一种ITO/Ag/ITO薄膜结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种ITO/Ag/ITO薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：提供基片、ITO靶材和Ag靶材；对基片进行清洗处理；采用ITO靶材，按照预设的ITO薄膜镀膜参量，调节成膜腔室内的镀膜环境，在通入工作气体和溅射温度为650℃

【技术实现步骤摘要】
一种ITO/Ag/ITO薄膜结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及光学材料领域，特别是涉及一种ITO/Ag/ITO薄膜结构的制备方法。

技术介绍

[0002]光与材料间的相互作用受介电常数ε和磁导率μ影响，其中μ基本上不会受到高频入射光的影响，通常认为μ＝1。而介电常数ε会受到入射光的入射光频率的影响，当某一频率的光照射到材料时，材料的介电常数ε的实部近似为零(Epsilon
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Near
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Zero，ENZ)，而具有这一特性的材料被称之为ENZ材料，这一入射光的频率称为ENZ材料的ENZ波长。
[0003]2016年，Robert W.Boyd等人指出(《Science》,2016年第352期第795页)，当入射光波长在单层氧化铟锡(ITO)薄膜介电常数近零(ENZ)区域(约1240nm)附近时，可以观察到光学非线性响应增强效应。
[0004]单层ITO的非线性光学响应增强效应受限于ENZ波长的位置，无法实现宽光谱范围内的增强，而对于ITO/Ag/ITO的结构，虽然光电性能高于传统的单层I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ITO/Ag/ITO薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基片、ITO靶材和Ag靶材；对所述基片进行清洗处理；将所述基片、所述ITO靶材和所述Ag靶材设置于镀膜机的成膜腔室内；采用ITO靶材，按照预设的ITO薄膜镀膜参量，调节成膜腔室内的镀膜环境，在通入工作气体和溅射温度为650℃
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700℃下，于所述基片上镀第一ITO薄膜层；采用Ag靶材，按照预设的Ag薄膜镀膜参量，调节成膜腔室内的镀膜环境，在通入工作气体和溅射温度为室温下，于所述第一ITO薄膜层上镀Ag薄膜层；采用ITO靶材，按照预设的ITO薄膜镀膜参量，调节成膜腔室内的镀膜环境，通入工作气体和溅射温度为室温下，于所述Ag薄膜层上镀第二ITO薄膜层，得到ITO/Ag/ITO薄膜结构。2.根据权利要求1所述的一种ITO/Ag/ITO薄膜结构的制备方法，其特征在于，得到ITO/Ag/ITO薄膜结构后，还包括以下步骤：将所述ITO/Ag/ITO薄膜结构于所述成膜腔室内真空加热至650℃
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700℃并保温0.5小时。3.根据权利要求1所述的一种ITO/Ag/ITO薄膜结构的制备方法，其特征在于，按照预设的ITO薄膜镀膜参量，调节成膜腔室内的镀膜环境，包括：设置所述成膜腔室内的真空度为3*10
‑5Pa，工作气体气流速为20sccm，溅射功率为60W，溅射气压为2.9*10
‑2Pa，基片转速为26r/min。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈溢杭，郭志达，董剑楠，吴栋，张飞连，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：