一种SE太阳电池及其硅片开槽结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种SE太阳电池的硅片开槽结构，设于硅片表面，包括用于副栅印刷的副栅电极槽；所述副栅电极槽包括第一重掺杂槽和第二重掺杂槽；所述第一重掺杂槽的宽度小于或等于副栅的宽度，所述第二重掺杂槽的宽度大于副栅的宽度，所述第二重掺杂槽覆盖于所述第一重掺杂槽的上方。相应的，本实用新型专利技术还提供一种SE太阳电池，其包括上述所述的硅片开槽结构。实施本实用新型专利技术，可使整体重掺杂区更均匀和避免电极过烧的问题，有利于提高SE太阳电池的生产良率和太阳能转换效率。的生产良率和太阳能转换效率。的生产良率和太阳能转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种SE太阳电池及其硅片开槽结构


[0001]本技术涉及晶体硅太阳能电池
，尤其涉及一种SE太阳电池及其硅片开槽结构。

技术介绍

[0002]随着晶硅太阳能电池逐渐加大的规模化生产，提高电池效率则成了电池
亟需关注的热点。选择性发射极(Selective Emitter，以下简称SE)高效电池因其较常规电池效率高，且SE激光开槽工艺与产线兼容性高，产能优势明显及辅料成本低廉等优势在产业化生产中占有较大的市场份额。
[0003]现有技术是在副栅的位置处实现SE重掺杂的，为保证SE重掺杂区域与副栅位置重合，激光设备所形成的副栅电极槽的宽度为副栅的2.5
‑
3.5倍；上述现有技术会导致该副栅电极槽内的重掺杂部分未与浆料接触，并且载流子复合几率高，会对晶硅太阳能电池的效率带来负面影响，甚至会导致电极过烧。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术的不足，本技术提供了一种SE太阳电池的硅片开槽结构，可解决载流子复合和电极过烧的技术问题。
[0005]本技术还提供一种SE太阳电池，其掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SE太阳电池的硅片开槽结构，设于硅片表面，包括用于副栅印刷的副栅电极槽；其特征在于，所述副栅电极槽包括第一重掺杂槽和第二重掺杂槽；所述第一重掺杂槽的宽度小于或等于副栅的宽度，所述第二重掺杂槽的宽度大于副栅的宽度，所述第二重掺杂槽覆盖于所述第一重掺杂槽的上方。2.如权利要求1所述的硅片开槽结构，其特征在于，所述第一重掺杂槽的宽度为副栅的0.8
‑
1.0倍。3.如权利要求2所述的硅片开槽结构，其特征在于，所述第二重掺杂槽的宽度为副栅的2.5
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3.5倍。4.如权利要求3所述的硅片开槽结构，其特征在于，所述第一重掺杂槽的宽度90～112.5μm，所述第一重掺杂槽的底面距硅片表面的深度为80～135nm；所述第二重掺杂槽的宽度为281.25
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393.75μm，所述第二重掺杂槽的底面距硅片表面的深度为30
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【专利技术属性】
技术研发人员：韩雅楠，黎景宇，陈刚，
申请(专利权)人：天津爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：