硅胶溶解剂及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种硅胶溶解剂及其制备方法与应用。该硅胶溶解剂，按照质量百分比计，组分包括：有机酸10％～40％、有机溶剂47％～80％、缓蚀剂0.2％～3％及稳定剂1％～10％；有机溶剂在标准大气压下的沸点大于100℃。通过组分的合理配比，该硅胶溶解剂的沸点较高、不易挥发、VOC较低，具有较好的耐温性；并且硅胶溶解剂对硅胶的溶解速度较快，适用于溶解半导体器件上的硅胶。件上的硅胶。

【技术实现步骤摘要】
硅胶溶解剂及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及
，具体涉及一种硅胶溶解剂及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]有机硅凝胶材料因其具有优良的耐温、防水和电气绝缘等性能，成为半导体器件中必不可少的封装绝缘材料。在器件封装过程中难免会出现不良现象，这就需要把含有缺陷的器件上已固化硅胶溶解。固化后的硅胶因具有牢固的网状空间结构，使用常规的溶剂很难溶解，市面上普遍使用的专用硅胶溶解剂通常是由苯磺酸及低分子量卤代烃的混配物构成。该专用硅胶溶解剂存在耐温性较差且不环保的问题。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要提供一种耐温性较好且溶解硅胶效果较好的硅胶溶解剂及其制备方法与应用。
[0004]本专利技术的一个方面，提供了一种硅胶溶解剂，按照质量百分比计，包括以下组分：
[0005][0006]其中，所述有机溶剂在标准大气压下的沸点大于100℃。
[0007]在任意实施方式中，所述有机酸包括柠檬酸、氨基磺酸、草酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、酒石酸、乙酸、丁二酸及1，3
‑
丙烷磺内酯中的至少一种。
[0008]在任意实施方式中，所述有机溶剂包括碳酸丙烯酯、戊二酸二甲酯、丁二酸二甲酯、己二酸二甲酯、碳酸乙烯酯、二乙二醇、1，4
‑
丁二醇、1，2
‑
丙二醇、甘油、1，4
‑
二氧六环、苯肼及环丁砜中的至少一种。
[0009]在任意实施方式中，所述缓蚀剂包括乙二胺四乙酸、六亚甲基四胺、噻二唑、苯并三氮唑、2
‑
巯基苯并噻唑、四甲基硫脲、甲基苯并三氮唑及2
‑
巯基苯并咪唑中的至少一种。
[0010]在任意实施方式中，所述稳定剂包括磷酸二乙酯、磷酸三丁酯、2,2,2
‑
三氯乙醇、羟基乙叉二膦酸、丙二醇二乙酸酯、乙二醇乙烯醚、丙二醇甲醚醋酸酯及乙二醇乙醚中的至少一种。
[0011]在任意实施方式中，所述硅胶溶解剂满足(1)～(4)中的至少一个条件：
[0012](1)所述有机酸的质量含量为30％～40％；
[0013](2)所述有机溶剂的质量含量为45％～65％；
[0014](3)所述缓蚀剂的质量含量为1.5％～3％；
[0015](4)所述稳定剂的质量含量为5％～10％。
[0016]在任意实施方式中，所述硅胶溶解剂在标准大气压下的沸点＞100℃。
[0017]在任意实施方式中，所述硅胶溶解剂在25℃下的pH值为0.1～4。
[0018]第二方面，本专利技术还提供了上述第一方面的硅胶溶解剂的制备方法，包括以下步骤：
[0019]将所述有机酸、所述有机溶剂、所述缓蚀剂及所述稳定剂混合，制备所述硅胶溶解剂。
[0020]第三方面，本专利技术还提供了上述第一方面的硅胶溶解剂在制备半导体器件中的应用。
[0021]上述硅胶溶解剂包括特定配比的有机酸、有机溶剂、缓蚀剂及稳定剂，且有机溶剂在标准大气压下的沸点大于100℃。通过组分的合理配比，上述硅胶溶解剂的沸点较高、不易挥发、VOC较低，具有较好的耐温性；并且硅胶溶解剂对硅胶的溶解速度较快，适用于溶解半导体器件上的硅胶。
具体实施方式
[0022]为了便于理解本专利技术，下面将对本专利技术进行更全面的描述。本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0023]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0024]本专利技术中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。如果没有特别的说明，本专利技术所提到的“包括”和“包含”表示开放式，也可以是封闭式。例如，所述“包括”和“包含”可以表示还可以包括或包含没有列出的其他组分，也可以仅包括或包含列出的组分。
[0025]本专利技术中，涉及到数值区间，如无特别说明，上述数值区间内视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。
[0026]本专利技术中涉及的百分比含量，如无特别说明，对于固液混合和固相
‑
固相混合均指质量百分比，对于液相
‑
液相混合指体积百分比。
[0027]本专利技术中涉及的百分比浓度，如无特别说明，均指终浓度。所述终浓度，指添加成分在添加该成分后的体系中的占比。
[0028]本专利技术中的温度参数，如无特别限定，既允许为恒温处理，也允许在一定温度区间内进行处理。所述的恒温处理允许温度在仪器控制的精度范围内进行波动。
[0029]本专利技术一实施方式提供了一种硅胶溶解剂，按照质量百分比计，包括以下组分：
[0030][0031]其中，有机溶剂在标准大气压(101.325kPa)下的沸点大于100℃。
[0032]在其中一些实施例中，有机溶剂在标准大气压下的沸点为101℃～300℃。可选地，有机溶剂在标准大气压下的沸点为以下任意数值组成的范围内：101℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、180℃、190℃、200℃、210℃、240℃、250℃、270℃、280℃或者300℃。
[0033]上述硅胶溶解剂包括特定配比的有机酸、有机溶剂、缓蚀剂及稳定剂，且有机溶剂在标准大气压下的沸点大于100℃。通过组分的合理配比，上述硅胶溶解剂的沸点较高、不易挥发、VOC较低，具有较好的耐温性；并且硅胶溶解剂对硅胶的溶解速度较快，适用于溶解半导体器件上的硅胶。
[0034]有机酸能够促进硅胶空间网状结构的断裂。在本专利技术实施方式中，硅胶溶解剂中有机酸的质量含量为10％～40％。有机酸的含量在上述范围内，与硅胶溶解剂的其他组分配合，能够有效地促进硅胶的溶解。有机酸含量过低，则很难使硅胶中Si
‑
O键断裂；有机酸含量过高，则硅胶溶解剂的腐蚀性较强。可选地，硅胶溶解剂中有机酸的质量含量为以下任意数值组成的范围内：10％、12％、15％、16％、18％、20％、24％、25％、27％、28％、30％、32％、35％、36％或者40％。进一步地，硅胶溶解剂中有机酸的质量含量为30％～40％。
[0035]在其中一些实施例中，有机酸包括柠檬酸、氨基磺酸、草酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、酒石酸、乙酸、丁二酸及1，3
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...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅胶溶解剂，其特征在于，按照质量百分比计，包括以下组分：其中，所述有机溶剂在标准大气压下的沸点大于100℃。2.根据权利要求1所述的硅胶溶解剂，其特征在于，所述有机酸包括柠檬酸、氨基磺酸、草酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、酒石酸、乙酸、丁二酸及1，3
‑
丙烷磺内酯中的至少一种。3.根据权利要求1所述的硅胶溶解剂，其特征在于，所述有机溶剂包括碳酸丙烯酯、戊二酸二甲酯、丁二酸二甲酯、己二酸二甲酯、碳酸乙烯酯、二乙二醇、1，4
‑
丁二醇、1，2
‑
丙二醇、甘油、1，4
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二氧六环、苯肼及环丁砜中的至少一种。4.根据权利要求1所述的硅胶溶解剂，其特征在于，所述缓蚀剂包括乙二胺四乙酸、六亚甲基四胺、噻二唑、苯并三氮唑、2
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巯基苯并噻唑、四甲基硫脲、甲基苯并三氮唑及2
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巯基苯并咪唑中的至少一种。5.根据权利要求1所述的硅胶溶解剂，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：高和平，黎立桂，陈当家，周康帝，钟娜，
申请(专利权)人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院，
类型：发明
国别省市：