一种SE太阳电池及其硅片开槽结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种SE太阳电池的硅片开槽结构，设于硅片表面，包括用于副栅印刷的副栅电极槽；所述副栅电极槽包括第一重掺杂槽和第二重掺杂槽；所述第一重掺杂槽的宽度小于或等于副栅的宽度，所述第二重掺杂槽的宽度大于副栅的宽度，所述第二重掺杂槽覆盖于所述第一重掺杂槽的上方。相应的，本实用新型专利技术还提供一种SE太阳电池，其包括上述所述的硅片开槽结构。实施本实用新型专利技术，可使整体重掺杂区更均匀和避免电极过烧的问题，有利于提高SE太阳电池的生产良率和太阳能转换效率。的生产良率和太阳能转换效率。的生产良率和太阳能转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种SE太阳电池及其硅片开槽结构


[0001]本技术涉及晶体硅太阳能电池
，尤其涉及一种SE太阳电池及其硅片开槽结构。

技术介绍

[0002]随着晶硅太阳能电池逐渐加大的规模化生产，提高电池效率则成了电池
亟需关注的热点。选择性发射极(Selective Emitter，以下简称SE)高效电池因其较常规电池效率高，且SE激光开槽工艺与产线兼容性高，产能优势明显及辅料成本低廉等优势在产业化生产中占有较大的市场份额。
[0003]现有技术是在副栅的位置处实现SE重掺杂的，为保证SE重掺杂区域与副栅位置重合，激光设备所形成的副栅电极槽的宽度为副栅的2.5
‑
3.5倍；上述现有技术会导致该副栅电极槽内的重掺杂部分未与浆料接触，并且载流子复合几率高，会对晶硅太阳能电池的效率带来负面影响，甚至会导致电极过烧。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术的不足，本技术提供了一种SE太阳电池的硅片开槽结构，可解决载流子复合和电极过烧的技术问题。
[0005]本技术还提供一种SE太阳电池，其掺杂区整体更加均匀，可提升SE太阳电池的生产良率和转换效率。
[0006]为了解决上述问题，本技术提出了一种SE太阳电池的硅片开槽结构，设于硅片表面，包括用于副栅印刷的副栅电极槽；所述副栅电极槽包括第一重掺杂槽和第二重掺杂槽；
[0007]所述第一重掺杂槽的宽度小于或等于副栅的宽度，所述第二重掺杂槽的宽度大于副栅的宽度，所述第二重掺杂槽覆盖于所述第一重掺杂槽的上方。
[0008]作为上述技术方案的改进，所述第一重掺杂槽的宽度为副栅的0.8
‑
1.0倍。
[0009]作为上述技术方案的改进，所述第二重掺杂槽的宽度为副栅的2.5
‑
3.5倍。
[0010]作为上述技术方案的改进，所述第一重掺杂槽的宽度90～112.5μm，所述第一重掺杂槽的底面距硅片表面的深度为80～135nm；
[0011]所述第二重掺杂槽的宽度为281.25
‑
393.75μm，所述第二重掺杂槽的底面距硅片表面的深度为30
‑
50nm。
[0012]作为上述技术方案的改进，所述第一重掺杂槽的轴线与所述第二重掺杂槽的轴线重合。
[0013]作为上述技术方案的改进，所述硅片的表面还设有用于形成边框电极的边框电极槽，其靠近硅片边缘设置，且不与硅片边缘重合；所述边框电极槽围合形成栅线开槽区；
[0014]所述副栅电极槽沿所述栅线开槽区多条等间距排列。
[0015]作为上述技术方案的改进，所述边框电极槽的宽度为125
‑
155μm。
[0016]作为上述技术方案的改进，所述硅片的表面还设有至少两个MARK点；所述MARK点由十字形激光槽和井字形激光槽叠加而成。
[0017]作为上述技术方案的改进，还设有四个MARK点，所述MARK点靠近硅片四个角设置。
[0018]相应的，一种SE太阳电池，其包上述所述的硅片开槽结构。
[0019]实施本技术具有以下有益效果：
[0020]本技术的副栅电极槽包括第一重掺杂槽和第二重掺杂槽，第二重掺杂槽覆盖于第一重掺杂槽的上方；首先，第一重掺杂槽的宽度小于或等于副栅的宽度，此区域所形成的掺杂区域浓度较高，可实现与副栅浆料的欧姆接触；其次，第二重掺杂槽的宽度大于副栅的宽度，为副栅的印刷提供了一定范围的偏移空间，并且在此区域形成的掺杂区域的浓度低于第一重掺杂槽，可减少不必要的载流子复合；最后，副栅电极槽整体所形成的重掺杂区域较现有技术所形成的掺杂区更均匀，可解决电极过烧的问题，并且该区域所形成的N+结，有利于载流子的收集，进而提高生产良率和太阳能转换效率。
附图说明
[0021]图1是本技术的硅片开槽结构的俯视图；
[0022]图2是图1中A处的纵向截面图；
[0023]图3是图2中B处的放大示意图；
[0024]图4是本技术一实施例中MARK点的结构示意图.
具体实施方式
[0025]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。
[0026]为解决现有副栅电极槽的结构，所导致副栅电极槽内的重掺杂部分未与浆料接触和载流子复合几率高的问题，以及对晶硅太阳能电池的效率所带来的负面影响。
[0027]因此，参见图1
‑
3，本技术提供了一种SE太阳电池的硅片开槽结构，设于硅片1表面，包括用于副栅印刷的副栅电极槽2；副栅电极槽包括第一重掺杂槽21和第二重掺杂槽22。
[0028]本技术对副栅电极槽的结构进行了改进，使副栅电极槽2内所形成的重掺杂区掺杂浓度更均匀，促进载流子的收集，提高电池的生产良率和太阳能转换效率。
[0029]具体的，第一重掺杂槽21的宽度小于或等于副栅的宽度，第二重掺杂槽22的宽度大于副栅的宽度，第二重掺杂槽22覆盖于第一重掺杂槽21的上方。
[0030]相较于现有技术，本技术的副栅电极槽2改为两重开槽结构，该副栅电极槽2包括第一重掺杂槽21和第二重掺杂槽22，第二重掺杂槽21覆盖于第一重掺杂槽22的上方；首先，第一重掺杂槽21的宽度小于或等于副栅的宽度，进而提高该区域的掺杂浓度，且其能与副栅浆料进行欧姆接触，解决现有技术载流子复合率高的技术问题；其次，第二重掺杂槽22的宽度大于副栅的宽度，为副栅印刷保留偏移位置，确保副栅电极槽2与副栅位置重合，解决了副栅印刷需与副栅电极槽重合的问题，又解决了现有技术该部分未与副栅浆料接触的问题；最后，副栅电极槽2整体所形成的重掺杂区域较现有技术所形成的掺杂区更均匀，可解决电极过烧的问题，并且该区域所形成的N+结，有利于载流子的收集，进而提高生产良
率和太阳能转换效率。
[0031]具体的，在本实施例之中，第一重掺杂槽21的宽度为副栅的0.8
‑
1.0倍。副栅电极槽2的第一重掺杂槽21，是由激光设备刻蚀而成的，该设备在硅片1表面所形成的光斑的宽度是等于或略小于副栅的宽度的；示例性的为，0.8倍、0.85倍、0.9倍、1.0倍，但不限于此。
[0032]进一步的，第二重掺杂槽22的宽度为副栅的2.5
‑
3.5倍。由于第一重掺杂槽21的宽度是等于或略小于副栅的宽度，为保证副栅印刷后，副栅与副栅电极槽重合，故第二重掺杂槽的宽度为副栅的2.5
‑
3.5倍，为副栅的印刷留有足够的偏移窗口；示例性的为，2.5倍、3.0倍、3.2倍、3.5倍，但不限于此。
[0033]优选的，第一重掺杂槽21的宽度90～112.5μm，第一重掺杂槽21的底面距硅片1表面的深度为80～135nm；第二重掺杂槽22的宽度为281.25
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393.75μm，第二重掺杂槽22的底面距硅片表面的深度为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SE太阳电池的硅片开槽结构，设于硅片表面，包括用于副栅印刷的副栅电极槽；其特征在于，所述副栅电极槽包括第一重掺杂槽和第二重掺杂槽；所述第一重掺杂槽的宽度小于或等于副栅的宽度，所述第二重掺杂槽的宽度大于副栅的宽度，所述第二重掺杂槽覆盖于所述第一重掺杂槽的上方。2.如权利要求1所述的硅片开槽结构，其特征在于，所述第一重掺杂槽的宽度为副栅的0.8
‑
1.0倍。3.如权利要求2所述的硅片开槽结构，其特征在于，所述第二重掺杂槽的宽度为副栅的2.5
‑
3.5倍。4.如权利要求3所述的硅片开槽结构，其特征在于，所述第一重掺杂槽的宽度90～112.5μm，所述第一重掺杂槽的底面距硅片表面的深度为80～135nm；所述第二重掺杂槽的宽度为281.25
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393.75μm，所述第二重掺杂槽的底面距硅片表面的深度为30
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【专利技术属性】
技术研发人员：韩雅楠，黎景宇，陈刚，
申请(专利权)人：天津爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：