硅片表面的抛光工艺主要包括双面抛光工艺和最终抛光工艺这两个工艺过程。在双面抛光工艺中，双面抛光机台主要由机台本体、上定盘和下定盘组成，所述上定盘和下定盘均贴有抛光垫，所述上定盘通入粗抛光液，并通过所述上定盘、下定盘和硅片的运动达到硅片双面抛光的目的，即去除前序工艺造成的硅片表面缺陷，达到硅片表面平坦度要求。其中，双面抛光工艺所使用的粗抛光液是可以循环使用的。
[0003]在最终抛光工艺中，由于最终抛光工艺包括粗抛光工艺和精抛光工艺这两个工艺过程，粗抛光工艺的目的主要是去除前面工序造成的硅片表面轻微划伤，可以降低硅片表面的粗糙度，这个过程同样使用的是粗抛光液。精抛光工艺的目的主要是进一步降低硅片表面的粗糙度，并保证硅片表面的颗粒水平，这个过程使用的是精抛光液。其中，由于最终抛光使用的抛光液(即粗抛光液和精抛光液)均采用的是直排方式，使得所述粗抛光液不能循环使用，这些粗抛光液最...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种粗抛光液的再利用方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将经过最终抛光工艺的粗抛光液回收至第一回收桶中；步骤S2：在第一回收桶中调整所述粗抛光液的pH值至设定范围，以得到回收粗抛光液；步骤S3：对所述回收粗抛光液进行第一次过滤，并将所述回收粗抛光液传输至第二回收桶中；以及步骤S4：对所述回收粗抛光液进行第二次过滤，并调整所述回收粗抛光液的pH值至目标范围，以得到制备双面抛光工艺所需的粗抛光原液配液。2.如权利要求1所述的粗抛光液的再利用方法，其特征在于，步骤S1包括：提供初始粗抛光原液配液，将所述初始粗抛光原液配液供液给最终抛光机台；提供硅衬底，在所述最终抛光机台上，使用所述初始粗抛光原液配液对所述硅衬底进行最终抛光工艺的粗抛光，以得到待回收的粗抛光液；以及所述最终抛光机台将所述粗抛光液排放收集至第一回收桶中。3.如权利要求1所述的粗抛光液的再利用方法，其特征在于，步骤S2包括：测量所述第一回收桶中的所述粗抛光液的测量pH值，将所述测量pH值与设定pH值进行比较；若所述测量pH值不在设定取值范围内，对所述粗抛光液进行pH值调整，以将所述粗抛光液的pH值至设定范围。4.如权利要求3所述的粗抛光液的再利用方法，其特征在于，所述粗抛光液的pH值的...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘福成，何昆哲，华千慧，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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