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本发明涉及一种ITO/Ag/ITO薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：提供基片、ITO靶材和Ag靶材；对基片进行清洗处理；采用ITO靶材，按照预设的ITO薄膜镀膜参量，调节成膜腔室内的镀膜环境，在通入工作气体和溅射温度为650℃
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该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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