超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板及制作工艺制造技术

本发明专利技术涉及覆铜箔基板生产技术领域，尤其涉及一种超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板及制作工艺，通过特殊的配方制得所述PTFE乳液，所述超薄超细玻纤布为超薄超细的106号，所述陶瓷成分通过元素分析与烧结分析，含Si、Ti、Ca、Sm等元素，本发明专利技术是在传统的聚四氟乙烯玻纤布的基础上进行技术改良和升级，引入选用电低损耗低温飘特种陶瓷粉体，采用超薄超细玻纤布作为浸胶载体，与传统PTFE玻纤布高频材料相比，该系列介电常数宽广在2.2

【技术实现步骤摘要】
超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板及制作工艺


[0001]本专利技术涉及覆铜箔基板生产
，尤其涉及一种超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板及制作工艺。

技术介绍

[0002]覆铜箔基板是将增强材料浸以树脂，一面或双面覆以铜箔并经热压而制成的一种板状材料，简称为覆铜板，各种不同形式和不同功能的印制电路板，都是在覆铜板上有选择地进行加工、蚀刻、钻孔及镀铜等工序，制成不同的印制电路。
[0003]但是现有的方式生产出来的覆铜箔基板的抗辐照性能较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板及制作工艺，旨在解决现有技术中现有的方式生产出来的覆铜箔基板的抗辐照性能较差的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用的一种超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板，包括铜箔层、介质层和超细玻璃纤维布，所述介质层包括去离子水、四氟乙烯单体、酸碱调节剂、乳化剂、引发剂和稳定剂和陶瓷，所述陶瓷选用电低损耗低温飘特种陶瓷粉体，所述介质层按如下重量份数的原料组成去300份离子水、125份四氟乙烯单体、0.1
‑
0.15份酸碱调节剂、1.5
‑
5份乳化剂、0.002
‑
0.06份引发剂和15
‑
20份稳定剂。
[0006]其中，所述酸碱调节剂为乙酸或丁二酸，所述乳化剂为全氟辛酸铵或全氟辛基磺酸钾。
[0007]其中，所述引发剂为过氧化丁二酸或过硫酸铵，所述稳定剂为石蜡或氟醚油。<br/>[0008]本专利技术还提供一种超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板的制备工艺，制备如上述所述的超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板，包括如下步骤：
[0009]步骤一：首先按比例取去离子水、酸碱调节剂、乳化剂、稳定剂加入反应釜，对反应釜进行抽空、置换操作，并进行氧含量测试，氧含量合格后将釜温，向反应釜中投入PTFE单体至釜压2.2Mpa后，用高压泵加入过氧化丁二酸引发剂开始反应，反应过程中持续通入PTFE单体以维持压力在2.2Mpa，当四氟乙烯加入量达到125份时，停止往反应釜中进料，余压反应至0.3Mpa；
[0010]步骤二：反应结束后将反应釜中单体回收，静置5分钟，打开放空阀，降温出料，分离出石蜡；然后将分离石蜡后的物料放到热沉降槽，加入非离子表面活性剂壬基酚聚氧乙烯基醚，搅拌升温至60℃后恒温并浓缩至固含量为60％，然后加入氨水调节pH值为8.5，再加入0.1kg双氧水在15r/min搅拌转速下降温至25℃反应10min，过滤得到PTFE乳液；
[0011]步骤三：之后按介电常数、损耗要求选用电低损耗低温飘特种陶瓷粉体，与PTFE乳液的浆料配比混合得到混合液备用，采用超薄超细玻纤布作为浸胶载体，经过立式浸胶机多次浸渍烘干及高温处理，浸渍出高比例陶瓷含胶量的预制片；
[0012]步骤四：再按比例进行配料敷上铜箔，经过真空层压机高温、高压、复合，最后裁切
制成覆铜板。
[0013]其中，在步骤二中的非离子表面活性剂为壬基酚聚氧乙烯基醚、伯醇聚氧乙烯醚、仲醇聚氧乙烯醚中的一种。
[0014]其中，所述的非离子表面活性剂在分离稳定剂后的物料中的质量百分浓度为1
‑
3％。
[0015]本专利技术的有益效果体现在：本专利技术通过特殊的配方制得所述PTFE乳液，所述超薄超细玻纤布为超薄超细的106号，所述陶瓷成分通过元素分析与烧结分析，含Si、Ti、Ca、Sm等元素，本专利技术是在传统的聚四氟乙烯玻纤布的基础上进行技术改良和升级，引入选用电低损耗低温飘特种陶瓷粉体，按介电常数、损耗等要求设计料陶瓷与PTFE乳液的浆料配比，采用超薄超细玻纤布作为浸胶载体，经过立式浸胶机多次浸渍烘干及高温处理，浸渍出高比例陶瓷含胶量的预制片，再按比例进行配料敷上铜箔，经过真空层压机高温、高压、复合，最后裁切制成覆铜板，与传统PTFE玻纤布高频材料相比，该系列介电常数宽广在2.2
‑
10.2之间可选择，材料性能大幅提升，具有优异的电性能、热性能和机械性能，稳定性极佳，同时具有优良的抗辐照性能和低排气性能，是航天航空级高可靠性材料，能替代国外同类型产品。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本专利技术的实施例1的步骤流程图。
[0018]图2是本专利技术的实施例2的步骤流程图。
[0019]图3是本专利技术的实施例3的步骤流程图。
[0020]图4是本专利技术的超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板的生产工艺图。
具体实施方式
[0021]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。此外，在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0022]实施例1，请参阅图1，本专利技术提供了一种超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板及制作工艺，所述介质层按如下重量份数的原料组成去300份离子水、125份四氟乙烯单体、0.1份酸碱调节剂、1.5份乳化剂、0.002份引发剂和15份稳定剂。
[0023]S1：首先取300份去离子水、0.1份酸碱调节剂、1.5份乳化剂、15份稳定剂加入反应釜，对反应釜进行抽空、置换操作，并进行氧含量测试，氧含量合格后将釜温，向反应釜中投入PTFE单体至釜压2.2Mpa后，用高压泵加入0.002份引发剂开始反应，反应过程中持续通入PTFE单体以维持压力在2.2Mpa，当PTFE单体加入量达到125份时，停止往反应釜中进料，余压反应至0.3Mpa；
[0024]S2：反应结束后将反应釜中单体回收，静置5分钟，打开放空阀，降温出料，分离出石蜡；然后将分离石蜡后的物料放到热沉降槽，加入非离子表面活性剂壬基酚聚氧乙烯基醚，搅拌升温至60℃后恒温并浓缩至固含量为60％，然后加入氨水调节pH值为8.5，再加入0.1kg双氧水在15r/min搅拌转速下降温至25℃反应10min，过滤得到PTFE乳液；
[0025]S3：之后按介电常数、损耗要求选用电低损耗低温飘特种陶瓷粉体，与PTFE乳液的浆料配比混合得到混合液备用，采用超薄超细玻纤布作为浸胶载体，经过立式浸胶机多次浸渍烘干及高温处理，浸渍出高比例陶瓷含胶量的预制片；
[0026]S4：再按比例进行配料敷上铜箔，经过真空层压机高温、高压、复合，最后裁切制成覆铜板。
[0027]所述的功能试剂优选为双氧水、Na2FeO4、K2Cr2O7、KMnO4、NaBiO3中的一种。
[0028]本专利技术通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板，其特征在于，包括如下组成：包括铜箔层、介质层和超细玻璃纤维布，所述介质层包括去离子水、四氟乙烯单体、酸碱调节剂、乳化剂、引发剂和稳定剂和陶瓷，所述陶瓷选用电低损耗低温飘特种陶瓷粉体；所述介质层按如下重量份数的原料组成去300份离子水、125份四氟乙烯单体、0.1
‑
0.15份酸碱调节剂、1.5
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5份乳化剂、0.002
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0.06份引发剂和15
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20份稳定剂。2.如权利要求1所述的超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板，其特征在于，所述酸碱调节剂为乙酸或丁二酸，所述乳化剂为全氟辛酸铵或全氟辛基磺酸钾。3.如权利要求2所述的超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板，其特征在于，所述引发剂为过氧化丁二酸或过硫酸铵，所述稳定剂为石蜡或氟醚油。4.一种超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板的制备工艺，制备如权利要求3所述的超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：首先按比例取去离子水、酸碱调节剂、乳化剂、稳定剂加入反应釜，对反应釜进行抽空、置换操作，并进行氧含量测试，氧含量合格后将釜温，向反应釜中投入PTFE单体至釜压2.2Mpa后，用高压泵加入过氧化丁二酸引发剂开始...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，蒋文，蒋志俊，张跃宏，张浩，柳和平，沈振春，
申请(专利权)人：泰州市旺灵绝缘材料厂，
类型：发明
国别省市：