【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉双制冷系统
[0001]本技术属于单晶制备
,尤其是涉及一种单晶炉双制冷系统。
技术介绍
[0002]目前单晶的主流生长方式有两种,分别是区熔法和直拉法,不管是哪一种生长方式,整个单晶硅生长过程中的温度要求是十分严格的,固体多晶硅融化成硅熔液需要系统加温,炉内工作温度一般在1400℃
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1600℃左右。熔化后多晶硅熔液需凝固生长成单晶硅,单晶硅温度500
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1400℃。为保证单晶在高温环境下生长平衡及更少热应力,并保证更高的单晶的生长效率,因此要在单晶炉内增加制冷系统,一方面带走晶体附件多余热量,另一方面保证单晶表面快速散热,来保证晶体生长所需温度梯度。但是缺点是常规单晶炉所用炉体和水冷套循环水是一路水,水温一样,水冷套制冷系统采用低温方法带走热量同时容易导致炉体温度太低,导致炉台部分热能过量损失造成能耗损失。
技术实现思路
[0003]鉴于上述问题,本技术提供一种单晶炉双制冷系统,以解决现有技术存在的以上或者其他前者问题。
[0004]为解决上述技术问 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉双制冷系统,其特征在于:包括水冷套冷却组件、单晶炉冷却组件、第一热交换组件和第二热交换组件,其中,所述第一热交换组件包括可进行热交换的第一换热机构以及均与第一换热机构相连通的第一换热通道和第二换热通道,所述第二换热通道分别与所述水冷套冷却组件和所述单晶炉冷却组件连通;所述第二热交换组件包括可进行热交换的第二换热机构以及均与第二换热机构相连通的第三换热通道与第四换热通道,所述第四换热通道分别与所述水冷套冷却组件和所述单晶炉冷却组件连通;所述第一换热通道通入第一流体,并流出;所述第二换热通道、所述水冷套冷却组件、所述第四换热通道与所述单晶炉冷却组件内循环流动有第二流体;所述第三换热通道通入第三流体,并流出;所述第二流体在循环流动过程中,在所述第一换热机构中与所述第一换热通道内的第一流体进行热交换,在所述水冷套冷却组件中与单晶炉内热量进行热交换,在所述第二换热机构中与所述第三换热通道内的第三流体进行热交换,在所述单晶炉冷却组件中与单晶炉内热量进行热交换。2.根据权利要求1所述的单晶炉双制冷系统,其特征在于:所述水冷套冷却组件包括水冷套以及设置在所述水冷套内的第一冷却通道,所述第二换热通道、所述第一冷却通道与所述第四换热通道依次连通。3.根据权利要求2所述的单晶炉双制冷系统,其特征在于:所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:张文霞,王胜利,周彦杰,张树峰,王林,巩名扬,
申请(专利权)人:内蒙古中环晶体材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
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