一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法技术

本发明专利技术公开了一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法，包括保护器件本体，保护器件本体的顶部设置有上中空板，保护器件本体的底部设置有下中空板，保护器件本体包括内芯板，内芯板的两侧外壁焊接有引脚，内芯板的外部设置有封装体，封装体的顶部外壁设置有上安装槽，上中空板位于上安装槽的内部，上中空板的底部外壁设置有上导热层，上中空板的顶部外壁一体成型有均匀分布的散热板。本发明专利技术通过在保护器件本体上设置具有真空腔的上中空板，并在上中空板的内部注入纯水，使得保护器件本体在工作时能够对纯水进行蒸发，然后蒸发的纯水在顶部的毛细管层进行冷凝液化，使得低压电容过压保护器件芯片在使用时的散热性能更好。过压保护器件芯片在使用时的散热性能更好。过压保护器件芯片在使用时的散热性能更好。

【技术实现步骤摘要】
一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法


[0001]本专利技术涉及过压保护器件芯片
，具体涉及一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法。

技术介绍

[0002]低压电容器通常指额定电压在400V～6kV之间的电力电容器。低压电容器作用是改善功率因素从而减小用电费用，并能够减轻设备的负荷，增加其使用寿，在实际应用中，需要通过过压保护芯片对低压电容器进行保护，使得低压电容器在承受高压时不容易发生损坏。
[0003]中国专利号CN200910301945.6，公开了一种低结电容过压保护晶闸管器件芯片和其生产方法，该芯片包括金属电极T1和T2、N+发射区、N
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型长基区、P型短基区，所述芯片周围蚀刻有外沟槽，所述芯片内部设立一段N型离子注入区，在蚀刻沟槽外的P型短基区下形成一个N型区域埋层，其生产方法是：在硅片氧化后，在P型短基区扩散步骤前，增加了三步工艺步骤，双面光刻N型离子注入区、双面N型离子注入、N型离子注入氧化和扩散，经过P型短基区扩散后，在P型短基区下形成一个N型区域埋层。
[0004]低压电容使用的过压保护器件芯片在工作中会发热，热量如果散失不及时，会导致过压保护器件芯片功能失常，进而无法起到对低压电容起到保护的作用。因此，亟需设计一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法来解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法，以解决现有技术中的上述不足之处。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0007]一种低压电容过压保护器件芯片，包括保护器件本体，所述保护器件本体的顶部设置有上中空板，所述保护器件本体的底部设置有下中空板，所述保护器件本体包括内芯板，所述内芯板的两侧外壁焊接有引脚，所述内芯板的外部设置有封装体，所述封装体的顶部外壁设置有上安装槽，所述上中空板位于上安装槽的内部，所述上中空板的底部外壁设置有上导热层，所述上中空板的顶部外壁一体成型有均匀分布的散热板，所述上中空板的内部为真空，所述上中空板的内部设置有纯水，所述上中空板的内壁设置有毛细管层，所述引脚包括连接板，所述连接板的底部一体成型有支撑板，所述支撑板的底部外壁一体成型有焊接板，所述焊接板的底部外壁设置有镀银层。
[0008]进一步地，所述焊接板的顶部外壁设置有注料孔，所述焊接板的一侧外壁设置有凹槽。
[0009]进一步地，所述凹槽的一侧内壁设置有呈中心对称分布的凹孔，所述凹孔的内壁设置有纹路。
[0010]进一步地，所述下中空板的一侧外壁焊接有进气管，所述下中空板远离进气管的
一侧外壁焊接有出气管。
[0011]进一步地，所述封装体的底部外壁设置有下安装槽，所述下中空板的顶部外壁一体成型有凸壳，所述凸壳位于下安装槽的内部，所述凸壳的顶部设置有上导热层。
[0012]进一步地，所述凸壳的四周外壁一体成型有凸边，所述凸边的外壁设置有密封槽。
[0013]进一步地，所述上中空板采用铜材质制成，所述下中空板采用铝合金材质制成，所述上导热层和下导热层采用导热硅胶材质制成。
[0014]一种低压电容过压保护器件芯片的生产方法，包括以下步骤：
[0015]选料步骤：选取厚度均匀的铜板和铝合金板；
[0016]成型步骤：在铜板的上表面均匀的撒上烧结粉末，然后对铜板进行烧结，使得铜板的上表面形成毛细层，然后对铜板和铝合金板进行裁剪、挤压和焊接，使得铜板和铝合金板分别形成上中空板和下中空板；
[0017]注液步骤：对水采用半透膜进行过滤形成纯水，并向中空板的内部注入纯水；
[0018]抽真空步骤：对上中空板的内部的空气进行抽出，并对抽气口进行密封；
[0019]组装步骤：将下中空板的顶部贴下导热层，将上中空板的底部贴上导热层，然后将下中空板通过下导热层与具有引脚的内芯板进行固定；
[0020]封装步骤：将内芯板与上中空板放入模具的内部，并进行位置对于然后进行封装；
[0021]进一步地，在所述选料步骤中，铜板和铝合金板的厚度为0.5mm
‑
1mm，在所述封装步骤中，所述上中空板与内芯板之的距离为3mm
‑
6mm。
[0022]进一步地，在所述成型步骤中，所述烧结粉末采用铜、镍、铝和不锈钢中的任意一种材质制成，所述烧结时间为30min
‑
60min。
[0023]在上述技术方案中，本专利技术提供的一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法，有益效果为：
[0024](1)本专利技术通过在保护器件本体上设置具有真空腔的上中空板，并在上中空板的内部注入纯水，使得保护器件本体在工作时能够对纯水进行蒸发，然后蒸发的纯水在顶部的毛细管层进行冷凝液化，使得低压电容过压保护器件芯片在使用时的散热性能更好。
[0025](2)本专利技术通过在保护器件本体底部设置下中空板，使得通过向下中空板的内部通入空气使能够将传导到下中空板上的热量进行带走，进而使得低压电容过压保护器件芯片在使用时的散热性能进一步提高。
[0026](3)本专利技术通过在引脚的焊接板上设置凹槽和凹孔，使得在对低压电容过压保护器件芯片与电路板进行焊接时，只需将焊锡滴进注料孔，使得焊锡能够在凹槽和凹孔的内部进行自动填充，进而使得焊接时不会出现焊锡过多的现象，同时使得焊接更加的牢固。
[0027](4)本发专利技术通过凸边和密封槽，使得在封装时封装体与下中空板之间密封的效果更好，进而防止内芯板与外部的空气接触。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本专利技术一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法实施例提供的整体结
构示意图。
[0030]图2为本专利技术一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法实施例提供的剖面结构示意图。
[0031]图3为本专利技术一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法实施例提供的引脚结构示意图。
[0032]图4为本专利技术一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法实施例提供的凹槽结构示意图。
[0033]图5为本专利技术一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法实施例提供的A处放大结构示意图。
[0034]图6为本专利技术一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法实施例提供的B处放大结构示意图。
[0035]附图标记说明：
[0036]1保护器件本体、2上中空板、3下中空板、4引脚、5连接板、6支撑板、7焊接板、8注料孔、9镀银层、10凹槽、11凹孔、12上安装槽、13上导热层、14内芯板、15下安装槽、16进气管、17出气管、18凸壳、19凸边、20密封槽、21纹路、22封装体、23毛细管层、24散热板、25下导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压电容过压保护器件芯片，其特征在于，包括保护器件本体(1)，所述保护器件本体(1)的顶部设置有上中空板(2)，所述保护器件本体(1)的底部设置有下中空板(3)，所述保护器件本体(1)包括内芯板(14)，所述内芯板(14)的两侧外壁焊接有引脚(4)，所述内芯板(14)的外部设置有封装体(22)，所述封装体(22)的顶部外壁设置有上安装槽(12)，所述上中空板(2)位于上安装槽(12)的内部，所述上中空板(2)的底部外壁设置有上导热层(13)，所述上中空板(2)的顶部外壁一体成型有均匀分布的散热板(24)，所述上中空板(2)的内部为真空，所述上中空板(2)的内部设置有纯水，所述上中空板(2)的内壁设置有毛细管层(23)，所述引脚(4)包括连接板(5)，所述连接板(5)的底部一体成型有支撑板(6)，所述支撑板(6)的底部外壁一体成型有焊接板(7)，所述焊接板(7)的底部外壁设置有镀银层(9)。2.根据权利要求1所述的一种低压电容过压保护器件芯片，其特征在于，所述焊接板(7)的顶部外壁设置有注料孔(8)，所述焊接板(7)的一侧外壁设置有凹槽(10)。3.根据权利要求2所述的一种低压电容过压保护器件芯片，其特征在于，所述凹槽(10)的一侧内壁设置有呈中心对称分布的凹孔(11)，所述凹孔(11)的内壁设置有纹路(21)。4.根据权利要求1所述的一种低压电容过压保护器件芯片，其特征在于，所述下中空板(3)的一侧外壁焊接有进气管(16)，所述下中空板(3)远离进气管(16)的一侧外壁焊接有出气管(17)。5.根据权利要求1所述的一种低压电容过压保护器件芯片，其特征在于，所述封装体(22)的底部外壁设置有下安装槽(15)，所述下中空板(3)的顶部外壁一体成型有凸壳(18)，所述凸壳(18)位于下安装槽(15)的内部，所述凸壳(18)的顶部设置有上导热层(13)。6.根据权利要求1所述的一种低压电容过压保...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋能，印鹏，印辉，傅蓠烨，周茂，
申请(专利权)人：深圳市领赛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：