提高压电晶片黑化均匀性的方法、压电晶片及声表面波滤波器技术

本发明专利技术公开了一种提高压电晶片黑化均匀性的方法、压电晶片及声表面波滤波器，利用喷砂机对切割后的压电晶片进行喷砂处理，消除压电晶片表面的切割线痕，改善因双面研磨制程所带来的压电晶片片内中心和外圈表面粗糙度不一致的影响，可以有效的解决因切割片线痕黑化后造成的黑线不良，改善压电晶片的黑化均匀性及报废率，得到均匀性更高透光性更好的压电晶片，摒弃高破片报废率的传统双面研磨制程，降低生产成本。且由于取消了研磨制程，可稳定加工生产厚度规格为200μm以下的超薄超高平坦度的压电晶片，既提高了生产效率，又降低了能耗，减少生产成本，有效提高产品的竞争力。有效提高产品的竞争力。有效提高产品的竞争力。

【技术实现步骤摘要】
提高压电晶片黑化均匀性的方法、压电晶片及声表面波滤波器


[0001]本专利技术涉及滤波器领域，特别是一种提高压电晶片黑化均匀性的方法、压电晶片及声表面波滤波器。

技术介绍

[0002]SAW器件(表声波滤波器)的制备须先将钽酸锂(LiTaO3，下文简称LT)经过切割、研磨、抛光等多段工序后成为LT基板，再于LT基板上通过溅镀法、光刻等其他工序制备金属梳状电极。但LT材料特性为热释电系数大、电阻率高，易产生静电，易导致表声波滤波器的指叉电极(IDT)烧坏且易吸附制程中的脏污，故难以制作1GHz以上的SAW器件。所以需先对LT晶片进行能透过黑化制程(还原处理)来改变电阻率和颜色，LT基板透过黑化可以有效降低电阻率及提高后段图案的分辨率，使其SAW滤波器器件良率大幅提升，进而降低制造成本。
[0003]目前LT基板的前处理制程均包括研磨制程，常规的LT晶片制程为切割
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研磨
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黑化
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倒角
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蚀刻，其主要影响因素为切割后LT晶片表面存在切割线痕，从而影响到黑化的效果，具体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高压电晶片黑化均匀性的方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供经切割得到的压电晶片，对所述压电晶片的表面进行喷砂处理，得到喷砂后的压电晶片；2)对所述喷砂后的压电晶片进行黑化还原处理，得到黑化后的压电晶片。2.根据权利要求1所述的提高压电晶片黑化均匀性的方法，其特征在于：所述步骤1之前还包括：提供压电晶体，将压电晶体置于有固定方向的电场中进行单畴极化处理；对所述极化后的压电晶体进行切割，得到压电晶片。3.根据权利要求1所述的提高压电晶片黑化均匀性的方法，其特征在于：所述黑化后的压电晶片的黑化均匀性DE值介于0～1.4，色度L均值介于48～56。4.根据权利要求1所述的提高压电晶片黑化均匀性的方法，其特征在于：所述步骤1的喷砂处理采用吸入式喷砂，加工压力为0.1～0.3MPa，磨料包括碳化硅、碳化硼和白刚玉中的一种，喷砂处理时间为300s～1000s。5.根据权利要求1所述的提高压电晶片黑化均匀性的方法，其特征在于：所述喷砂后的压电晶片的表面粗糙度介...

【专利技术属性】
技术研发人员：枋明辉，刘艺霖，黄世维，林仲和，杨胜裕，
申请(专利权)人：泉州市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：