用于改进存储器装置中的连续存储器存取的预载技术制造方法及图纸

本发明专利技术提供用于改进存储器装置的存储器存取操作的装置及技术。在实例中，一种方法可包含响应于确定存储器存取命令的LBA不在包含映射高速缓存的LBA到物理地址(L2P)区内而将L2P表的多个L2P区从存储器装置的存储器阵列加载到映射高速缓存。当所述存储器存取命令是连续命令时，加载到所述映射高速缓存的所述多个L2P区可提供经改进存储器存取性能。个L2P区可提供经改进存储器存取性能。个L2P区可提供经改进存储器存取性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于改进存储器装置中的连续存储器存取的预载技术
[0001]优先权申请
[0002]本申请案主张2020年3月15日申请的序列号为PCT/CN2020/07414的国际申请案的优先权权益，所述国际申请案以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本文中描述的实施例大体上涉及用于改进快闪存储器装置的存取命令的处理量的系统及方法。

技术介绍

[0004]存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含呈各种形式的随机存取存储器(RAM)，例如动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。非易失性存储器可在未供电时保存所存储的数据(在一些情况中，可实施为只读存储器(ROM))，且可包含一或多种存储技术，例如快闪存储器(例如NAND或NOR快闪)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种由存储器装置执行的方法，所述方法包括：从主机接收第一存储器存取命令，所述第一存储器存取命令用于存取所述存储器装置的存储器阵列；确定映射高速缓存的LBA到物理地址(L2P)区是否包含与所述第一存储器存取命令一起接收的第一LBA；响应于确定所述第一存储器存取命令的所述LBA不在所述映射高速缓存的所述L2P区内，将L2P表的多个L2P区加载到所述映射高速缓存；基于所述映射高速缓存内的所述第一LBA及所述多个L2P区中的第一L2P区确定所述存储器阵列的第一物理地址；及基于所述第一物理地址执行所述第一存储器存取命令。2.根据权利要求1所述的方法，其包含：接收第二存储器存取命令；及确定所述映射高速缓存的第二L2P区包含与所述第二存储器存取命令一起接收的第二LBA。3.根据权利要求2所述的方法，其包含在所述接收所述第二存储器存取命令之后，执行所述第二存储器存取命令且无需先将所述L2P表的部分从所述存储器阵列传送到所述映射高速缓存。4.根据权利要求1所述的方法，其中接收所述第一存储器存取命令包含确定所述第一存储器存取命令是连续读取命令。5.根据权利要求4所述的方法，其中确定所述第一存储器存取命令是连续读取命令包含确定所述第一存储器存取命令是读取命令。6.根据权利要求4所述的方法，其中确定所述第一存储器存取命令是连续读取命令包含确定多个紧接在前存储器存取命令是专门读取命令。7.根据权利要求4所述的方法，其中确定所述第一存储器存取命令是连续读取命令包含确定所述第一存储器存取命令是具有等于最大数据分块大小的数据分块大小的读取命令。8.根据权利要求4所述的方法，其中确定所述第一存储器存取命令是连续读取命令包含确定来自紧接在前读取命令的起始LBA与所述紧接在前读取命令的数据分块大小的总和指向所述第一存储器存取命令的起始LBA。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述LTP表的L2P区经配置以将多于1000个LBA映射到快闪存储器的对应物理地址。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述加载多个L2P区包含将所述L2P表的至少三个L2P区从所述快闪存储器加载到所述存储器高速缓存。11.一种存储器装置，其包括：存储器阵列；及存储器控制器，其经配置以从主机装置接收命令，所述存储器控制器包含包括一或多个处理器的处理电路系统且经...

【专利技术属性】
技术研发人员：段星辉，赵彬，黄健雄，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：