【技术实现步骤摘要】
晶体截断方法及晶体生长设备
[0001]本专利技术涉及晶体制备
,尤其涉及一种晶体截断方法及用于实施该方法的晶体生长设备。
技术介绍
[0002]在光伏产业、半导体产业中,人造晶体是常用的原材料。目前有一种利用直拉式单晶硅生长炉以石墨加热方式制备单晶硅的单晶制备工艺,这一工艺能够获得晶棒以及析出的籽晶。单晶制备工艺包括截断籽晶以分离籽晶和晶棒的操作,目前普遍采用借助切晶工具的人工切割籽晶方式切断籽晶,这种切断籽晶的方式需要在打开晶体生长炉的情况下由人员爬至炉体上方进行,人员需将手臂和切晶工具伸入炉体内,容易受炉内余热炙烤而受伤,且晶体生长炉开启不便,会影响晶体制备效率,此外切晶工具也有不慎掉落的可能。
技术实现思路
[0003]鉴于此,本专利技术提供一种晶体截断方法,能够在不开启晶体生长炉的情况下自动切割籽晶,无需人员使用切晶工具手动切晶。
[0004]本专利技术提供的晶体截断方法,用于截断籽晶以分离籽晶与晶棒,包括:A、利用截断单元挤压籽晶的外周壁,以在籽晶的外周壁上形成剪切缺口槽;B、驱动晶 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶体截断方法,用于截断籽晶(210)以分离籽晶(210)与晶棒(220),其特征在于,包括:A、利用截断单元(20)挤压籽晶(210)的外周壁,以在所述籽晶(210)的外周壁上形成剪切缺口槽;B、驱动晶体连接单元(10)带动所述籽晶(210)与晶棒(220)周向转动,并检测所述晶体连接单元(10)的晃动量;C、在所述晶体连接单元(10)的晃动量大于预设晃动幅度的情况下,带动所述截断单元(20)撞击所述籽晶(210),直至所述籽晶(210)断裂。2.根据权利要求1所述的晶体截断方法,其特征在于,步骤C,即在所述晶体连接单元(10)的晃动量大于预设晃动幅度的情况下,带动所述截断单元(20)相对所述籽晶(210)运动,以撞断所述籽晶(210),包括:C1、驱动所述晶体连接单元(10)带动所述籽晶(210)与所述晶棒(220)周向转动,以使所述籽晶(210)碰撞所述截断单元(20),所述籽晶(210)的被撞击部位在所述籽晶(210)的轴向上不高于所述剪切缺口槽;及/或,所述晶体截断方法还包括:E、调节截断单元(20)与晶体连接单元(10)的相对位置,使所述截断单元(20)到达于籽晶(210)的高度区间内。3.根据权利要求2所述的晶体截断方法,其特征在于,步骤C1,即驱动所述晶体连接单元(10)带动所述籽晶(210)与所述晶棒(220)周向转动,以使所述籽晶(210)碰撞所述截断单元(20),包括:C11、驱动所述晶体连接单元(10)带动所述籽晶(210)与所述晶棒(220)周向转动,以使所述籽晶(210)碰撞侧向挤压件(21)的凸棱端(211),所述凸棱端(211)与所述籽晶(210)的轴线交叉成角。4.根据权利要求1所述的晶体截断方法,其特征在于,所述晶体截断方法还包括:D、在所述晶体连接单元(10)的晃动量不大于预设晃动幅度的情况下,利用所述截断单元(20)挤压所述籽晶(210),并重复步骤B~D,直至所述籽晶(210)断裂;所述籽晶(210)的被挤压部位与所述剪切缺口槽位于所述籽晶(210)的同一轴向位置。5.根据权利要求1所述的晶体截断方法,其特征在于,步骤A,即利用所述截断单元(20)挤压所述籽晶(210)的外周壁,以在所述籽晶(210)的外周壁上形成剪切缺口槽,包括:A1、利用反馈传感单元(42)测量籽晶(210)反作用于所述截断单元(20)的力,并得到实际挤压剪切力;A2、在所述实际剪切挤压力大于或等于预设极限值的情况下,控制所述截断单元(20)中止挤压所述籽晶(210)。6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹建伟,朱亮,傅林坚,叶钢飞,阮文星,梁晋辉,
申请(专利权)人:浙江晶盛机电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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