双向DC-DC电路及逆变器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双向DC

【技术实现步骤摘要】
双向DC
‑
DC电路及逆变器


[0001]本技术涉及变压器
，尤其涉及双向DC
‑
DC电路及逆变器。

技术介绍

[0002]现有一些充电桩、光储充、OBC等领域的产品电压等级达到1000V，但是目前应用于老化电源行业的回馈式负载最高在850V左右，对需要老化1000V的产品，现有的绝大多数回馈式负载已经不能够使用。
[0003]现有的双向DC
‑
DC电路通过半桥结构让电压可以达到1000V，但实际需要元件需要达到更高的电压等级，如1100V或1200V，半桥结构不能满足实际的需要。

技术实现思路

[0004]本技术实施例所要解决的技术问题是现有的双向DC
‑
DC电路的电压不能支持更高的电压等级，不能满足实际需要。
[0005]为了解决上述问题，本技术公开了双向DC
‑
DC电路及逆变器。
[0006]第一方面，本技术提出了一种双向DC
‑
DC电路，其包括输入端、输出端与转换电路，所述输入端、所述输出端分别与所述转换电路连接；
[0007]所述转换电路包括四个IGBT管，四个所述IGBT管对称设置，所述IGBT管组成全桥结构，四个所述IGBT管依次连接；
[0008]四个IGBT管分别为第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管、第四IGBT管，所述第一IGBT管的源极与所述第二IGBT管漏极连接，所述第三IGBT管源极与所述第四IGBT管漏极连接，所述第二IGBT管的源极与所述第四IGBT管的源极连接；
[0009]所述输入端与所述第一IGBT管、所述第二IGBT管并联，所述输出端与后两个所述IGBT管并联。
[0010]优选地，进一步包括电感，所述电感一端与所述第一IGBT管的源极连接，另一端与所述第三IGBT管的源极连接。
[0011]优选地，四个电解电容分别为第一电容、第二电容、第三电容、第四电容，
[0012]所述第一电容与所述第二电容连接，所述第三电容与所述第四电容连接，所述第一电容与所述第二电容并联所述第一IGBT管与所述第二IGBT管，所述第三电容与所述第四电容并联第三IGBT管与第四IGBT管。
[0013]优选地，所述输入端并联所述第一IGBT管与所述第二IGBT管，所述输出端并联第三IGBT管与第四IGBT管。
[0014]优选地，包括驱动电路，所述驱动电路与所述IGBT管电性连接。
[0015]优选地，当双向DC
‑
DC电路处于逆变状态，输入端向输出端输入电压。
[0016]优选地，当双向DC
‑
DC电路处于整流状态，输出端向输入端输入电压。
[0017]优选地，当输入端电压大于输出端电压，转换电路处于升压模式，当输入端电压大于输出端电压，转换电路处于降压模式。
[0018]第二方面，本技术还提供了一种逆变器，其包括前述任一项所述的双向DC
‑
DC电路，
[0019]优选地，还包括逆变电路及隔离电路；
[0020]所述双向DC
‑
DC电路与所述隔离电路电性连接，所述逆变电路与所述隔离电路电性连接。
[0021]与现有技术相比，本技术实施例所能达到的技术效果包括：
[0022]双向DC
‑
DC电路实现电压转换，通过四个IGBT管组成全桥结构，使双向DC
‑
DC电路的输出端可连接高功率的元件，输入端输入的电压范围更广，电压实际可达到1200V等级，同时，可适应后级电路组成的元件选用的功率器件等级更多，提高电路的适用性。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本技术所提供的一种双向DC
‑
DC电路的电路图；
[0025]图2为本技术所提供的一种逆变器的电路框图；
[0026]图3为本技术所提供的一种逆变器的隔离电路的电路图；
[0027]图4为本技术所提供的一种逆变器的逆变电路的电路图；
[0028]图5为本技术所提供的一种逆变器的电路图；
[0029]附图标记
[0030]100、逆变器；1、双向DC
‑
DC电路；2、隔离电路；3、逆变电路；
[0031]11、输入端；12、输出端；13、转换电路；
具体实施方式
[0032]下面将结合本技术实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，附图中类似的组件标号代表类似的组件。显然，以下将描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0033]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0034]还应当理解，在此本技术实施例说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本技术实施例。如在本技术实施例说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
[0035]参考图1，本技术提供了一种双向DC
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DC电路1，包括输入端11、输出端12及转换电路13，输入端11与输入端11分别连接转换电路13的一端，输入端11输入外界电压，转换
电路13对输入端11的电压进行升降压处理，输出端12输出转换后的电压。
[0036]具体地，转换电路13包括四个IGBT管，四个IGBT管依次连接，四个IGBT管对称设置，IGBT管组成全桥机构，使双向DC
‑
DC电路1的输出端12可连接高功率的元件，输入端11输入的电压范围更广，实际电压可达到1200V，令电路可适应高压状态，同时，可以让后级电路组成的元件选用的功率器件等级可更高，类别更多，提高电路的实用性。
[0037]其中，双向DC
‑
DC电路1使用四个IGBT管，可让电路适应更高电压，提高电路的性能。
[0038]四个IGBT管包括第一IGBT管Q1、第二IGBT管Q2、第三IGBT管Q3及第四IGBT管Q4，第一IGBT管Q1的源极与第二IGBT管Q2漏极连接，第三IGBT管Q3源极与第四IGBT管Q4漏极连接，第二I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双向DC
‑
DC电路，其特征在于，包括输入端、输出端与转换电路，所述输入端、所述输出端分别与所述转换电路连接；所述转换电路包括四个IGBT管，四个所述IGBT管对称设置，四个所述IGBT管组成全桥结构，四个所述IGBT管依次连接；四个IGBT管分别为第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管、第四IGBT管，所述第一IGBT管的源极与所述第二IGBT管漏极连接，所述第三IGBT管源极与所述第四IGBT管漏极连接，所述第二IGBT管的源极与所述第四IGBT管的源极连接；所述输入端与所述第一IGBT管、所述第二IGBT管并联，所述输出端与后两个所述IGBT管并联。2.根据权利要求1所述的双向DC
‑
DC电路，其特征在于，进一步包括电感，所述电感一端与所述第一IGBT管的源极连接，另一端与所述第三IGBT管的源极连接。3.根据权利要求1所述的双向DC
‑
DC电路，其特征在于，转换电路包括四个电解电容，四个电解电容分别为第一电容、第二电容、第三电容、第四电容，所述第一电容与所述第二电容连接，所述第三电容与所述第四电容连接，所述第一电容与所述第二电容并联所述第一IGBT管与所述第二IGBT管，所述第三电容与所述第四电容并联第三IGBT管与第四IGBT管。4.根据权利要求3所述的双向DC
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【专利技术属性】
技术研发人员：梁远文，艾攀红，
申请(专利权)人：深圳市鼎泰佳创科技有限公司，
类型：新型
国别省市：