【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种互补金属氧化物半导体图像传感器,包括:图像元素电路阵列;对所述阵列的一个图像元素行进行相关双采样的相关双采样单元;电荷泵型升压单元,所述电荷泵型升压单元向形成所述阵列的所述图像元素电路提供预定的被提升的电压;和 阻止单元,所述阻止单元阻止由所述电荷泵型升压电路的泵浦操作引起的噪声对所述相关双采样的影响。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:柳沢诚,井上忠夫,船越纯,
申请(专利权)人:富士通株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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