一种防浪涌冲击电路及电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种防浪涌冲击电路及电子设备，防浪涌冲击电路包括火线、零线、母线电容、PWM控制电路、降压电路、整流控制电路以及整流桥电路，控制电路的第一输入端与火线连接，PWM控制电路的第二输入端与零线连接，降压电路的输入端与PWM控制电路的电流输出端连接，降压电路的受控端与PWM控制电路的控制信号输出端连接，降压电路的输出端与母线电容的第二端连接，降压电路的采样端与PWM控制电路的采样输入端连接，整流控制电路的采样端与火线连接，整流桥电路的第一输入端与火线连接，整流桥电路的第二输入端与零线连接，整流桥电路的输出端与母线电容的第二端连接。以解决现有技术中交流输入电源的母线电容的充电方案容易损坏缓冲器件的技术问题。容易损坏缓冲器件的技术问题。容易损坏缓冲器件的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种防浪涌冲击电路及电子设备


[0001]本技术涉及电源系统
，特别涉及一种防浪涌冲击电路及电子设备。

技术介绍

[0002]现有技术中，对于交流输入电源，一般包含一个整流桥和一个大的母线电容。在上电时需要对母线电容的充电电流进行限制，以避免过大的浪涌冲击电流。小功率的电源一般在回路上串联负温度系数的热敏电阻。对于大功率电源因热敏电阻功耗大不能采用，一般采用缓冲电阻和一个继电器或者可控硅并联的方式。上电后控制电路依据母线电压与输入交流电压满足设定缓冲值后，闭合继电器或者可控硅完成缓冲。但这两种方式都存在容易损坏缓冲器件的技术问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种防浪涌冲击电路及电子设备，解决现有技术中交流输入电源的母线电容的充电方案容易损坏缓冲器件的技术问题。
[0004]为了实现上述目的，本技术提出一种防浪涌冲击电路，所述防浪涌冲击电路包括：
[0005]火线，用于接入电源；
[0006]零线；
[0007]母线电容，所述母线电容的第一端连接至负载；
[0008]PWM控制电路，具有第一输入端、第二输入端、电流输出端、采样输入端以及控制信号输出端，所述控制电路的第一输入端与所述火线连接，所述PWM控制电路的第二输入端与所述零线连接，并在所述电源大于第一预设电压值时，输出导通信号；
[0009]降压电路，具有输入端、受控端、采样端以及输出端，所述降压电路的输入端与所述PWM控制电路的电流输出端连接，所述降压电路的受控端与所述PWM控制电路的控制信号输出端连接，所述降压电路的输出端与所述母线电容的第二端连接，所述降压电路的采样端与所述PWM控制电路的采样输入端连接，并在接收到所述导通信号时，导通所述整流电路与所述降压电路之间的通路，并对整流后的所述电源进行降压后输出至母线电容进行充电；
[0010]整流控制电路，具有采样端、第一整流控制信号端以及第二整流控制信号端，所述整流控制电路的采样端与所述火线连接，并在所述火线接入电源的时间达到预设时长时，输出整流桥导通信号；
[0011]整流桥电路，具有第一输入端、第二输入端、第一受控端、第二受控端以及输出端，所述整流桥电路的第一输入端与所述火线连接，所述整流桥电路的第二输入端与所述零线连接，所述整流桥电路的输出端与母线电容的第二端连接，并在接收到所述整流桥导通信号时导通，以对所述电源进行整流后输出。
[0012]可选地，所述整流桥电路包括第一二极管、第二二极管、第一光耦器件、第二光耦
器件、第一可控硅、第二可控硅、第一电阻以及第二电阻，所述第一光耦器件的集电极、所述第一可控硅的阳极与所述第一二极管的阴极互联，其连接节点为所述整流桥电路的第一输入端，所述第一光耦器件的发射极、所述第一电阻的第一端以及所述第一可控硅的控制极互联；所述第二光耦器件的集电极、所述第二可控硅的阳极与所述第二二极管的阴极互联，其连接节点为所述整流桥电路的第二输入端，所述第二光耦器件的发射极、所述第二电阻的第一端以及所述第二可控硅的控制极互联；所述第一可控硅的阴极、所述第一电阻的第二端、所述第二可控硅的阴极以及所述第二电阻的第二端互联，其连接节点为所述整流桥电路的输出端。
[0013]可选地，所述降压电路包括第一开关管、第一电感以及第三二极管，所述第一开关管的第一端为所述降压电路的输入端，所述第一开关管的第二端分别与所述第一电感的第一端以及所述第三二极管的阴极互联，其连接节点为所述降压电路的采样端，所述第一开关管的受控端为所述降压电路的受控端，所述第一电感的第二端为所述降压电路的及输出端，所述第三二极管的阳极接地。
[0014]可选地，所述PWM控制电路包括整流模块和控制模块，所述整流模块具有第一输入端、第二输入端以及输出端，所述控制模块具有输入端、采样输入端以及控制信号输出端，所述整流模块的第一输入端为所述PWM控制电路的第一输入端，所述整流模块的第二输入端为所述PWM控制电路的第二输入端，所述整流模块的输出端与所述控制模块的控制信号输出端连接，其连接节点为所述PWM控制电路的电流输出端，所述控制模块的采样输入端为所述PWM控制电路的采样输入端，所述控制模块的控制信号输出端为所述PWM控制电路的控制信号输出端。
[0015]可选地，所述整流模块包括第四二极管、第五二极管以及第三电阻，所述第四二极管的阳极为所述整流模块的第一输入端，所述第四二极管的阴极分别与所述第五二极管的阴极以及所述第三电阻的第一端互联；所述第五二极管的阳极为所述整流模块的第二输入端，所述第三电阻的第二端为所述整流模块的输出端。
[0016]可选地，所述防浪涌冲击电路还包括续流电路，所述续流电路的输入端与所述整流桥电路的输出端连接，所述续流电路的输出端与所述母线电容的第一端连接。
[0017]可选地，所述防浪涌冲击电路还包括采样电路，所述采样电路设于所述第一开关管的第二端以及所述第三二极管的阴极之间。
[0018]为了实现上述目的，本技术还提出一种电子设备，包括如上所述的防浪涌冲击电路。
[0019]本技术通过在火线接入电源的时间未达到预设时长时且在所述电源大于第一预设电压值时，PWM控制电路直接控制降压电路导通所述整流电路与所述降压电路之间的通路，并对整流后的所述电源进行降压后输出至母线电容进行充电。从而可以实现初期的恒流充电，在火线接入电源的时间达到预设时长时，整流控制电路输出整流桥导通信号，整流桥电路在接收到所述整流桥导通信号时导通，以对所述电源进行整流后输出。由于充电一段时间后的母线电容的电压已经接近整流后的电压，因此此时整流桥电路开始工作不会产生浪涌冲击电流。从而可以解决现有技术中交流输入电源的母线电容的充电方案容易损坏缓冲器件的技术问题。
附图说明
[0020]下面结合附图和实施例对本技术进一步地说明；
[0021]图1为一个实施例中防浪涌冲击电路的模块示意图。
[0022]图2为一个实施例中防浪涌冲击电路的电路示意图。
具体实施方式
[0023]本部分将详细描述本技术的具体实施例，本技术之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本技术的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本技术保护范围的限制。
[0024]为了解决现有技术中交流输入电源的母线电容的充电方案容易损坏缓冲器件的技术问题，本技术提出一种防浪涌冲击电路以及装置及电子设备。
[0025]在一实施例中，如图1所示，所述防浪涌冲击电路包括火线L、零线N、母线电容C1、PWM控制电路10、降压电路20、整流控制电路30：所述母线电容C1的第一端连接至负载，PWM控制电路10具有第一输入端、第二输入端、电流输出端、采样输入端以及控制信号输出端，所述控制电路的第一输入端与所述火线L连接，所述PWM控制电路10的第二输入端与所述零线N连接，降压电路20具有输入端、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防浪涌冲击电路，其特征在于，所述防浪涌冲击电路包括：火线，用于接入电源；零线；母线电容，所述母线电容的第一端连接至负载；PWM控制电路，具有第一输入端、第二输入端、电流输出端、采样输入端以及控制信号输出端，所述控制电路的第一输入端与所述火线连接，所述PWM控制电路的第二输入端与所述零线连接，并在所述电源大于第一预设电压值时，输出导通信号；降压电路，具有输入端、受控端、采样端以及输出端，所述降压电路的输入端与所述PWM控制电路的电流输出端连接，所述降压电路的受控端与所述PWM控制电路的控制信号输出端连接，所述降压电路的输出端与所述母线电容的第二端连接，所述降压电路的采样端与所述PWM控制电路的采样输入端连接，并在接收到所述导通信号时，导通所述整流电路与所述降压电路之间的通路，并对整流后的所述电源进行降压后输出至母线电容进行充电；整流控制电路，具有采样端、第一整流控制信号端以及第二整流控制信号端，所述整流控制电路的采样端与所述火线连接，并在所述火线接入电源的时间达到预设时长时，输出整流桥导通信号；整流桥电路，具有第一输入端、第二输入端、第一受控端、第二受控端以及输出端，所述整流桥电路的第一输入端与所述火线连接，所述整流桥电路的第二输入端与所述零线连接，所述整流桥电路的输出端与母线电容的第二端连接，并在接收到所述整流桥导通信号时导通，以对所述电源进行整流后输出。2.如权利要求1所述的防浪涌冲击电路，其特征在于，所述整流桥电路包括第一二极管、第二二极管、第一光耦器件、第二光耦器件、第一可控硅、第二可控硅、第一电阻以及第二电阻，所述第一光耦器件的集电极、所述第一可控硅的阳极与所述第一二极管的阴极互联，其连接节点为所述整流桥电路的第一输入端，所述第一光耦器件的发射极、所述第一电阻的第一端以及所述第一可控硅的控制极互联；所述第二光耦器件的集电极、所述第二可控硅的阳极与所述第二二极管的阴极互联，其连接节点为所述整流桥电路的第二输入端，所述第二光耦器件的发射极、所述第二电阻的第一端以及所述第二可控硅的控制极互联；所述第一可控硅的阴极、所述第一电阻的第二端、所述第二可控硅的阴极以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭红波，蔡义青，刘俊杰，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：