湿度传感器及制备方法技术

本发明专利技术提供一种湿度传感器及制备方法，其中的湿度传感器包括位于底部的信号处理单元、设置在信号处理单元上的感应单元、设置在感应单元上的栅极，设置在栅极上的绝缘层、设置在绝缘层上的石墨烯量子点层和设置在石墨烯量子点层上的漏极和源极，其中，石墨烯量子点层的组分包括按照预设比例混合的石墨烯量子点和硝酸锌。利用本发明专利技术，能够解决现有的湿度传感器响应速度慢、响应不够准确、控制湿度容易过冲等问题。过冲等问题。过冲等问题。

【技术实现步骤摘要】
湿度传感器及制备方法


[0001]本专利技术涉及电声转换
，更为具体地，涉及一种湿度传感器及制备方法。

技术介绍

[0002]现在随着生活水平的提高，人们对生活质量的要求越来越高，对湿度传感器的需求也越来越多，湿度传感器用于室内湿度的实时监测；其中，在很多科研环境、仓库中，需要通过湿度传感器实施监测其湿度；在湿度传感器生产过程的校准测试标定中，需要传感器具有非常快的响应速度，对湿度的实时变化做出快速的响应。
[0003]目前市面上的湿度传感器多数采用聚酰亚胺作为湿敏材料，当湿度变化时材料的电容值变化转变为电信号的变化，但是此材料的响应速度太慢，一般需要5
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10s的响应时间，应用于消费电子上的体验是非常差的，应用于工业检测，效率是非常低的，因此迫切需要解决湿度传感器此缺点，提升使用体验。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种湿度传感器及制备方法，以解决现有的湿度传感器响应速度慢、响应不够准确、控制湿度容易过冲等问题。
[0005]本专利技术提供一种湿度传感器，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿度传感器，其特征在于，包括位于底部的信号处理单元、设置在所述信号处理单元上的感应单元、设置在所述感应单元上的栅极，设置在所述栅极上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的石墨烯量子点层和设置在所述石墨烯量子点层上的漏极和源极，其中，所述石墨烯量子点层的组分包括按照预设比例混合的石墨烯量子点和硝酸锌。2.如权利要求1所述的湿度传感器，其特征在于，所述石墨烯量子点与所述硝酸锌的质量比为7
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13:11
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21。3.如权利要求1所述的湿度传感器，其特征在于，所述信号处理单元为硅基底；所述绝缘层为二氧化硅层。4.如权利要求1所述的湿度传感器，其特征在于，所述感应单元为单晶硅，所述栅极为重掺杂P型单晶硅，其中，所述感应单元通过导线与所述信号处理单元电连接。5.如权利要求1所述的湿度传感器，其特征在于，所述漏极与所述源极间隔设置，其中，所述漏极、所述源极的材质采用铝、金或铜；所述漏极、所述源极分别通过导线与所述信号处理单元电连接。6.一种湿度传感器的制备方法，所述制备方法包括：将表面设置有绝缘层的感应单元固定在信号处理单元上；对所述绝缘层进行等离子体处理；将预先制备的石墨烯量子点溶液经过过滤后，放置到等离子体处理后的绝缘层上，其中，按照预设比例将石墨烯量子点、硝酸锌溶解在去离子水中，形成石墨烯量子点溶液；通过匀胶机将过滤后的石墨烯量子点溶液进行制膜处理，在所述绝缘层上形成石墨烯量子点层；通过蒸镀方式在所述石墨烯量子点层上形成漏极和源极；通过导线将所述漏极、源极以及所述感应单元分别与所述信号处理单元电连接。7.如权利要求6所述的湿度传感器的制备方法，其特征在于，所述对所述绝缘层进行等离子体处理，包括：将所述绝缘层进行清洁处理；通过等离子体对清洁后的绝缘层进行表面活性处理，其中，表面活性处理时间为5
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15min，功率为20
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【专利技术属性】
技术研发人员：王超，
申请(专利权)人：青岛歌尔智能传感器有限公司，
类型：发明
国别省市：