防倒灌电路、串行通信线路、装置、电子设备及检测装置制造方法及图纸

技术编号:36087513 阅读:16 留言:0更新日期:2022-12-24 11:03
本实用新型专利技术公开了一种串行通信接口的防倒灌电路、串行通信线路、串行通信装置、电子设备以及电子设备检测装置,所述防倒灌电路包括第一支路和第二支路:所述第一支路和所述第二支路连接于所述串行通信接口的信号发送端和信号接收端之间;所述第一支路包括第一MOS管;所述第二支路包括第二MOS管;所述第一MOS管和所述第二MOS管均为P型MOS管。由此,本实用新型专利技术实施例通过在串行通信接口的信号发送端和信号接收端设置两路包括P型MOS管的支路来防止电压倒灌,有效避免了利用肖特基二极管来进行电压防倒灌导致的串行通信接口的信号出现失真,从而导致串行通信接口误码率增加出现采集数据出错的问题。数据出错的问题。数据出错的问题。

【技术实现步骤摘要】
防倒灌电路、串行通信线路、装置、电子设备及检测装置


[0001]本技术涉及电子电路
,尤其涉及一种串行通信接口的防倒灌电路以及串行通信线路。

技术介绍

[0002]串行通信接口包括信号发送端UART_TX以及信号接收端UART_RX,信号发送端UART_TX和信号接收端UART_RX分别与相应的设备连接。信号发送端UART_TX和信号接收端UART_RX之间很容易发生电压信号倒灌的情况,而如果发生倒灌的情况会导致与信号发送端UART_TX和信号接收端UART_RX连接的电子设备出现供电时序异常的情况,而时序异常会导致设备的整个上电启动异常,无法正常工作。
[0003]为防止串行通信接口发生电压倒灌,参考图1,通常在串行通信接口的 UART_TX和UART_RX之间串联一个反向的肖特基二极管D。但由于肖特基二极管D的正负极之间存在一个较大的寄生电容,寄生电容会导致串行接口的信号出现失真,在低速通信时可能不会有太大影响,但是在大数据量的高速通信时,信号失真问题可能就会增大串行接口通信的误码率,出现采集的数据出错等问题。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种串行通信接口的防倒灌电路以及串行通信线路,以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
[0005]根据本技术的第一方面,提供了一种串行通信接口的防倒灌电路,所述防倒灌电路包括第一支路和第二支路:所述第一支路和所述第二支路连接于所述串行通信接口的信号发送端和信号接收端之间;所述第一支路包括第一MOS管;所述第二支路包括第二MOS管;所述第一MOS管和所述第二MOS 管均为P型MOS管。
[0006]在一可实施方式中,所述第一支路还包括第三MOS管和第一分压电阻,所述第三MOS管为N型MOS管;相应的,所述第一MOS管的源极与所述串行通信接口的信号发送端连接,栅极与所述第三MOS管的漏极连接,漏极与所述第二MOS管的栅极连接;所述第一分压电阻的一端与所述串行通信接口的信号发送端连接,另一端与所述第三MOS管的漏极连接,所述第三MOS管的源极接地。
[0007]在一可实施方式中,所述防倒灌电路还包括缓启支路,所述缓启支路包括:第二分压电阻,其中一端与电源端连接,另一端与所述第三MOS管的栅极、第三分压电阻以及第一电容连接;所述第三分压电阻,其中一端与所述第三 MOS管的栅极以及所述第二分压电阻连接,另一端接地;所述第一电容,其中一个极板与所述第三MOS管的栅极连接,另一个极板接地。
[0008]在一可实施方式中,所述第二支路还包括第四分压电阻、第五分压电阻;相应的,所述第二MOS管的源极与所述串行通信接口的信号接收端以及所述第四分压电阻连接,栅极与所述第一MOS管的漏极连接,漏极接地;所述第四分压电阻,其中一端与电源端连接,另
一端与所述第二MOS管的源极以及所述信号接收端连接;所述第五分压电阻,其中一端与所述第一MOS管的漏极连接,另一端接地。
[0009]在一可实施方式中,所述第一MOS管的源极与电源端连接,栅极与所述串行通信接口的信号发送端连接,漏极与所述第二MOS管的栅极连接。
[0010]在一可实施方式中,所述第二支路还包括第六分压电阻、第七分压电阻;相应的,所述第二MOS管的源极与电源端连接,栅极与所述第一MOS管的漏极连接,漏极与所述串行通信接口的信号接收端以及第六分压电阻连接;第六分压电阻,其中一端与所述第二MOS管的漏极以及所述串行通信接口的信号接收端连接,另一端接地;第七分压电阻,其中一端与所述第一MOS管的漏极连接,另一端接地。
[0011]根据本技术的第二方面,提供了一种串行通信线路,所述串行通信线路包括上述防倒灌电路。
[0012]根据本技术的第三方面,提供了一种串行通信装置,所述串行通信装置包括上述串行通信线路。
[0013]根据本技术的第四方面,又提供了一种电子设备,所述电子设备包括上述串行通信装置。
[0014]根据本技术的第五方面,又提供了一种电子设备检测装置,所述电子设备检测装置包括上述串行通信装置。
[0015]本技术技术方案提供的串行通信接口的防倒灌电路及串行通信线路,通过在串行通信接口的信号发送端和信号接收端设置两路包括P型MOS管的支路来防止电压倒灌,有效避免了利用肖特基二极管来进行电压防倒灌导致的串行通信接口的信号出现失真,从而导致串行通信接口误码率增加出现采集数据出错的问题。
附图说明
[0016]图1示出了现有技术的串行通信接口的防倒灌电路的电路示意图;
[0017]图2示出了本技术实施例提供的串行通信接口的防倒灌电路的结构示意图;
[0018]图3示出了本技术实施例提供的串行通信接口的防倒灌电路的电路示意图一;
[0019]图4示出了本技术实施例提供的串行通信接口的防倒灌电路的电路示意图二。
具体实施方式
[0020]为使本技术的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而非全部实施例。基于本技术中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0021]图2示出了本技术实施例提供的串行通信接口的防倒灌电路的结构示意图。
[0022]参考图2,本技术实施例提供的串行通信接口的防倒灌电路,该防倒灌电路包括第一支路和第二支路。第一支路和第二支路连接于串行通信接口的信号发送端UART_TX
和信号接收端UART_RX之间。其中,第一支路包括第一MOS管,第二支路包括第二MOS管。第一MOS管和第二MOS管均为P 型MOS管。
[0023]具体的,串行通信接口的信号发送端和信号接收端分别连接电子设备,为防止电压倒灌导致电子设备的损害或上电异常,本技术该实施例在串行通信接口之间配置第一MOS管和第二MOS管,通过第一MOS管和第二MOS 管的组合作用能够有效防止串行通信接口的信号发送端与信号接收端之间出现电压信号倒灌的情况。
[0024]在一可实施方式中,串行通信接口的信号发送端连接摄像头,串行通信接口的信号接收端连接电脑。
[0025]具体的,与信号发送端UART_TX连接的摄像头在未上电时,串行通信接口的信号发送端UART_TX为低电平,而与信号接收端UART_RX连接的电脑一直处于上电状态时信号接收端UART_RX为高电平,这时就可能信号接收端 UART_RX的高电平会通过串行通信接口倒灌进摄像头,导致摄像头的CPU内部某些模块在未上电时也存在一个持续的供电电源。而CPU在启动时对电源供电时序要求是非常高的,一旦时序出现错乱,会使整个摄像头的上电启动出现异常,无法正常工作。为了克服这一问题,本技术实施例通过在串行通信接口的信号发送端和信号接收端之间引入第一MOS管和第二M本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种串行通信接口的防倒灌电路,其特征在于,所述防倒灌电路包括第一支路和第二支路:所述第一支路和所述第二支路连接于所述串行通信接口的信号发送端和信号接收端之间;所述第一支路包括第一MOS管;所述第二支路包括第二MOS管;所述第一MOS管和所述第二MOS管均为P型MOS管。2.根据权利要求1所述的防倒灌电路,其特征在于,所述第一支路还包括第三MOS管和第一分压电阻,所述第三MOS管为N型MOS管;相应的,所述第一MOS管的源极与所述串行通信接口的信号发送端连接,栅极与所述第三MOS管的漏极连接,漏极与所述第二MOS管的栅极连接;所述第一分压电阻的一端与所述串行通信接口的信号发送端连接,另一端与所述第三MOS管的漏极连接,所述第三MOS管的源极接地。3.根据权利要求2所述的防倒灌电路,其特征在于,所述防倒灌电路还包括缓启支路,所述缓启支路包括:第二分压电阻,其中一端与电源端连接,另一端与所述第三MOS管的栅极、第三分压电阻以及第一电容连接;所述第三分压电阻,其中一端与所述第三MOS管的栅极以及所述第二分压电阻连接,另一端接地;所述第一电容,其中一个极板与所述第三MOS管的栅极连接,另一个极板接地。4.根据权利要求1所述的防倒灌电路,其特征在于,所述第二支路还包括第四分压电阻、第五分压电阻;相应的,所述第二MOS管的源极与所述串行通信接口的信号接收端以及...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐欢
申请(专利权)人:杭州涂鸦信息技术有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1