一种用于探测器芯片的宽光谱背增透薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提出了一种用于探测器芯片的宽光谱背增透薄膜的制备方法，包括：将探测器芯片放置于腔室的工件盘上，并对腔室进行抽真空处理；利用镀膜材料以及预先配置的工艺参数，对探测器芯片进行镀膜，其中，镀膜材料包括硒化锌和氟化镱；待腔室冷却后，取出完成镀膜的探测器芯片。本发明专利技术至少具有下列优点：采用硒化锌和氟化镱复合膜层制作的碲镉汞红外探测器芯片宽光谱背增透薄膜表面光洁，无脱膜情况出现，且探测器的性能有了很大的提高；并且，制备宽光谱背增透薄膜的红外芯片的性能有所提高，且薄膜表面光洁，薄膜的附着力、牢固度满足了器件使用的环境要求，提高了批量生产器件的合格率，有利于降低成本。有利于降低成本。有利于降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种用于探测器芯片的宽光谱背增透薄膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及红外焦平面探测器制造
，尤其涉及一种用于探测器芯片的宽光谱背增透薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]随着红外技术的飞速发展，遥感探测、太空天文以及工农业等各应用领域对红外探测器工作光谱区要求越来越宽，单个探测器不仅要求覆盖短、中、长等单个波段范围，而且要求可达到可见与近红外区，短波与中波，中波与长波等多光谱波段覆盖的效果。因此，高透射率高可靠性的宽光谱波段增透膜层的研发和制备是未来红外探测器研究领域的重要发展方向。
[0003]目前，国内外在红外宽光谱增透膜层方面的研究很多，但主要集中在可见光与近红外、短中波红外、中长波红外等双谱段方面，谱段覆盖范围更宽的背增透膜层研究非常少见。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是，现有的膜层结构能够覆盖的波段范围较小，有鉴于此，本专利技术提供一种用于探测器芯片的宽光谱背增透薄膜的制备方法。
[0005]本专利技术采用的技术方案是，所述一种用于探测器芯片的宽光谱背增透薄膜的制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于探测器芯片的宽光谱背增透薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将所述探测器芯片放置于腔室的工件盘上，并对所述腔室进行抽真空处理；利用镀膜材料以及预先配置的工艺参数，对所述探测器芯片进行镀膜，其中，所述镀膜材料包括硒化锌和氟化镱；取出完成镀膜的所述探测器芯片。2.根据权利要求1所述的用于探测器芯片的宽光谱背增透薄膜的制备方法，其特征在于，所述镀膜材料包括：透明波段在0.4微米至9微米，折射率为2.6的硒化锌和氟化镱。3.根据权利要求1所述的用于探测器芯片的宽光谱背增透薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述探测器芯片放置于腔室的工件盘上，并对所述腔室进行抽真空处理，包括：将所述探测器芯片以及测试陪片的抛光面朝下放置于所述腔室的工件盘上，关闭所述腔室的大门，对所述腔室进行抽真空处理；或者将所述探测器芯片以及测试陪片的抛光面朝上放置于所述腔室的工件盘上，关闭所述腔室的大门，对所述腔室进行抽真空处理。4.根据权利要求3所述的用于探测器芯片的宽光谱背增透薄膜的制备方法，其特征在于，当所述探测器芯片以及测试陪片的抛光面朝下放置于所述腔室的工件盘上时，所述工艺参数包括：所述腔室的真空度、所述工件盘的转速、所述工件盘的加热温度、加热时间、以及所述镀膜材料的镀膜速率和厚度；当所述探测器芯片以及测试陪片的抛光面朝上放置于所述腔室的工件盘上时，所述工艺参数包括：所述腔室的真空度、所述工件盘的转速、所述工件盘的加热温度、加热时间、以及所述镀膜材料的溅射功率、溅射时间以及氩...

【专利技术属性】
技术研发人员：任秀娟，张伟婷，冯晓宇，崔戈，李春领，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：