一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法技术

本发明专利技术公开了一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法，包括保护器件本体，保护器件本体的顶部设置有上中空板，保护器件本体的底部设置有下中空板，保护器件本体包括内芯板，内芯板的两侧外壁焊接有引脚，内芯板的外部设置有封装体，封装体的顶部外壁设置有上安装槽，上中空板位于上安装槽的内部，上中空板的底部外壁设置有上导热层，上中空板的顶部外壁一体成型有均匀分布的散热板。本发明专利技术通过在保护器件本体上设置具有真空腔的上中空板，并在上中空板的内部注入纯水，使得保护器件本体在工作时能够对纯水进行蒸发，然后蒸发的纯水在顶部的毛细管层进行冷凝液化，使得低压电容过压保护器件芯片在使用时的散热性能更好。过压保护器件芯片在使用时的散热性能更好。过压保护器件芯片在使用时的散热性能更好。

【技术实现步骤摘要】
一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法


[0001]本专利技术涉及过压保护器件芯片
，具体涉及一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法。

技术介绍

[0002]低压电容器通常指额定电压在400V～6kV之间的电力电容器。低压电容器作用是改善功率因素从而减小用电费用，并能够减轻设备的负荷，增加其使用寿，在实际应用中，需要通过过压保护芯片对低压电容器进行保护，使得低压电容器在承受高压时不容易发生损坏。
[0003]中国专利号CN200910301945.6，公开了一种低结电容过压保护晶闸管器件芯片和其生产方法，该芯片包括金属电极T1和T2、N+发射区、N
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型长基区、P型短基区，所述芯片周围蚀刻有外沟槽，所述芯片内部设立一段N型离子注入区，在蚀刻沟槽外的P型短基区下形成一个N型区域埋层，其生产方法是：在硅片氧化后，在P型短基区扩散步骤前，增加了三步工艺步骤，双面光刻N型离子注入区、双面N型离子注入、N型离子注入氧化和扩散，经过P型短基区扩散后，在P型短基区下形成一个N型区域埋层。
[0004]低压电容使用的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压电容过压保护器件芯片，其特征在于，包括保护器件本体(1)，所述保护器件本体(1)的顶部设置有上中空板(2)，所述保护器件本体(1)的底部设置有下中空板(3)，所述保护器件本体(1)包括内芯板(14)，所述内芯板(14)的两侧外壁焊接有引脚(4)，所述内芯板(14)的外部设置有封装体(22)，所述封装体(22)的顶部外壁设置有上安装槽(12)，所述上中空板(2)位于上安装槽(12)的内部，所述上中空板(2)的底部外壁设置有上导热层(13)，所述上中空板(2)的顶部外壁一体成型有均匀分布的散热板(24)，所述上中空板(2)的内部为真空，所述上中空板(2)的内部设置有纯水，所述上中空板(2)的内壁设置有毛细管层(23)，所述引脚(4)包括连接板(5)，所述连接板(5)的底部一体成型有支撑板(6)，所述支撑板(6)的底部外壁一体成型有焊接板(7)，所述焊接板(7)的底部外壁设置有镀银层(9)。2.根据权利要求1所述的一种低压电容过压保护器件芯片，其特征在于，所述焊接板(7)的顶部外壁设置有注料孔(8)，所述焊接板(7)的一侧外壁设置有凹槽(10)。3.根据权利要求2所述的一种低压电容过压保护器件芯片，其特征在于，所述凹槽(10)的一侧内壁设置有呈中心对称分布的凹孔(11)，所述凹孔(11)的内壁设置有纹路(21)。4.根据权利要求1所述的一种低压电容过压保护器件芯片，其特征在于，所述下中空板(3)的一侧外壁焊接有进气管(16)，所述下中空板(3)远离进气管(16)的一侧外壁焊接有出气管(17)。5.根据权利要求1所述的一种低压电容过压保护器件芯片，其特征在于，所述封装体(22)的底部外壁设置有下安装槽(15)，所述下中空板(3)的顶部外壁一体成型有凸壳(18)，所述凸壳(18)位于下安装槽(15)的内部，所述凸壳(18)的顶部设置有上导热层(13)。6.根据权利要求1所述的一种低压电容过压保...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋能，印鹏，印辉，傅蓠烨，周茂，
申请(专利权)人：深圳市领赛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：