【技术实现步骤摘要】
镓硒氧氟氢化合物及镓硒氧氟氢非线性光学晶体的制备方法和用途
[0001]本专利技术涉镓硒氧氟氢化合物及镓硒氧氟氢非线性光学晶体非线性光学晶体的制备方法和利用该系列晶体制作的非线性光学器件。
技术介绍
[0002]非线性光学晶体是重要的光电信息功能材料之一，是光电子技术特别是激光技术的重要物质基础。非线性光学晶体材料可用于转换激光频率和扩展激光波长，用于调节激光的强度和相位，实现激光信号的全息存储。因此，非线性光学晶体是高新技术和现代军事技术中不可缺少的关键材料，各国都把信息技术放在发展的优先位置，并将其纳入高新技术发展规划，作为高度重视和支持的重要战略举措。
[0003]对二阶非线性光学晶体的要求主要包括非中心对称结构，适当的双折射率，具有宽的透过范围，高的激光损伤阈值，优良的物化性能等。金属亚硒酸盐是NLO应用的有力候选者，由于Se
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离子上存在立体化学活性的孤对电子被广泛研究，SeO3单元是一个良好的NLO活性阴离子基团，具有较大的微观二级NLO敏感性，在极性或非中心对称(NCS)晶体结构中排列SeO3单元可以产生具有优异的二次谐波(SHG)性能，是合成NLO晶体材料的候选者。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的之一是提供一种镓硒氧氟氢化合物。
[0005]本专利技术的目的之二是提供一种镓硒氧氟氢化合物的制备方法。
[0006]本专利技术的目的之三是提供一种镓硒氧氟氢非线性光学晶体。
[0007]本专利技术的目的之四是提供一种镓硒氧氟氢非...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种镓硒氧氟氢化合物，其特征在于，该化合物的分子式为Ga2(Se2O5)2(HSeO3)(H2SeO3)F，分子量分别为891.22。2.根据权利要求1所述镓硒氧氟氢化合物，其特征在于，采用水热法或水溶液法制备。3.根据权利要求2所述的镓硒氧氟氢化合物的制备方法，其特征在于：所述水热法制备镓硒氧氟氢化合物，具体操作如下：含镓化合物、含硒化合物、含氟化合物加入到高压反应釜的聚四氟乙烯内衬中，再加入去离子水和矿化剂，使其充分混合均匀，得到混合液，其中含镓化合物、含硒化合物、含氟化合物摩尔比为1.5
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3:5
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7:0.5
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1.5；将聚四氟乙烯内衬装入高压釜中，并将高压釜置于恒温箱中加热至200
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230摄氏度，再冷却降至室温，将含有粉末的溶液过滤，即得到镓硒氧氟氢化合物；所述溶液法制备镓硒氧氟氢化合物，具体操作如下：含镓化合物、含硒化合物、含氟化合物加入到体积为1000mL的烧杯中再加入去离子水100
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400mL，将溶液搅拌至澄清，然后将烧杯置于加热台上，温度加热到150
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250摄氏度，恒温降温后得到镓硒氧氟氢化合物；所述含镓化合物，包括Ga2O3、Ga(NO3)3或GaCl3中的一种或几种；所述含硒化合物，包括SeO2、H2SeO4、H2SeO3、Na2SeO3或K2SeO3中的一种或两种；所述含氟化合物，包括NH4F、LiF、NaF或HF中的至少一种或两种。4.一种镓硒氧氟氢非线性光学晶体，其特征在于化学式均为Ga2(Se2O5)2(HSeO3)(H2SeO3)F，均属正交晶系，空间群Pna21，晶胞参数为，晶胞参数为α＝β＝γ＝90
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，Z＝4，分子量为891.22。5.根据权利要求4所述的镓硒氧氟氢非线性光学晶体，其特征在于，采用水热法或水溶液法生长镓硒氧氟氢非线性光学晶体。6.根据权利要求5所述镓硒氧氟氢非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：所述水热法生长镓硒氧氟氢非线性光学晶体的具体操作如下：将权利要求3制备的镓硒氧氟氢化合物单...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞洪伟，张京茹，吴红萍，胡章贵，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：
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