一种量子比特芯片封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种量子比特芯片封装结构。该封装结构包括：上层读取控制芯片、下层读取控制芯片和中间量子比特芯片。中间量子比特芯片的上表面设置有第一金属层，下表面设置有第二金属层；上层读取控制芯片的两侧表面分别设置有第三金属层和第五金属层，第三金属层与第五金属层通过金属通孔互连；下层读取控制芯片的一侧表面设置有第四金属层；中间量子比特芯片包括第一部分量子比特和第二部分量子比特；第一部分量子比特的垂直投影与相邻的第二部分量子比特存在预设面积的交叠区域。本发明专利技术实施例的技术方案实现了量子比特芯片在三维方向的耦合，提高了量子比特芯片的集成度，增加了量子比特间的连接数，有效提升了量子芯片的算力。算力。算力。

【技术实现步骤摘要】
一种量子比特芯片封装结构


[0001]本专利技术涉及量子芯片
，尤其涉及一种量子比特芯片封装结构。

技术介绍

[0002]“量子比特”是量子计算中普遍使用的术语，可指代信息存储元件，该信息存储元件用于存储一个量子比特的信息。超导量子比特可以利用微纳加工技术制作到芯片上，得到量子比特芯片。
[0003]量子比特芯片具有可集成、可扩展等优越性能。为进一步提升量子计算机的算力，量子比特数量不断的拓展，量子比特芯片和封装尺寸不断增加，大尺寸的量子比特芯片和封装产生的谐振模式将影响量子比特的性能，高集成度高算力的量子比特芯片研发是目前首要任务，现有技术提供的量子比特芯片仍存在集成度较低以及算力较小的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种量子比特芯片封装结构，以实现量子比特芯片的更高集成度，更多量子比特的连接数，提升量子比特芯片的算力。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种量子比特芯片封装结构，包括：上层读取控制芯片、下层读取控制芯片和中间量子比特芯片；所述中间量子比特芯片的上表面设置有第一金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子比特芯片封装结构，其特征在于，包括：上层读取控制芯片、下层读取控制芯片和中间量子比特芯片；所述中间量子比特芯片的上表面设置有第一金属层，所述中间量子比特芯片的下表面设置有第二金属层；所述上层读取控制芯片的一侧表面设置有第三金属层，所述下层读取控制芯片的一侧表面设置有第四金属层；所述上层读取控制芯片远离所述第三金属层的一侧设置有第五金属层，所述第三金属层与所述第五金属层通过金属通孔互连；所述上层读取控制芯片和所述下层读取控制芯片上均设置有微波控制线路、直流控制线路、读取谐振腔和信号传输线路；所述中间量子比特芯片包括量子比特，所述量子比特包括多个第一部分量子比特和多个第二部分量子比特；所述第一金属层中的各个所述第一部分量子比特的垂直投影与所述第二金属层中的各个所述第二部分量子比特交错排布，且所述第一部分量子比特的垂直投影与相邻的所述第二部分量子比特之间存在预设面积的交叠区域。2.根据权利要求1所述的量子比特芯片封装结构，其特征在于，相邻所述第一部分量子比特之间形成耦合；相邻所述第二部分量子比特之间形成耦合；所述第一部分量子比特与垂直方向邻近的所述第二部分量子比特之间形成耦合。3.根据权利要求2所述的量子比特芯片封装结构，其特征在于，相邻所述第一部分量子比特之间的耦合方式包括：电容耦合或电感耦合；相邻所述第二部分量子比特之间的耦合方式包括电容耦合或电感耦合。4.根据权利要求2所述的量子比特芯片封装结构，其特征在于，相邻所述第一部分量子比特之间的耦合强度包括固定耦合强度或可调耦合强度；相邻所述第二部分量子比特之间的耦合强度包括固定耦合强度或可调耦合强度。5.根据权利要求2所述的量子比特芯片封装结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓梅，冯加贵，熊康林，于文龙，周博艺，王雨，
申请(专利权)人：材料科学姑苏实验室，
类型：发明
国别省市：