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本实用新型公开了一种SE太阳电池的硅片开槽结构,设于硅片表面,包括用于副栅印刷的副栅电极槽;所述副栅电极槽包括第一重掺杂槽和第二重掺杂槽;所述第一重掺杂槽的宽度小于或等于副栅的宽度,所述第二重掺杂槽的宽度大于副栅的宽度,所述第二重掺杂槽覆盖...该专利属于天津爱旭太阳能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过天津爱旭太阳能科技有限公司授权不得商用。
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