掩膜制备方法和制备系统，太阳能电池和光伏组件技术方案

本发明专利技术提供了一种掩膜制备方法和制备系统，太阳能电池和光伏组件，涉及太阳能电池制备技术领域。掩膜制备方法包括：采用曝光光源照射感光干膜的第一表面，以对感光干膜曝光；第一表面和感光干膜中与第一表面相对的第二表面，对曝光光源的反射率均小于或等于5％；将曝光后的感光干膜压合在电池本体的表面，并对曝光后的感光干膜显影。本发明专利技术中，曝光过程没有在太阳能本体上进行，曝光过程不会受到太阳能本体上高反射系数的结构的影响，且第一表面和第二表面对于曝光光线的反射较弱，曝光光线基本不会反射至栅线区域，曝光区域基本仅为曝光光源照射区域，显影后掩膜在栅线区域基本没有残留，易于电镀栅线电极。易于电镀栅线电极。易于电镀栅线电极。

【技术实现步骤摘要】
掩膜制备方法和制备系统，太阳能电池和光伏组件


[0001]本专利技术涉及太阳能电池制备
，特别是涉及一种掩膜制备方法和制备系统，太阳能电池和光伏组件。

技术介绍

[0002]在太阳能电池上电镀栅线电极，通常需要制作掩膜，以避免太阳能电池短路。
[0003]掩膜的制作方式主要是湿膜成膜或干膜成膜。湿膜成膜因为涂布工艺的限制，导致所成掩膜厚度均一性较差，影响栅线的线宽。因此，目前常用的掩膜的制作方式是干膜成膜。
[0004]然而，现有的干膜成膜方法会导致部分栅线区域也会被曝光，显影后掩膜在部分栅线区域残留，残留的掩膜导致该区域不容易电镀或无法电镀上栅线电极。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种掩膜制备方法和制备系统，太阳能电池和光伏组件，旨在解决，现有的干膜成膜会导致部分栅线区域也会被曝光的问题。
[0006]本专利技术的第一方面，提供一种掩膜制备方法，所述方法包括：
[0007]采用曝光光源照射感光干膜的第一表面，以对所述感光干膜曝光；所述第一表面和所述感光干膜中与所述第一表面相对的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜制备方法，其特征在于，所述方法包括：采用曝光光源照射感光干膜的第一表面，以对所述感光干膜曝光；所述第一表面和所述感光干膜中与所述第一表面相对的第二表面，对所述曝光光源的反射率均小于或等于5％；将曝光后的所述感光干膜压合在电池本体的表面，并对曝光后的所述感光干膜显影。2.根据权利要求1所述的掩膜制备方法，其特征在于，所述采用曝光光源照射感光干膜的第一表面，以对所述感光干膜曝光，包括：采用曝光光源垂直照射所述感光干膜的第一表面，以对所述感光干膜曝光；所述第一表面和所述第二表面的平整度均小于或等于10微米。3.根据权利要求2所述的掩膜制备方法，其特征在于，所述第一表面和所述第二表面的平整度均小于或等于5微米。4.根据权利要求1
‑
3中任一所述的掩膜制备方法，其特征在于，所述感光干膜由依次层叠的第一保护层、光致抗蚀剂膜、第二保护层组成；所述第一保护层远离所述光致刻蚀剂膜的表面为所述第一表面，所述第一保护层为透明保护层；所述采用曝光光源照射感光干膜的第一表面，以对所述感光干膜曝光，包括：采用曝光光源照射所述感光干膜的第一表面，所述曝光光源透过所述第一保护层，以对所述光致刻蚀剂膜曝光；所述将曝光后的所述感光干膜压合在电池本体的表面，并对曝光后的所述感光干膜显影之前，所述方法还包括：将所述第一保护层、所述第二保护层中的一种保护层撕离，使得曝光后的所述光致刻蚀剂膜中用于压合的表面裸露；所述将曝光后的所述感光干膜压合在电池本体的表面之后，对曝光后的所述感光干膜显影之前，所述方法还包括：将裸露的、曝光后的所述光致刻蚀剂膜压合在电池本体的表面，撕离所述第一保护层、所述第二保护层中的另一种保护层，使得显影前的所述光致刻蚀剂膜的两个相对表面均裸露。5.根据权利要求1
‑
3中任一所述的掩膜制备方法，其特征在于，所述将曝光后的所述感光干膜压合在电池本体的表面，包括：将曝光后的所述感光干膜热压在所述电池本体的表面；所述热压温度小于或等于120℃。6.一种采用权利要求1
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5中任一所述的掩膜制备方法制备掩膜的掩膜制备系统，其特征在于，包括：连为一体的曝光组件和压合显影组件...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤伟，宋佳文，魏俊喆，黄戈龙，沐俊应，薛朝伟，方亮，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：