扫描显示器制造技术

本发明专利技术涉及一种显示器件（５），包括第一和第二子像素（５ａ，５ｂ），所述第一子像素（５ａ）发射第一波长（λ１）的光，而所述第二子像素（５ｂ）发射第二波长（λ２）的光，所述第一子像素（５ａ）包括夹在前和后电极（２ａ，３ａ）之间的诸如聚合物或小化合物分子层的第一有机电致发光层（１ａ），具有第一状态，其中跨越所述第一层（１ａ）施加发射驱动信号（Ｖ↓［ａ１］）用于产生在其中发射所述第一波长（λ１）的光的发射状态，和第二状态，其中跨越所述第一层（１ａ）施加感测驱动信号（Ｖ↓［ａｓ］），由此，可以探测入射到所述第一子像素（５ａ）上的所述第二波长（λ２）的光。优选地，所述第一电极（２ａ，３ａ）保持在基本上相同的电势。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括至少一个第一子像素的显示器件，该第一子像素包含诸如聚合物层或小化合物分子层的第一发光有机电致发光层，其夹在第一前电极(阳极)与第一后电极(阴极)之间。有机电致发光显示器和器件是目前开发的技术，该技术基于如下认识，即诸如例如聚苯亚基亚乙烯基类聚合物的特定有机材料和有机电致发光材料可以用作发光二极管中的半导体。这些器件非常令人关注，因为诸如聚合物材料的有机材料的使用使这些器件轻便、柔性且相对廉价地制造。目前，还发现这种发光器件可以用作测量入射光的工具。例如，在专利文献US-5 504 323中已经描述了这种器件。该文献描述了一种具有双重功能且因此可以用于输入和输出的显示技术的发光二极管。当二极管的有机聚合物层被正偏置时，二极管当作发光器，而当该层被负偏置时，其用作光电二极管。负偏置优选具有在2.5至15V的区间中的负电压。还描述了由于该层的光敏性随反向电压而增大，因此，优选地在光电二极管模式下具有经跨过聚合物层的相当大的负偏置电压。然而，上述双重功能二极管具有很多缺点。首先，在US-5 504 323中描述的器件显示出在0V附近的非对称泄泄漏电流行为，且因此发现泄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器件（５），包括至少第一和第二子像素（５ａ，５ｂ），所述第一子像素（５ａ）设置成发射第一波长（λ１）的光，而所述第二子像素（５ｂ）设置成发射第二波长（λ２）的光，所述第一子像素（５ａ）包括夹在第一前电极（２ａ）与第一后电极（３ａ）之间的第一发光有机电致发光层（１ａ），其中所述第一电极（２ａ，３ａ）在第一状态下设置成跨越所述第一电致发光层（１ａ）施加发射驱动信号（Ｖ↓［ａ１］），用于产生其中发射所述第一波长（λ１）的光发射状态，而在第二状态下设置成跨越所述第一电致发光层（１ａ）施加感测驱动信号（Ｖ↓［ａｓ］），其中可以探测入射到所述第一子像素（５ａ）上的所述第二波长（λ２）的光。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：JN胡伊伯特斯，A森佩，PJ斯尼德，HFJJ范通格恩，CTHF里登鲍姆，GFA范德瓦尔勒，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]