氯二硅氮烷制造技术

本发明专利技术公开了氯二硅氮烷；由其合成的硅杂原子化合物；含有所述硅杂原子化合物的器件；制备所述氯二硅氮烷、所述硅杂原子化合物和所述器件的方法；以及所述氯二硅氮烷、所述硅杂原子化合物和所述器件的用途。原子化合物和所述器件的用途。

【技术实现步骤摘要】
氯二硅氮烷


[0001]氯二硅氮烷；由其合成的硅杂原子化合物；含有所述硅杂原子化合物的膜和器件；制备氯二硅氮烷、硅杂原子化合物、膜和器件的方法；以及氯二硅氮烷、硅杂原子化合物、膜和器件的用途。

技术介绍

[0002]硅杂原子化合物的膜可用作电子器件或微电子机械系统(MEMS)中的电介质、阻隔件或应力源层。通过在部件的存在下使一种或多种合适的前体化合物经受膜沉积方法，该膜可以在需要此类作用的电子器件或MEMS的部件的表面上形成。前体化合物为小分子、低聚物或大分子，其以这样的方式在部件的表面上蒸发和反应或分解使得在其上形成硅杂原子化合物的薄共形涂层。为了形成令人满意的膜，可能需要在高温(例如，600℃至1,000℃)下加热现有前体化合物。

技术实现思路

[0003]我们(本专利技术人)发现了关于现有前体化合物的问题。一些现有前体化合物含有将污染电子器件或MEMS的杂质。为了形成令人满意的硅杂原子化合物的膜，需要在一定温度下加热一些现有前体化合物，但温度会降低被涂覆部件的热敏特征。另外，一些膜可能有缺陷，例如不期望的厚度或密度或缺乏令本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.1,1,1,3,3
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五氯二硅氮烷。2.一种制备1,1,1,3,3
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五氯二硅氮烷的方法，所述方法包括使1,1,1
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三氯
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3,3,3
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三甲基二硅氮烷与三氯硅烷(HSiCl3)接触以得到1,1,1,3,3
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五氯二硅氮烷。3.一种处理基底的初始表面的方法，所述方法包括第一接触步骤，所述第一接触步骤包括使用第一沉积方法使所述基底的初始表面与1,1,1,3,3
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五氯二硅氮烷的蒸气接触以在所述基底上得到经处理的表面。4.一种制备硅杂原子化合物的方法，所述方法包括第一接触步骤，所述第一接触步骤包括使用第一沉积方法使所述基底的初始表面与1,1,1,3,3
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五氯二硅氮烷的蒸气接触以在所述基底上得到经处理的表面；以及第二接触步骤，所述第二接触步骤包括使用第二沉积方法使所述基底的所述初始表面或所述经处理的表面与含有氮原子、氧原子、碳原子或它们中的任意两种或更多种原子的组合的前体材料的蒸气或等离子体接触以得到用所述基底的所述初始表面或经处理的表面形成的或在所述基底的所述初始表面或经处理的表面上形成的包含硅杂原子化合物的产物。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述含有氮原子的前体材料为分子氮、氨、肼、有机肼、叠氮化氢、伯胺或仲胺；所述含有氧原子的前体材料为分子氧气、臭氧、水、一氧化二氮或过氧化氢；并且所述含有碳原子的前体材料为甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、甲基氯硅烷、具有1至5...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：美国陶氏有机硅公司，
类型：发明
国别省市：