一种掩模带及其制备方法技术

本申请涉及掩模带领域，具体公开了一种掩模带。掩模带的原料包括包括片基带基体以及硅胶层，所述硅胶层通过粘接剂粘接在所述片基带基体上，所述掩模带由如下重量份的原料制成：粘接剂10

【技术实现步骤摘要】
一种掩模带及其制备方法


[0001]本申请涉及掩模带领域，更具体地说，它涉及一种掩模带及其制备方法。

技术介绍

[0002]高速电镀是采用特殊的设备和镀液添加剂，在使用极高的阴极电流密度时，也能获得优质电镀层的电镀方法。高速电镀采用高电流密度，提高了电镀速度，使电镀生产效率以几十倍甚至上百倍地提高，前景十分诱人。
[0003]目前，在高速电镀过程中，为了减少引线框架不必要的地方被电镀到贵金属，需要对引线框架进行掩盖遮挡，掩模带表面柔软的胶层与电镀液不发生反应，同时通过胶层与引线框架的贴合起到对引线框架的表面遮挡作用，达到引线框架表面选择性区域的电镀。
[0004]针对上述中的相关技术，专利技术人认为存在以下缺陷：掩模带表面的胶层是通过后期的灌注得到的，掩模带是由粘接剂将胶层粘接到片基带上形成的，而粘结剂是决定掩模带质量的关键因素，使用一般粘结剂时，灌注胶层后得到的掩模带，其表面胶层易开裂破损，导致掩模带的使用寿命及引线框架的电镀效果大大降低。

技术实现思路

[0005]为了提高掩模带的使用寿命，本申请提供一种掩模带及其制备方法。
[0006]第一方面，本申请提供一种掩模带，采用如下的技术方案：一种掩模带，包括片基带基体以及硅胶层，所述硅胶层通过粘接剂粘接在所述片基带基体上，所述掩模带由如下重量份的原料制成：粘接剂10
‑
20份；硅胶层50
‑
70份；所述粘接剂为含有硅元素的粘接剂。
[0007]通过采用上述技术方案，首先粘接剂的作用是将硅胶层粘接在片基带上，为提高粘接强度，首先需要对片基带与粘接剂粘接的一面进行粗糙打磨，使得片基带表面变得粗糙，从而能使得粘接剂与片基带粘接的面积变大，因此粘接的牢固程度越好，其次，粘接剂中含有硅元素，硅胶层中也含有硅元素，硅胶层是通过灌注得到的，在灌注的过程中，硅胶中的硅在高温下能和粘接剂中的硅之间形成硅硅键，从而使得粘接的牢固度更高，硅胶层的内聚力更好，因此降低了硅胶层开裂现象发生的可能性。
[0008]优选的，所述硅胶层由改性硅胶灌注制成，所述改性硅胶通过将硅胶在硅酸钠溶液中浸泡20
‑
30h，且超声振荡，去离子水清洗后得到。
[0009]通过采用上述技术方案，在通过对硅胶改性制得的改性硅胶中含有硅酸根，硅酸根中也存在有大量的硅，能在灌注的过程中形成更多更充足的硅硅键，使得粘接剂和硅胶层联合的更加紧密，因此使得硅胶层不易撕裂，延长了掩模带的使用寿命。
[0010]优选的，所述粘接剂由如下重量份的原料制成：有机硅树脂30
‑
50份；
环氧树脂20
‑
40份；聚酰胺酰亚胺5
‑
8份；硅油5
‑
8份；气相白炭黑1
‑
5份；硅烷偶联剂1
‑
3份。
[0011]通过采用上述技术方案，首先环氧树脂具有良好的粘结性，聚酰胺酰亚胺与环氧树脂有很好的互混交联，并且能提高环氧树脂的耐磨性、粘接性、柔韧性以及耐碱性，有机硅树脂和硅油能增加整体的粘稠度，使得胶粘性更好，气相白炭黑在硅烷偶联剂的作用下能很好的分散在整个体系当中，气相白炭黑作为填充剂能提高粘接剂的耐水性和耐热性。
[0012]优选的，所述粘接剂的制备步骤如下：第一步：将环氧树脂、气相白炭黑、硅烷偶联剂和聚酰胺酰亚胺加热到120℃混合搅拌，得到混合胶体A；第二步：将有机硅树脂和硅油混合加入混合胶体A中搅拌，球磨，得到粘接剂。
[0013]通过采用上述技术方案，将环氧树脂、气相白炭黑、硅烷偶联剂和聚酰胺酰亚胺进行混合加热，气相白炭黑在硅烷偶联剂的作用下能充分的分散在环氧树脂中，并且，环氧树脂与聚酰胺酰亚胺之间会发生互混交联，从而能使得整体混合的更加充分，并且同时还提高了粘结性和耐水性等性能，通过将有机硅树脂和硅油混合后再加入混合胶体A中搅拌球磨进一步的增加了胶体的粘稠度，最终制得的粘接剂。
[0014]优选的，所述硅油为高乙烯基硅油，粘度为10000
±
1000mPa.s。
[0015]通过采用上述技术方案，在粘度为10000
±
1000mPa.s的高乙烯基硅油的作用下，能非常明显的提升粘接剂的粘度，使得粘接性更好，更有利于提高掩模带的寿命。
[0016]优选的，所述有机硅树脂为甲基乙烯基硅树脂。
[0017]通过采用上述技术方案，甲基乙烯基硅树脂有很高的二氧化硅含量，具有非常好的热稳定性，并且在高温下有非常优良的粘接性能。
[0018]优选的，所述气相白炭黑为改性气相白炭黑，所述改性气相白炭黑是将气相白炭黑混溶在聚二甲基二烯丙基氯化铵溶液中，超声振荡，去离子水清洗，晾干制得的。
[0019]通过采用上述技术方案，通过对气相白炭黑用聚二甲基二烯丙基氯化铵溶液进行改性，聚二甲基二烯丙基氯化铵是强阳离子电解质，在聚二甲基二烯丙基氯化铵溶液的作用下使得气相白炭黑上附着着大量的阳离子，当进行灌注胶层时，强阳离子会和硅胶中的硅酸根大量结合，从而在粘接剂和硅胶层之间除了硅硅键还会有大量的阴阳离子结合形成的化学键，进一步的提高了粘接剂对硅胶层的结合能力，从而避免硅胶层开裂，提高了掩模带的使用寿命。
[0020]第二方面，本申请提供一种掩模带的制备方法，采用如下的技术方案：一种掩模带的制备方法，制备步骤如下：S1：将片基带剪裁出合适的尺寸，将片基带首尾相接起来，在片基带的外侧一面涂上粘接剂；S2：将涂上粘接剂的片基带装在模板上，向模板中灌入硅胶，待硅胶层凝固即制得掩模带。
[0021]通过采用上述技术方案，通过首先将粘接剂涂覆在片基带的外表面，在将涂覆了
粘接剂的片基带套在模板上，通过灌注，冷却后得到凝固的硅胶层，从而制得掩模带，在灌注的过程中，硅胶中的硅酸根与粘接剂当中的气相白炭黑上的强阳离子电解质电解出的强阳离子相互结合，形成阴阳离子结合形成的化学键，同时，粘接剂中的硅与硅胶和硅酸根中的硅相互之间能形成硅硅键，从而在两种键合力的作用下，硅胶层与粘接剂能紧密的结合在一起，从而使得掩模带的使用寿命延长。
[0022]综上所述，本申请具有以下有益效果：1、由于本申请采用含硅的粘接剂和硅胶层来制备掩模带是由于在掩模带的制备过程中，硅胶层的制备方式是进行灌注，是将高温融化的硅胶灌注到装有涂覆了粘接剂的片基带的模板中形成的硅胶层，在高温下，粘接剂中的硅与硅胶中的硅在高温下能形成硅硅键，使得硅胶层和粘接剂之间的作用力更强，降低了硅胶层开裂的可能，提高了掩模带的使用寿命。
[0023]2、本申请中优选采用对硅胶用硅酸钠溶液浸泡改性，对气相白炭黑用聚二甲基二烯丙基氯化铵进行改性，聚二甲基二烯丙基氯化铵是强阳离子电解质，能提供大量的强阳离子，当进行灌注硅胶时，强阳离子与硅酸根相互结合形成大量的化学键，使得硅胶层和粘接剂之间的结合的更紧密，提高了掩模带的使用寿命。
[0024]3、本申请的方法，首先环氧树脂具有良好的粘结性，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模带，其特征在于，包括片基带基体以及硅胶层，所述硅胶层通过粘接剂粘接在所述片基带基体上，所述掩模带由如下重量份的原料制成：粘接剂10
‑
20份；硅胶层50
‑
70份；所述粘接剂为含有硅元素的粘接剂。2.根据权利要求1所述的一种掩模带，其特征在于：所述硅胶层由改性硅胶灌注制成，所述改性硅胶通过将硅胶在硅酸钠溶液中浸泡20
‑
30h，且超声振荡，去离子水清洗后得到。3.根据权利要求1所述的一种掩模带，其特征在于：所述粘接剂由如下重量份的原料制成：有机硅树脂30
‑
50份；环氧树脂20
‑
40份；聚酰胺酰亚胺5
‑
8份；硅油5
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8份；气相白炭黑1
‑
5份；硅烷偶联剂1
‑
3份。4.根据权利要求3所述的一种掩模带，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴家麟，伍秀月，
申请(专利权)人：江门市优彼思半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：