【技术实现步骤摘要】
加热装置
[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种加热装置。
技术介绍
[0002]在半导体工艺制程中，通常需要对晶圆进行烘焙，例如，在晶圆上涂布涂层(以光刻胶为例)后，需要对晶圆进行软烘焙，以去除晶圆上的溶剂，干燥光刻胶。在显影后需要对晶圆进行硬烘焙，以进一步去除晶圆上的溶剂以使光刻胶变硬，提高光刻胶对晶圆表面的黏附性。
[0003]相关技术中，可以采用加热装置对晶圆进行烘焙，以去除晶圆上的涂层(例如光刻胶)中的溶剂。加热装置可以包括加热室和位于加热室内的加热板，晶圆设置在加热板上，加热板对晶圆加热以使晶圆上的涂层中的溶剂蒸发。蒸发的溶剂通过排气通道排出加热室。
[0004]然而，上述蒸发的溶剂易在加热室中冷凝而滴落回晶圆上，从而对晶圆上的涂层造成影响。
技术实现思路
[0005]本公开实施例提供一种加热装置，加热装置可以减少或避免溶剂蒸汽冷凝而滴落回待加热件上，从而减少或避免冷凝物对待加热件的影响，保证最终产品的质量与良率。
[0006]本公开实施例提供如下技术方案：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种加热装置，其特征在于，包括：壳体、加热基座和气流板，所述壳体具有容纳腔，所述加热基座和所述气流板均位于所述容纳腔中，所述加热基座、所述气流板和部分所述壳体共同围设形成第一容纳腔，待加热件位于所述第一容纳腔中，且位于所述加热基座的承载面上；所述气流板上间隔设置有多个通孔，各所述通孔均沿所述气流板的厚度方向贯穿所述气流板，多个所述通孔包括至少一个进气孔和多个排气孔，多个所述排气孔围设在所有所述进气孔的外周。2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述气流板包括进气区和排气区，所述排气区围设在所述进气区的外周；所述进气孔位于所述进气区，所述排气孔位于所述排气区。3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述排气区包括第一排气区和第二排气区，所述第二排气区围设在所述第一排气区的外周；所述排气孔包括第一排气孔和第二排气孔，所述第一排气孔位于所述第一排气区，所述第二排气孔位于所述第二排气区；单位面积内的所述第一排气区的所有所述第一排气孔的气体流速之和小于单位面积内的所述第二排气区的所有所述第二排气孔的气体流速之和。4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，单位面积内的所述第一排气区的所有所述第一排气孔的横截面面积之和小于单位面积内的所述第二排气区的所有所述第二排气孔的横截面面积之和。5.根据权利要求4所述的加热装置，其特征在于，各所述排气孔的横截面面积均相同，单位面积内的所述第一排气区的所述第一排气孔的数量小于单位面积内的所述第二排气区的所述第二排气孔的数量。6.根据权利要求2
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5任一所述的加热装置，其特征在于，所述气流板还包括辅助排气区，所述辅助排气区位于所述排气区远离所述进气区的一侧，所述通孔还包括位于所述辅助排气区的辅助排气孔；所述辅助排气区在所述承载面上的正投影位于所述待加热件在所述承载面上的正投影外，所述排气区在所述承载面上的正投影位于所述待加热件在所述承载面上的正投影内；单位面积内的所述辅助排气区的所有所述辅助排气孔的气体流速之和大于单位面积内的所述排气区的所有所述排气孔的气体流速之和。7.根据权利要求3
...
【专利技术属性】
技术研发人员：董万如，魏毅，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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