一种MnPSe3单晶及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种MnPSe3单晶及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明专利技术公开的一种MnPSe3单晶的制备方法，将锰粉末、红磷粉末、硒粉末和碘单质混合，置于石英管中，将封闭的石英管置于具有热端和冷端的加热设备中进行升温和降温吗，在真空和高温条件下制备MnPSe3，可以使得制备得到的MnPSe3单晶晶体体积大且纯度高，优于溶液法和低温固相合成法制备的无定形产物；根据相关实验结果证明，采用本发明专利技术公开的制备方法制备MnPSe3单晶时，产率可达85％，具备大规模生产的优势。具备大规模生产的优势。具备大规模生产的优势。

【技术实现步骤摘要】
一种MnPSe3单晶及其制备方法


[0001]本专利技术属于光电材料
，具体涉及一种MnPSe3单晶及其制备方法。

技术介绍

[0002]二维材料近年来由于其独特的性能引起研究者们的广泛关注，不同的二维材料因晶体结构的特殊性质导致了不同的电学特性或光学特性。石墨烯由于缺乏天然带隙，阻碍了其在数字电子产品中的应用，而黑磷和二元过渡金属二硫族化物的带隙较小，很难应用到短波长的光电应用中。寻求新的稳定单层可以为材料的广泛应用研究提供候选材料。MnPSe3被认为是一种有前途的直接带隙半导体，理论上预测MnPSe3比其他MPX3具有更高的载流子迁移率(约625.9cm2V
‑1s
‑1)和更大的吸收系数(2
×
105cm
‑1)，这为紫外波长的光电子学的新型应用提供了机会。然而，目前对MnPSe3的实验研究主要集中在光催化和电催化中的催化活性，应用的MnPSe3是通过液相剥离方法制备的，但是通过此种方法制备得到的MnPSe3的洁净度较差，以及表面质量差，存在杂质，阻碍了其在光电子学中的应用。此外，传统的溶液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MnPSe3单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先将锰粉末、红磷粉末、硒粉末和碘单质混合放置在石英管中，将石英管密封后放置在具有热端和冷端的加热设备中；所述石英管的一端放置在冷端，另一端放置在热端；随后将加热设备的冷端从室温升温到T1，将加热设备的热端从室温升温到T2，然后将冷端和热端继续恒温加热，随后进行冷却后，在冷端的石英管的一端内得到一种MnPSe3单晶；其中，600℃≤T1≤630℃，650℃≤T2≤680℃。2.根据权利要求1所述的一种MnPSe3单晶的制备方法，其特征在于，所述锰粉末、红磷粉末、硒粉末和碘单质的质量比为(2
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4)：(1
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3)：(6
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9)：1。3.根据权利要求1所述的一种MnPSe3单晶的制备方法，其特征在于，将锰粉末、红磷粉末、硒粉末和碘单质混合放置在石英管中，在石英管内部处于真空条件下对石英管进行密封。4.根据权利要求3所述的一种MnPSe3单晶的制备方法，其特征在于，所述石英管内部的压力小于等于1
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【专利技术属性】
技术研发人员：程迎春，刘凡，罗小光，闫雨婷，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：